Strict Standards: Declaration of Submenu::create_submenu() should be compatible with manageMenu::create_submenu($id, $query) in /home/j00wo3/public_html/includes/Submenu.php on line 4
Publicaţii
 
Bibiografie cronologica
Indice bibliografic
Teze de doctor
Brevete de invenţii
Publicatii despre SR
Bibilografie despre SR
Particpant la concursul WebTop
Lucrări ştiinţifice a lui Sergiu Rădăuţan
    1958
  1. Горюнова, Н. А., Радауцан, С. И. Твёрдые растворы в системе InAs-In2Se3 // Журнал технич. Физики. - 1958. - Vol. 28, Nr. 9. - P. 2917.
  2. Горюнова, Н. А., Радауцан, С. И. Твёрдые растворы в системе InAs-In2Te3 // Доклады АН СССР. - 1958. - Vol. 121. - P. 848.
  3. Радауцан, С. И. Исследование некоторых твёрдых растворов полупровод-ников на основе арсенида индия: Автореф. дисс. на соиск. учен. степени канд. физ.-мат. наук. - Л., 1958. - 15 p.
  4. 1959
  5. Горюнова, Н. А., Радауцан, С. И., Дерябина, В. И. Гомогенизация сплавов системы InAs-In2Se3 отжигом под давлением // Физика твердого тела. - 1959. - Nr. 1. - P. 512.
  6. Горюнова, Н. А., Радауцан, С. И., Киоссе Г. А. О новом полупроводниковом соединений в системе In-Sb-Te // Физика твердого тела. - 1959. - Vol. 1, Nr. 12. - P. 1858-1860.
  7. Радауцан, С. И. Исследование разреза InAs-In2Se3 системы In-As-Se // Журнал неорганич. химии. - 1959. - Vol. 4, Nr. 5. - P. 1121-1124.
  8. Радауцан, С. И. Некоторые данные о тройной системе Al-Sb-Cd // Ученые записки / Кишин. ун-т. Т. ХХХIX. Физико-математический. - 1959. - P. 69-72.
  9. 1960
  10. Киоссе, Г. А., Малиновский, Т. И., Радауцан, С. И. Рентгеноструктурное исследование сплавов системы In-Sb-Te // Изв. Молдав. филиала АН СССР. - 1960. - Nr. 3 (69). - P. 3-9.
  11. Наследов, Д. Н., Пронина, М. П., Радауцан, С. И. Некоторые оптические свойства твердых растворов арсеноселенидов и арсенотеллуридов индия // Физика твердого тела. - 1960. - Vol. 2, Nr. 1. - P. 50-51.
  12. Образование твердых растворов в системе InP-In2Se3 / С. И. Радауцан, И. А. Мадан, И. П. Молодян, Р. А. Иванова // Изв. Молдав. филиала АН СССР. - 1960. - Nr. 3 (69). - P. 107-109.
  13. Радауцан, С. И., Молодян, И. П. Гомогенизация сплавов разреза InSb-In2Te3, тройной системы индий-сурьма-теллур // Изв. Молдав. филиала АН СССР. - 1960. - Nr. 3 (69). - P. 37-47.
  14. Радауцан, С. И. Исследование некоторых электрических свойств соединений In2Sе3 и In2Te3 // Изв. Молдав. филиала АН СССР. - 1960. - Nr. 3 (69). - P. 49-55.
  15. Радауцан, С. И. Некоторые полупроводниковые твердые растворы на основе арсенида индия: Экспресс-инф. ГНТК при СМ МССР. - Ch., 1960. - 17 p.
  16. Радауцан, С. И., Дерид, О. П. О селено-теллуридах индия // Изв. Молдав. филиала АН СССР. - 1960. - Nr. 3 (69). - P. 105-106.
  17. 1961
  18. Бергер, Л. И., Радауцан, С. И. Некоторые свойства арсено селенидов индия // Вопросы металлургии и физики полупроводников. - 1961. - P. 129-133.
  19. Молодян, И. П., Негрескул, В. В., Радауцан, С. И. Исследование соединения In4SbTe3 и твердых растворов на его основе // Тез. докл. Всесоюзн. совещ. по полупроводниковым соединениям. - М.-Л., 1961. - P. 45.
  20. Молодян, И. П., Радауцан, С. И., Мадан, И. А. Некоторые структурные и термические исследования соединения In4SbTe3 // Изв. АН МССР. - 1961. - Nr. 10 (88). - P. 91-94.
  21. Молодян, И. П., Радауцан, С. И., Мадан, И. А. Термические и высокотемпературные рентгеноструктурные исследования полупроводникого соединения In4SbTe3 // Тез. докл. 4-го совещ. по кристаллохимии. - Ch., 1961. - P. 105-106.
  22. Радауцан, С. И., Мадан, И. А. Некоторые свойства фосфидоселенидов индия // Тез. докл. Всесоюз. совещ. по полупроводниковым соединениям. - М.-Л., 1961. - P. 56.
  23. Радауцан, С. И., Негрескул, В. В., Мадан, И. А. Некоторые твердые растворы на основе нового соединения In4SbTe3 // Изв. АН МССР. - 1961. - Nr. 10 (88). - P. 57-63.
  24. Радауцан, С. И., Негрескул, В. В., Мадан, И. А. Некоторые твердые растворы на основе нового соединения In4SbTe3 // Тез. докл. 4-го совещ. по кристаллохимии. - Ch., 1961. - P. 122-123.
  25. Радауцан, С. И., Малкович, Б. Е. С. Некоторые электрические свойства арсеноселенидов индия // Физика твердого тела. - 1961. - Nr. 3. - P. 3324.
  26. Радауцан, С. И., Мадан, И. А. О сложных фосфидах типа АIIIBV - A2IIIB3VI // Тез. докл. 4-го совещ. по кристаллохимии. - Ch., 1961. - P. 121-122.
  27. Радауцан, С. И., Иванова, Р. А. О твердых растворах на основе ZnGeSe3 // Тез. докл. Всесоюз. совещ. по полупроводниковым соединениям. - М.-Л., 1961. - P. 55.
  28. Радауцан, С. И., Иванова, Р. А. Образование твердых растворов на основе сложных соединений типа АIIBIVC3VI // Изв. АН МССР. - 1961. - Nr. 10 (88). - P. 64-69.
  29. Радауцан, С. И., Иванова, Р. А. Образование твердых растворов на основе сложных соединений типа АIIBIVCVI // Тез. докл. 4-го совещ. по кристаллохимии. - Ch., 1961. - P. 119-121.
  30. Радауцан, С. И., Гаврилика, Е. И. Твердые растворы в системе HgSe-In2Se3 // Изв. АН МССР. - 1961. - Nr. 10 (88). - P. 95-96.
  31. Радауцан, С. И., Мадан, И. А., Иванова, Р. А. Твердые растворы фосфидо-селенидов галлия // Изв. АН МССР. - 1961. - Nr. 10 (88). - P. 98-101.
  32. Радауцан, С. И., Мановеч, Л. М. Электропроводность и термо-ЭДС некоторых сплавов арсенотеллуридов индия // Изв. АН МССР. - 1961. - Nr. 10 (88). - P. 71-74.
  33. 1962
  34. Rădăuţan, S. I. Investigation of some complex semiconducting solid solutions and compounds on the basis of indium // Czechoslovak. J. Phys. - 1962. - Vol. 12, Nr. 5. - P. 382-391.
  35. Радауцан, С. И. О некоторых сложных полупроводниках на основе индия // Первая научная сессия АН МССР. - Ch., 1962. - P. 126-134.
  36. Радауцан, С. И., Мадан, И. А. Твердые растворы фосфидо-селенидов индия // Изв. АН МССР. - 1962. - Nr. 5. - P. 92-97.
  37. 1964
  38. Radautsan, S. I. Quelques refularites dans les proprietes des semiconducteurs avec la structure lacunaire de la blende // Physique des semiconducteurs. - Paris, 1964. - P. 1177-1184.
  39. Rădăuţan, S. Cadou în pragul jubileului. Institutul Politehnic şi-a început activitatea // Moldova socialistă. - 1964. - 20 iunie.
  40. Горюнова, Н. А. Радауцан, С. И. О дефектных алмазоподобных полупроводниках // Исследования по полупроводникам. - Ch.: Cartea Moldoveanească, 1964. - P. 3-43.
  41. Исследования по полупроводникам «Новые полупроводниковые материалы» / редкол.: Д. Н. Наследов, Н. А. Горюнова, В. Н. Ланге, Д. В. Гицу, С. И. Радауцан. - Ch.: Cartea Moldovenească, 1964. - 175 р.
  42. Микрохимический фазовый анализ некоторых полупроводниковых сплавов системы In-Sb-Te / У. С. Ляликов, Л. С. Копанская, И. П. Молодян, С. И. Радауцан // Исследования по полупроводникам «Новые полупроводниковые материалы». - Ch.: Cartea Moldovenească, 1964. - Р. 134-143.
  43. Молодян, И. П., Радауцан, С. И. Некоторые гомогенные фазы антимонидо-теллуридов индия // Изв. АН СССР. Сер. Физическая . - 1964. - Vol. 28, Nr. 6. - P. 1017-1022.
  44. Молодян, И. П., Радауцан, С. И. Твердые растворы на основе сурьмянистого индия в системе индий-сурьма-теллур // Исследования по полупроводникам «Новые полупроводниковые материалы». - Ch.: Cartea Moldovenească, 1964. - Р. 143-153.
  45. Негрескул, В. В., Радауцан, С. И., Слободчиков, С. В. К электрическим и фотоэлектрическим свойствам фосфида галлия // Изв. АН МССР. Сер. Естеств.-техн. наук. - 1964. - Nr. 11. - P. 115-119.
  46. Негрескул, В. В., Радауцан, С. И. Некоторые свойства твердых растворов на основе фосфида галлия // Изв. АН СССР. Сер. Физическая. - 1964. - Vol. 28, Nr. 6. - P. 1002.
  47. Радауцан, С. И. Кузница инженерных кадров: [О подготовке инженерных кадров в КПИ] // Советская Молдавия. - 1964. - 12 noiembr.
  48. Радауцан, С. И. Некоторые исследования дефектных алмазоподобных полупроводников // Rev. roumaine phys. - 1964. - Vol. 9, Nr. 3. - P. 293-304.
  49. Радауцан, С. И., Маслянко, Р. А., Маркус, М. М. Некоторые сложные фазы на основе In2Te3 // Исследования по полупроводникам «Новые полупроводниковые материалы». - Ch.: Cartea Moldovenească, 1964. - Р. 153-158.
  50. Радауцан, С. И., Негрескул, В. В. Твердые растворы фосфидо-сульфидов галлия // Исследования по полупроводникам «Новые полупроводниковые материалы». - Ch.: Cartea Moldovenească, 1964. - Р. 158-164.
  51. Радауцан, С. И., Мановеч, Л. М., Маркус, М. М. Термические и рентгенографические исследования сплавов системы AgInTe2-In2Te3 // Изв. АН МССР. Сер. Естеств.-техн. наук. - 1964. - Nr. 11. - P. 120-125.
  52. Синтез сложных полупроводниковых фаз и их химический анализ / У. С. Ляликов, С. И. Радауцан, Л. С. Копанская, И. П. Молдодян // Вестник АН СССР. - 1964. - Nr. 9. - P. 75-78.
  53. Физико-химические свойства некоторых сплавов системы индий-селен-теллур-кадмий / О. П. Дерид, С. И. Радауцан, В. М. Миргородский, М. М. Маркус // Изв. АН СССР. Сер. Физическая. - 1964. - Vol. 28, Nr. 6. - P. 1053.
  54. 1965
  55. Solubility fields in some systems on the base of the A2IIIB3VI defective compounds / S. I. Radautsan, E. I. Gavrilitsa, O. P. Derid, ... // XX-th International Congr. оf pure and applied Chemistry (IUPAC), Moscow, 12-18 july, 1965. - Moscow, 1965. - P. 10.
  56. Zum Strumechanismus von stromtrogern in Telluridotiertem-Gallium-Phosphid / D. N. Nasledov, V. V. Negreskul, S. I. Radautsan, S. V. Slobodcikov // Phys. Status Solidi. - 1965. - Nr. 10. - P. 37.
  57. Вальковская, М. И., Негрескул, В. В., Радауцан, С. И. Исследование анизотропии механических свойств на плоскостях (111) и (111) монокристаллов фосфида галлия // Phys. Status Solidi. - 1965. - Vol. 8, Nr. 2. - P. 625-631.
  58. Гаврилика, Е. И., Маркус, М. М., Радауцан, С. И. О гомогенных фазах в системе ртуть-индий-селен // Материалы докл. первой науч.-техн. конф. КПИ. - Ch., 1965. - P. 69.
  59. Дерид, О. П., Радауцан, С. И. Диаграмма состояния сплавов системы In2Te3-In2Se3 // Материалы докл. первой науч.-техн. конф. КПИ. - Ch., 1965. - P. 68.
  60. Житарь, В. Ф., Горюнова, Н. А., Радауцан, С. И. Выращивание монокристаллов из газовой фазы в системе цинк-индий-сера // Симпозиум «Процессы синтеза и роста кристаллов и пленок полупроводниковых материалов»: Тез. докл. - Новосибирск, 1965. - P. 9-10.
  61. Житарь, В. Ф., Горюнова, Н. А., Радауцан, С. И. Изучение сплавов некоторых разрезов четверной системы цинк-индий-мышьяк-сера // Изв. АН МССР. - 1965. - Nr. 2. - P. 9-14.
  62. Исследование системы Cu2GeSe3-Ga2Se3 / С. И. Радауцан, Р. А. Маслянко, Ф. Г. Доника, В. И. Бобров // Материалы докл. первой науч.-техн. конф. КПИ. - Ch., 1965. - P. 71-72.
  63. Кишиневский Политехнический Институт. Научно-техническая конференция, 1-я: Материалы докладов / гл. ред.: С. И. Радауцан. - Сh.: Cartea Moldovenească, 1965. - 169 p.
  64. Негрескул, В. В., Радауцан, С. И., Слободчиков, С. В. О фотопроводимости в фосфиде галлия n-типа // Изв. АН МССР. - 1965. - Nr. 2. - P. 15.
  65. Осцилляции фотопроводимости в GaP / Д. Н. Наследов, В. В. Негрескул, С. И. Радауцан, С. В. Слободчиков // Физика твердого тела. - 1965. - Nr. 7. - P. 3671.
  66. Пышкин, С. Л., Радауцан, С. И. Влияние некоторых технологических факторов на качество монокристаллов фосфида галлия, выращенных из раствора-расплава // Симпозиум «Процессы синтеза и роста кристаллов и пленок полупроводниковых материалов»: Тез. докл. - Новосибирск, 1965. - P. 30-31.
  67. 1966
  68. Some photo-dielectric and luminescent properties of new semiconducting single crystals of the Zn3In2S6 phase / V. F. Zitar, Y. Oksman, S. I. Radautsan, V. N. Smirnov // Phys. Status Solidi. - 1966. - Vol. 15, Nr. 2. - P. K105-K108.
  69. Бобров, В. И., Молодян, И. П., Радауцан, С. И. Исследование фазовой диаграммы системы (InSb)x-(InTe)1-x // Материалы докл. 2-й науч.-техн. конф. КПИ. - Ch., 1966. - P. 144.
  70. Влияние примесей и условий кристаллизации на рост пластинчатых кристаллов фосфида галлия / С. Л. Пышкин, А. С. Боршевский, С. И. Радауцан, ... // VII Междунар. конгр. и симпозиум по росту кристаллов: Тез. докл. - М, 1966. - P. 240.
  71. Радауцан, С. И. Исследование дефектных алмазоподобных полупроводников: Дисс. … докт. техн. наук. - Л., 1966. - 393 p. Защищена в Ленинград. Политехн. Ин-те 17.06.66; утв. 17.12.66.
  72. Радауцан, С. И. Исследование дефектных алмазоподобных полупроводников: Автореф. дисс. … докт. техн. наук. - Л.: Ленинград. Политехн. Ин-т, 1966. - 30 p.
  73. Радауцан, С. И. Исследование дефектных алмазоподобных полупроводников и перспективы их применения // Материалы докл. 2-й науч.-техн. конф. КПИ. - Ch., 1966. - P. 128-130.
  74. Фотодиэлектрические и люминесцентные свойства тройных сульфидов цинка и индия / В. Ф. Житарь, Я. А. Оксман, С. И. Радауцан, В. Н. Смирнов // Материалы докл. 2-й науч.-техн. конф. КПИ. - Ch., 1966. - P. 138-139.
  75. Фотолюминесцентные и люминесцентные свойства тройных сульфидов цинка и индия / В. Ф. Житарь, Я. А. Оксман, С. И. Радауцан, В. Н. Смирнов // Материалы докл. 2-й науч.-техн. конф. КПИ. - Ch., 1966. - P. 123-124.
  76. Эффективная масса электронов в кристаллах (InSb)x-(InTe)1-x / И. П. Молодян, Д. Н. Наследов, С. И. Радауцан, В. Г. Сидоров // Phys. Status Solidi. - 1965. - Vol. 18. - P. 647.
  77. 1967
  78. Rădăuţan, S. Veac al tehnicii: [despre Institutul Politehnic] // Cultura. - 1967. - 6 mai. - P. 8.
  79. Бобров, В. И., Ланге, В. Н., Радауцан, С. И. Исследование некоторых разрезов тройной системы InAsTe // Тез. докл. симпозиума по химической связи в полупроводниках. - Минск, 1967. - P. 55-56.
  80. Бобров, В. И., Ланге, В. Н., Радауцан, С. И. Поверхность ликвидуса тройной системы In-As-Te // Материалы докл. 3-й науч.-техн. конф. КПИ. - Ch., 1967. - P. 106.
  81. Гаврилица, Е. И., Радауцан, С. И. Влияние упорядочение на свойства твердых растворов в системе (HgSe)3x-(In2Se3)1-x // Phys. Status Solidi. - 1967. - Vol. 19. - P. 609.
  82. Исследование структуры и некоторых свойств сплавов на основе In2S3 и сульфидов цинка и кадмия / С. И. Радауцан, В. Ф. Житарь, В. Е. Тэзлэван, Ф. Г. Доника // Тез. докл. симпозиума по химической связи в полупроводниках. - Минск, 1967. - P. 55-56.
  83. Кишиневский Политехнический Институт. Научно-техническая конференция, 3-я: Материалы докладов / гл. ред.: С. И. Радауцан. - Сh., 1967. - 282 p.
  84. Котрубенко, Б. П., Ланге, В. Н., Радауцан, С. И. Гемогенные твердые растворы на основе InAs в тройной системе In-As-Te // Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1967. - Nr. 8. - P. 60-61.
  85. Кристаллическая структура Zn3In2S6 / Ф. Г. Доника, Г. А. Киоссе, С. И. Радауцан, ... // Кристаллография. - 1967. - Vol. 12, Nr. 5. - P. 854-859.
  86. Молодян, И. П., Наследов, Д. Н., Радауцан, С. И. Электрические свойства кристаллов системы (InSb)x-(InTe)1-x // Физические свойства полупроводников АIIIBV и АIIIBVI. - Баку: АН Азерб. ССР, 1967. - Р. 254-260.
  87. Оптические свойства некоторых сплавов тройной системы цинк-индий-сера / А. М. Андриеш, В. Ф. Житарь, И. Н. Лерман, С. И. Радауцан, В. В. Соболев // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. - 1967. - Vol. 3, Nr. 10. - P. 1812-1816.
  88. Пышкин, С. Л., Слободчиков, С. В., Радауцан, С. И. Некоторые электрические и фотоэлектрические свойства фосфида галлия, активированного лантаном, самарием и гадолинием // Материалы докл. 3-й науч.-техн. конф. КПИ. - Ch., 1967. - P. 138-141.
  89. Пышкин, С. Л., Радауцан, С. И., Слободчиков, С. В. Электрические свойства фосфида галлия, активированного элементами лантаноидной группы // Физика и техника полупроводников. - 1967. - Vol. 1, Nr. 7. - P. 1013-1016.
  90. Радауцан, С. И., Дерид, О. П. Диаграмма состояния псевдобинарной системы // Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. наук. - 1967. - Nr. 8. - P. 62-64.
  91. Радауцан, С. И. Некоторые вопросы материаловедения дефектных алмазоподобных фаз. - Ch.: Cartea Moldovenească, 1967. - 11 p. - (КПИ)
  92. Радауцан, С. И. Расширять связи вузов: (КПИ с НИИ) // Вестник высшей школы. - 1967. - Nr. 4. - P. 28-29.
  93. Спектры фотолюминесценции и отражения чистых и примесных монокристаллов фосфида галлия / С. Г. Кройтору, С. Л. Пышкин, С. И. Радауцан, В. В. Соболев // Материалы докл. 3-й науч.-техн. конф. КПИ. - Ch., 1967. - P. 135.
  94. Электрические и оптические свойства кристаллов (Hg3Se3) 0,75 (Sn2Se3) 0,25 / Е. И. Гаврилица, Ф. П. Кесаманлы, С. И. Радауцан, У. И. Иванов // Оптические и механические свойства полупроводников и диэлектриков / АН МССР. Ин-т прикладной физики. - 1967. - Р. 45-49.
  95. Электрические свойства легированных кристаллов фосфида галлия / Д. Н. Наследов, В. В. Негрескул, С. И. Радауцан, С. В. Слободчиков // Физические свойства полупроводников АIIIBV и АIIIBVI. - Баку: АН Азерб. ССР, 1967. - Р. 331-337.
  96. 1968
  97. Rădăuţan, S. I. Cadenţa progresului // Chişinău. Gazeta de sară. - 1968. - 27 iunie.
  98. Rădăuţan, S. Făuritorilor de idealuri: [despre 50 de ani ai comsomolului] // Cultura. - 1968. - 19 oct. - P. 2.
  99. Влияние примесей и условий кристаллизации на рост пластинчатых кристаллов фосфида галлия / Н. А. Горюнова, С. Л. Пышкин, А. С. Боршевский, С. И. Радауцан, ... // Рост кристаллов. Т. 8. - М.: Наука, 1968. - Р. 84-89.
  100. Дерид, О. П., Гаврилика, Е. И., Радауцан, С. И. Электрические свойства твердых растворов системы In2Te3-In2Se3 // Исследования по полупроводникам / Ин-т прикладной физики АН МССР. - 1968. - P. 22-27.
  101. Житарь, В. Ф., Ланге, Т. И., Радауцан, С. И. Выявление дислокации в пластинчатых кристаллах ZnIn2SO4 // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. - 1968. - Vol. 4, Nr. 10. - P. 1810-1812.
  102. Житарь, В. Ф., Оксман, А. А., Радауцан, С. И. О фотодиэлектрических и люминесцентных свойствах тройных сульфидов цинка и индия // Исследования по полупроводникам / Ин-т прикладной физики АН МССР. - 1968. - P. 28-39.
  103. Задачи и пути развития аналитической химии полупроводниковых материалов / Н. А. Горюнова, С. И. Радауцан, Л. С. Копанская, У. С. Ляликов // Анализ полупроводниковых материалов: Труды комиссии по аналитической химии. Т. XVI. - М.: Наука, 1968.
  104. Исследования по полупроводникам / ред. колл.: Д. Н. Наследов, Н. А. Горюнова, С. И. Радауцан, …; АН МССР, Ин-т прикладной физики. - Ch.: Cartea Moldovenească, 1968. - 156 p.
  105. Исследование структуры и некоторых физических свойств системы (Cd3)3x-(Ga2S3)1-x / Ф. Г. Доника, В. Ф. Житарь, С. И. Радауцан, … // Труды / Кишинев. Политехн. Ин-т. Вып. 12. Сложные полупроводниковые материалы. - 1968. - Р. 3-10.
  106. Кишиневский Политехнический Институт им. С. Лазо. Научно-техническая конференция, 4-я, Кишинев, 1967: Материалы докладов / гл. ред.: С. И. Радауцан, … - Ch., 1968. - 408 p.
  107. Мадан, И. А., Радауцан, С. И. Некоторые фазы в тройных системах In-P-Se и In-P-S // Материалы докл. 4-й науч.-техн. конф. КПИ. - Ch., 1968. - Р. 173.
  108. Максимова, О. Г., Радауцан, С. И. О новых «промежуточных» соединениях типа A4-1B-VIC5VI // Труды / Кишинев. Политехн. Ин-т. Вып. 12. Сложные полупроводниковые материалы. - 1968. - Р. 32-34.
  109. Некоторые особенности разрушения фосфида галлия под воздействием электронного, лазерного луча и искрового разряда / А. Е. Гитлевич, Т. И. Ланге, Ю. И. Максимов, С. И. Радауцан // Труды / Кишинев. Политехн. Ин-т. Вып. 12. Сложные полупроводниковые материалы. - 1968. - Р. 72-75.
  110. Радауцан, С. И., Тэзлэван, В. Е. Некоторые физико-химические свойства монокристаллов твердых растворов // Материалы докл. 4-й науч.-техн. конф. КПИ. - Ch., 1968. - Р. 185-186.
  111. Спектры отражения и фотолюминесценция кристаллов фосфида галлия / С. Г. Кройтору, С. Л. Пышкин, С. И. Радауцан, В. В. Соболев // Оптика и спектроско-пия. - 1968. - Vol. 25, Nr. 3. - P. 382-386.
  112. Твердые растворы на основе In3SbTe2 в системе In-Sb-Te-Se / В. Е. Бобров, П. Ф. Бурлаку, Ф. Г. Доника, И. П. Молодян, С. И. Радауцан // Материалы докл. 4-й науч.-техн. конф. КПИ. - Ch., 1968. - Р. 160-161.
  113. 1969
  114. Бобров, В. И., Ланге, В. Н., Радауцан, С. И. Исследование некоторых разрезов тройной системы In-As-Te // Хим. связь в полупроводниках. - Минск: Наука и техн., 1969. - P. 248-254.
  115. Кишиневский Политехнический Институт. Научно-техническая конференция, 5-я, Кишинев, 1968: Материалы докладов / гл. ред.: С. И. Радауцан. - Ch., 1969. - 316 p.
  116. Люминесценция некоторых сложных полупроводниковых соединений при различных способах оптического возбуждения / И. А. Дамаскин, В. Ф. Житарь, И. Г. Мустя, С. Л. Пышкин, С. И. Радауцан, В. Е. Тэзлэван // Материалы докл. 5-й науч.-техн. конф. КПИ. - Ch., 1969. - Р. 120.
  117. Молодян, И. П., Радауцан, С. И., Старуш, Т. Г. О получении направленных электрических фаз на основе InSb // Материалы докл. 5-й науч.-техн. конф. КПИ. - Ch., 1969. - Р. 147.
  118. Некоторые нелинейные оптические эффекты в фосфиде галлия / В. М. Ашкинадзе, А. И. Бобрушева, Е. В. Витиу, С. И. Радауцан // Труды IX Междунар. конф. по физике полупроводников, 1968. Т. 1. - Л.: Наука, 1969. - Р. 200-204.
  119. Новое полупроводниковое соединение Zn2In2S5 в системе InS-In2S3 / И. Г. Мустя, С. И. Радауцан, Ф. Г. Доника, … // Phys. Status Solidi. - 1969. - Nr. 34. - Р. K129.
  120. Новое полупроводниковое соединение в системе InS-In2S3 / И. Г. Мустя, С. И. Радауцан, Ф. Г. Доника, В. Ф. Житарь // Тез. докл. III Всесоюз. симпозиума по полупроводникам сложного состава. - М., 1969. - Р. 11.
  121. О взаимодействии компонент в системе In-In-S / С. И. Радауцан, Ф. Г. Доника, С. А. Семилетов, … // Материалы докл. 5-й науч.-техн. конф. КПИ. - Ch., 1969. - Р. 146.
  122. Радауцан, С. И. Юбиляру - пять лет: [Интервью с ректором Кишиневского политехнического института] // Советская Молдавия. - 1969. - 27 апр.
  123. Тэзлэван, В. Е., Житарь, В. Ф., Радауцан, С. И. Перенос твердых растворов разреза CdS-In2S3 при химических транспортных реакциях // Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1969. - Nr. 3. - P. 23-26.
  124. Фосфид галлия / под ред.: С. И. Радауцан. - Ch.: Red.-izd. otd. AN MSSR, 1969. - 122 p.
  125. 1970
  126. Doublephoton photoconductivity of CdSnP2 / N. A. Gorynova, V. A. Kovalskaya, E. I. Leonov, V. M. Orlov, S. I. Radautsan, ... // Phys. status solidi. - 1970. - A1, Nr 4. - K161-K163.
  127. Polytypism of tenary phases in the system Zn-In-S / S. I. Radautsan, F. G. Donika, D. A. Kyosse, I. G. Mustya // Phys. Status Solidi. - 1970. - Vol. 37, Nr. 2. - K123-K127.
  128. Radautsan, S. Defective diamond-like semiconductors as intermediate phases between crystalline and vitreous states // J. Non-Cryst. Solids (Amsterdam). - 1970. - Vol. 4. - P. 370-377.
  129. Radautsan, S. I., Tsurcan, A. E. Some properties of recombination radiation in p-n- junctions of ZnTe // Phys. status solidi. - 1970. - A1, Nr. 3. - P. 545-550.
  130. Rădăuţan, S. I. Primul cincinal al politehnicii: [Interviu cu rectorul Inst. politeh. “S.Lazo” din Chişinău] // Tinerimea Moldovei. - 1970. - 16 ianuarie.
  131. Исследование сложных полупроводников / редкол.: С. И. Радауцан, …- Ch.: Red.-izd. otd. AN MSSR, 1970. - 292 p.
  132. Кишиневский политехнический институт им. С. Лазо. Науч.-техн. конференция , 6-я, Кишинев, 7-11 апреля 1969 / редкол.: С. И. Радауцан (гл. ред.), … - Ch., 1970. - 447 p.
  133. Кристаллическая структура политипной формы ZnIn2S4 / И. Г. Мустя, Ф. Г. Доника, С. И. Радауцан, … // Кристаллография. - 1970. - Nr. 15. - P. 4.
  134. Люминесценция монокристаллов системы ZnS-In2S3 / И. Г. Мустя, С. И. Радауцан, И. А. Дамаскин,… // Физика и техника полупроводников. - 1970. - Nr. 4. - P. 10.
  135. Негрескул, В. В., Радауцан, С. И., Слободчиков, С. В. Примесная фотопроводимость в фосфиде галлия // Полупроводниковые соединения и их твердые растворы. - Ch., 1970. - Р. 93-98.
  136. О фазовом равновесии в системе индий-сурьма-теллур / В. И. Бобров, Н. Н. Горелова, В. Н. Ланге, И. П. Молодян, М. М. Маркус, С. И. Радауцан // Полупроводниковые соединения и их твердые растворы. - Ch., 1970. - Р. 167-174.
  137. Полупроводниковые соединения и их твердые растворы / редкол.: С. И. Радауцан, …; Кишинев. политехн. ин-т. - Ch., 1970. - 228 р.
  138. Получение и исследование тонких слоев фосфида галлия / С. И. Радауцан, А. Е. Цуркан, Ю. И. Максимов, П. О. Барабтарло // Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1970. - Nr. 3. - P. 82-85.
  139. Радауцан, С. И., Ляликова, Р. У., Маслянко, Р. А. Некоторые свойства стеклообразных полупроводников на основе P2Se3 // V Всесоюзный симпозиум по стеклообразным халькогенидным полупроводникам. - Ленинград, 1970.
  140. 1971
  141. Кишиневский политехнический институт им. С. Лазо. Науч.-техн. конференция , 7-я, Кишинев, 1971: Материалы докладов / гл. ред.: С. И. Радауцан. - Ch., 1971. - 434 p.
  142. Кристаллическая структура двухпакетного политипа ZnIn2S4 (II) и уточнение структуры трехпакетного политипа ZnIn2S4 (III) / И. Г. Мустя, Ф. Г. Доника, С. И. Радауцан,… // Кристаллография. - 1971. - Vol. 16. - Fasc. 1.
  143. Миргородский, В. М., Радауцан, С. И., Джафаров, З. Исследование теплопроводности сплавов (AgInTe2)3x- (In2Te3)2(1-x) // Термоэлектрические материалы и методы их исследования: Тез. докл. Всесоюз. совещания. - Ch., 1971. - Р. 84.
  144. Некоторые фотоэлектрические свойства тонких слоев CdIn2S4 / C. И. Радауцан, В. Ф. Житарь, В. А. Райлян, В. Е. Тэзлэван // Материалы докл. 7-й науч.-техн. конф. КПИ. - Ch., 1971. - Р. 164-165.
  145. Радауцан, С. И., Доника, Ф. Г., Мустя, И. Г. Выращивание монокристаллов некоторых политипов тройных полупроводниковых фаз разреза ZnS-In2S3 // Тез. докл. III Международной конф. по росту кристаллов, Марсель (Франция), 1971.
  146. Радауцан, С. И. Инженеры 1975-го: [О подготовке специалистов с высшим образованием в КПИ] // Правда. - 1971. - 27 martie.
  147. Радауцан, С. И., Цуркан, А. Е., Максимова, О. Г. Кристаллизация сплавов системы ZnxGa1-xTe c применением изотермического выдерживания // Изв. АН МССР. Сер. физ-техн. и матем. наук. - 1971. - Nr. 3. - P. 43-46.
  148. Радауцан, С. И., Цуркан, А. Е., Максимова, О. Г. Некоторые электрические и оптические свойства монокристаллов твердых растворов системы ZnxСd1-xTe // Сложные полупроводники и их физические свойства. - Ch.: Ştiinţa, 1971. - P. 12-25.
  149. Радауцан, С. И., Тэзлэван, В. Е., Житарь, В. Ф. Некоторые электрические и фотоэлектрические свойства монокристаллов разреза CdS-In2S3 // Сложные полупроводники и их физические свойства. - Ch.: Ştiinţa, 1971. - P. 59-65.
  150. Родо, М. Полупроводниковые материалы / пер. с франц. Р. С. Коротковой; под ред.: С. И. Радауцан. - М.: Металлургия, 1971. - 230 р.
  151. Сложные полупроводники и их физические свойства / редкол.: С. И. Радауцан (гл. ред.), … - Ch.: Ştiinţa, 1971. - 172 p.
  152. Спектры фотопроводимости монокристаллов CdGa2S4 / C. И. Радауцан, В. Ф. Житарь, И. Г. Косничaн, М. И. Шмиглюк // Физика и техника полупроводников. - 1971. - Vol. 1, Nr. 11. - P. 2240-2242.
  153. Спектры поглощения и фотопроводимости нового полупроводникового соединения Zn2Sn2S5 / C. И. Радауцан, А. М. Андриеш, И. Г. Мустя, Ф. Г. Доника // Физика и техника полупроводников. - 1971. - Vol. 5, Nr. 3. - P. 578-580.
  154. Фотопроводимость монокристаллов системы InS-In2S3 при возбуждений гигантскими импульсами света / И. А. Дамаскин, И. Г. Мустя, С. Л. Пышкин, C. И. Радауцан // Материалы докл. 7-й науч.-техн. конф. КПИ. - Ch., 1971. - Р. 170.
  155. Эпитаксиальный рост тонких слоев разреза CdS-In2S3 / В. Ф. Житарь, С. И. Радауцан, В. А. Райлян, ... // Изв. АН МССР. Сер. физ-техн. и матем. наук. - 1971. - Nr. 2. - P. 74-76.
  156. 1972
  157. Koval, L. S., Arushanov, E. K., Radautsan, S. I. Effective mass of electrons in CdIn2Se4-CdIn2Te4 solid solutions // Phys. Status Solidi. - 1972. - Vol. 9, Nr. 1. - P. K73-K75.
  158. Optical and photoelectrical properties of CdIn2S4 / S. I. Radautsan, I. P. Molodyan, N. N. Syrbu, ... // Phys. Status Solidi. - 1972. - Vol. 49, Nr. 2. - P. K175-K179.
  159. Optical properties of the two modification of CdIn2Se4 / L. S. Koval, M. M. Markus, S. I. Radautsan, ... // Phys. Status Solidi. - 1972. - Vol. 49, Nr. 1. - P. K69-K72.
  160. Radautsan, S. I., Donica, F. G., Moustia, I. G. Croissance de certains polytypes des phases ternaires semiconductrices du systeme zinc-indium-soufre a partir de la phase gazeuse // J. Cryst. Growth. - 1972. - Nr. 13-14. - P. 385-388.
  161. Исследование системы 3AgInTe2-2In2Te3 методом измерения электропроводности / В. М. Миргородский, Г. Ф. Губская, Т. И. Меншикова, С. И. Радауцан // Тез. докл. Всесоюз. конф. по физ.-хим. анализу полупроводниковых материалов. - Баку, 1972. - Р. 39.
  162. Кишиневский политехнический институт им. С. Лазо. Науч.-техн. конференция , 8-я, Кишинев, 1972: Материалы докладов / редкол.: С. И. Радауцан (гл. ред.), … - Ch., 1972. - 323 p.
  163. Люминесценция монокристаллов CaP:Bi при двухфотонном возбуждений / Д. П. Дворников, Ю. И. Максимов, С. Л. Пышкин, С. И. Радауцан // Физика и техника полупроводников. - 1972. - Vol. 6, Nr. 1. - P. 64-67.
  164. Максимов, Ю. И., Пышкин, С. Л., Радауцан, С. И. Спектры и кинетика излучения связанных экситонов в кристаллах фосфида галлия, легированных азотом, при двухфотонном возбуждений // Оптика и спектроскопия. - 1972. - Vol. 33, Nr. 1. - P. 100-106.
  165. Максимова, О. Г., Радауцан, С. И., Цуркан, А. Е. Влияние легирования на пластические характеристики монокристаллов теллурида цинка // Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1972. - Nr. 2. - P. 52-55.
  166. Недзвецкий, Д. К., Радауцан, С. И., Максимов, Ю. И. Излучательная рекомбинация с участием изоэлектронных центров в фосфиде галлия, легированном сурьмой // Физика твердого тела. - 1972. - Vol. 14, Nr. 2. - P. 643-645.
  167. Некоторые фотоэлектрические свойства CdGa2 Se4 / В. Г. Тырзиу, В. Ф. Житарь, С. И. Радауцан, ... // Материалы конференции по аморфным, жидким и стеклообразным полупроводникам. Ч.: 1. - София, 1972. - P. 69.
  168. Оптические свойства твердых растворов на основе CаIn2S4 / С. И. Радауцан, Н. Н. Сырбу, В. Е. Тэзлэван, Е. Е. Струмбан // Материалы докл. 8-й науч.-техн. конф. КПИ. - Ch., 1972. - Р. 123.
  169. Радауцан, С. И., Маркус, М. М., Чуйко, Г. П. Исследование кинетических эффектов в арсениде кадмия // Тез. докл. III Всесоюз. симпоз. по полуметаллам и полупроводникам с малой шириной запрещ. зоны. - Львов, 1972.
  170. Радауцан, С. И., Цуркан, А. Е., Максимова, О. Г. Механизм протекания тока в резких p-n- структурах на основе ZnxCd1-xTe // Материалы докл. 8-й науч.-техн. конф. КПИ. - Ch., 1972. - Р. 131.
  171. Радауцан, С. И., Цуркан, А. Е., Верлан, В. И. Направление роста чистых и легированных монокристаллов теллурида цинка // Тез. докл. III Симпозиума по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов. - Новосибирск, 1972.
  172. Радауцан, С. И., Максимов, Ю. И. Особенности роста нитевидных кристаллов фосфида галлия // IV Всесоюз. совещ. по росту кристаллов, Цахкадзор, 1972. Выращивание кристаллов и их структура. Ч.: 1 - Ереван: АН АрмССР, 1972. - P. 59-62.
  173. Радауцан, С. И., Цуркан, А. Е. Теллурид цинка. - Ch.: Ştiinţa, 1972. - 204 p.
  174. Радауцан, С. И., Арушанов, Е. К., Коваль, Л. С. Температурная зависимость коэффициента Холла и термо-е.д.с в твердых растворах системы CdIn2Te4-CdIn2Se4 // Тройные полупроводники AIIBIVC2V и AIIB2IIIC4VI. - Ch., 1972. - P. 217-220.
  175. Радауцан, С. И., Коваль, Л. С., Арушанов, Е. К. Электрические свойства твердых растворов CdIn2Se4-CdIn2Te4 // Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1972. - Nr. 2. - P. 55-59.
  176. Релаксация фотопроводимости в монокристаллах Zn2In2S3 / А. М. Андриеш, И. A. Дамаскин, И. Г. Мустя, М. А. Попа, С. Л. Пышкин, С. И. Радауцан, С. Д. Шутов // Физика и техника полупроводников. - 1972. - Vol. 6, Nr. 3. - P. 529-532.
  177. Спектры отражения кристаллов системы CdIn2Sе4- CdIn2Те4 / С. И. Радауцан, Л. С. Коваль, В. В. Соболев, Н. Н. Сырбу // Тройные полупроводники AIIBIVC2V и AIIB2IIIC4VI. - Ch., 1972. - P. 230-233.
  178. Тройные полупроводники AIIBIVC2V и AIIB2IIIC4VI. Физико-химические и физические свойства: Сб. статей / редкол.: С. И. Радауцан (гл. ред.), …; Кишинев. Политехн. Ин-т. - Ch.: Ştiinţa, 1972. - 295 p.
  179. Фотопроводимость CdIn3S4 при лазерном возбуждении / И. А. Дамаскин, С. Л. Пышкин, С. И. Радауцан, В. Е. Тэзлэван // Тройные полупроводники AIIBIVC2V и AIIB2IIIC4VI. - Ch., 1972. - P. 222-225.
  180. Фотопроводимость кристаллов CdIn2Se4xTe4(1-x) / С. И. Радауцан, В. В. Соболев, Л. С. Коваль, С. Н. Шестацкий // Материалы докл. 8-й науч.-техн. конф. КПИ. - Ch., 1972. - Р. 124.
  181. Фотопроводимость монокристаллов CdSnP2 при высоких уровнях оптического возбуждения / Н. А. Горюнова, В. А. Ковальская, Е. У. Леонов, С. Л. Пышкин, С. И. Радауцан, Н. А. Фердман // Тройные полупроводники AIIBIVC2V и AIIB2IIIC4VI. - Ch., 1972. - P. 115-117.
  182. 1973
  183. Edge absorption of CdIn2S4 single crystals in the region of indirect transitions / S. I. Radautsan, N. N. Syrbu, V. E. Tezlevan, ... // Phys. Status Solidi. - 1973. - Vol. 57, Nr. 2. - P. K93-K97.
  184. Multi-quantum photoconductivity in CdIn2S4 / I. A. Damaskin, S. L. Pâshkin, S. I. Radautsan, V. E. Tezlevan // Optoelectron. - 1973. - Vol. 5, Nr. 5. - P. 405-410.
  185. Optical and photoelectrical properties and band structure of single cristals of solid solutions of the system (CdS)3x-(In2S3)1-x / S. I. Radautsan, N. N. Syrbu, V. E. Tezlevan, ... // Phys. Status Solidi. - 1973. - Vol. 15, Nr. 1. - P. 295-302.
  186. Optical spectra and electroabsorption of CdPa and CdP4 single cristals / S. I. Radautsan, N. N. Syrbu, V. E. Tezlevan, I. V. Chumak // Phys. Status Solidi. - 1973. - Vol. 60, Nr. 1. - P. 415-425.
  187. Radautsan, S. I., Arushanov, E. K., Chuiko, G. P. The conduction band of cadmium arsenide // Phys. Status Solidi. - 1973. - Vol. 20, Nr. 1. - P. 221-226.
  188. Rădăuţan, S. I. Şcoala superioară: noi orizonturi: (Expozeu al cuvîntării lui S. I. Rădăuţan rostită la consfătuirea unională a lucrătorilor institutului de învăţământ superior) // Cultura. - 1973. - 3 febr. - P.6.
  189. The density-of-States effective electron mass in cadmium phosphide / S. I. Radautsan, E. K. Arushanov, A. N. Nateprov, L. S. Marushuak // Phys. Status Solidi. - 1973. - Vol. 19, Nr. 1. - P. K71-K73.
  190. Анизотропия фотопроводимости монокристаллов соединения Zn2In2S5 / С. И. Радауцан, А. М. Андриеш, Д. В. Гицу, ... // Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1973. - Nr. 2. - P. 49-52.
  191. Аномальное смещение полосы люминесценции в некоторых полупроводниках / И. А. Дамаскин, С. Л. Пышкин, С. И. Радауцан, В. Е. Тэзлэван // Письма в ЖЭТФ. - 1973. - Vol. 18, Nr. 4. - P. 239-242.
  192. Влияние электрического поля на край оптического поглощения некоторых сложных кристаллов / С. И. Радауцан, Н. Н. Сырбу, К. Ф. Шербан, И. В. Чумак // Материалы докл. 9-й науч.-техн. конф. КПИ. - Ch., 1973. - Р. 130.
  193. Выращивание монокристаллов и физико-химические свойства CdCr2Se4 / С. И. Радауцан, Ф. Г. Доника, Л. С. Коваль, … // Материалы докл. 9-й науч.-техн. конф. КПИ. - Ch., 1973. - Р. 103.
  194. Изучение анизотропии механических свойств пластинчатых кристаллов твердых растворов системы 2nxCd1-xTe / М. И. Вальковская, О. Г. Максимова, С. И. Радауцан, А. Е. Цуркан // Физические свойства сложных полупроводников. - Ch.: Ştiinţa, 1973. - P. 92-97.
  195. Исследование системы Sb2Se3-Sb2Se3-Bi2S3 / Л. Г. Грибняк, М. М. Маркус, С. И. Радауцан, А. Б. Станчу // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. - 1973. - Nr. 9. - P. 1533-1536.
  196. Кишиневский политехнический институт им. С. Лазо. Научно-техническая конференция , 9-я, Кишинев, 1973: Материалы докладов / редкол.: С. И. Радауцан (гл. ред.), … - Ch., 1973. - 395 p.
  197. Люминесцентное смещение полосы люминесценции в некоторых полупроводниках / И. А. Дамаскин, С. Л. Пышкин, С. И. Радауцан, В. Е. Тэзлэван // Письма в ЖЭТФ. - 1973. - Vol. 18, Nr. 4. - P. 239.
  198. Миргородский, В. М., Радауцан, С. И., Житарь, В. Ф. Некоторые свойства фазы AgIn3Te8 // Физическая электроника. - 1973. - Fasc. 6. - P. 69.
  199. Оптические свойства монокристаллов твердых растворов на основе AgIn5S8 / С. И. Радауцан, Н. Н. Сырбу, К. Ф. Шербан, В. Е. Тэзлэван // Физические свойства сложных полупроводников. - Ch.: Ştiinţa, 1973. - P. 114-122.
  200. Особенности морфологии роста и свойства нитевидных кристаллов фосфида кадмия и галлия / Е. К. Арушанов, Ю. И. Максимов, С. И. Радауцан, ... // Материалы докл. VI науч. конф. по физике, Варна (БНР). - 1973.
  201. Полупроводниковые приборы и материалы: сб. статей / Редкол.: С. И. Радауцан (гл. ред.), ... / Кишиневский политехн. ин-т им. С. Лазо. - Ch.: Ştiinţa, 1973. - 124 p.
  202. Получение омических и выпрямляющих контактов металл-проводник мнтодом электро-химического осаждения / В. Е. Тэзлэван, С. В. Булярский, С. И. Радауцан, ... // Электронная обработка материалов. - 1973. - Nr. 1. - P. 87.
  203. Радауцан, С. И., Житарь, В. Ф., Райлян, В. А. Длинноволновый край поглощения монокристаллов CdGa2Se4 // Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1973. - Nr. 3. - P. 46-52.
  204. Радауцан, С. И., Житарь, В. Ф., Миргородский, В. М. Некоторые свойства фазы AgIn5-Te8 // Физическая электроника: Респ. межвед. науч.-техн. сб. - 1973. -Nr. 6. - P. 69-71.
  205. Радауцан, С. И., Житарь, В. Ф., Дону, В. С. Осцилляции тока в монокристаллах системы ZnS-In2S3 // Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1973. - Nr. 2. - P. 80-81.
  206. Радауцан, С. И. Речь ректора Кишиневского политехнического института им. С. Лазо на совещании работников высших учебных заведений // Вестн. Высшей школы. - 1973. - Nr. 3. - P. 31-32.
  207. Рекомбинационная неустойчивость в S-диодах на фосфиде индия / С. В. Слободчиков, С. И. Радауцан, И. П. Молодян, Е. В. Руссу // Полупроводниковые приборы и материалы. - Ch.: Ştiinţa, 1973. - P. 71-74.
  208. Физические свойства сложных полупроводников: сб. Статей / редкол.: С. И. Радауцан (гл. ред.), … - Ch.: Ştiinţa, 1973. - 218 р.
  209. Эффект переключения в плоскостных контактах металл - In2S4 и CdIn2S4 / С. В. Булярский, Г. С. Коротченков, И. П. Молодян, С. И. Радауцан, В. Е. Тэзлэван // Полупроводниковые приборы и материалы. - Ch.: Ştiinţa, 1973. - P. 86-88.
  210. 1974
  211. Photoelectrical properties of a AU-CaIn2S4 surfacebarrier diode / S. I. Radautsan, I. P. Molodyan, S. V. Bulyarskii,... // Phys. status solidi (a). - 1974. - Vol. 21, Nr. 2. - P. 617-622.
  212. Radautsan, S. I., Arushanov, E. K., Nateprov, A. N. Non-parabolicity of the conduction band of cadmium phoshide // Phys. status solidi (a). - 1974. - Vol. 23, Nr. 1. - K59-K61.
  213. Radautsan, S. I., Syrbu, N. N., Kiosev, V. K. Optical modelation spectral of CdPa crystals and Ni-CdP2 Schottky barriers // Phys. status solidi (b). - 1974. - Vol. 64, Nr. 2. - P. 459-465.
  214. Some specific features of chalcogenide and tetrahedral glasses containing Ge / N. A. Gorjunova, S. I. Radautsan, G. S. Kuzmenko, R. J. Lialikova // Amorphous and Liquid Semicond. Proc.. 5th Int. Conf., Garmisch-Partenkirchen, 1973. Vol. 1. - London, 1974. - P. 453-456.
  215. The thermoelectric power of cadmium phoshide / S. I. Radautsan, E. K. Arushanov, A. N. Nateprov, D. A. Oleinik // Phys. status solidi (a). - 1974. - Vol. 25, Nr. 1. - K57-K60.
  216. Академии наук СССР – 250 лет / В. А. Андрунакиевич, Б. Р. Лазаренко, С. И. Радауцан, … // Изв. АН МССР. Сер. Физ.-техн. и матем. наук. - 1974. - Nr. 2. - P. 3-28.
  217. Анизотропия оптических и фотоэлектрических свойств монокристаллов CdGa2Se4 и барьеров Шоттки Au-CdGa2Se4 / С. И. Радауцан, Н. Н. Сырбу, В. Е. Тэзлэван, ... // Свойства некоторых новых полупроводниковых материалов и приборов. - Ch., 1974. - P. 3-13.
  218. Выращивание монокристаллов фосфида и арсенида кадмия из паровой фазы / С. И. Радауцан, Е. К. Арушанов, Л. Н. Лукьянова, … // Изв. АН МССР. Серия физ.-техн. и матем. наук. - 1974. - Nr. 2. - P. 57-59.
  219. Гашение фотопроводимости в GaP, легированном германием / А. Ю. Иващенко, С. И. Радауцан, В. Е. Саморухов, … // Физика и техника полупроводников. - 1974. - Vol. 8, Nr. 2. - P. 278-284.
  220. Излучательные характеристики гетеропереходов P-ZnTe-n-InP / С. И. Радауцан, А. Е. Цуркан, В. И. Верлан, Е. В. Руссу // Тез. Всесоюз. конф. по физ. Процессам в гетеропереходах, 1974, Кишинев. - Ch., 1974. - Р. 81.
  221. Изменение химической связи при введении германия в селенид фосфора / Р. Ю. Ляликова, В. Г. Колоскова, Р. А. Маслянко, С. И. Радауцан, … // Тез. докл. V Всесоюз. конф. по хим. связи в полупроводниках и полуметаллах. - Минск, 1974.
  222. Край основного поглощения монокристаллов CdGa2S4 / С. И. Радауцан, В. Ф. Житарь, В. С. Дону, В. А. Райлян // Резюме докладов международного совещания по фотоэлектрическим и оптическим явлениям в твердом теле. - Варна, 1974. - Р. 18.
  223. Люминесценция ферромагнитного полупроводника CdCr2Se4 / В. Г. Веселаго, И. А. Дамаскин, С. Д. Пышкин, С. И. Радауцан, В. Е. Тэзлэван // Письма в ЖЭТФ. - 1974. - Vol. 20, Nr. 5. - Р. 335-338.
  224. О лавинном умножении носителей тока в InP / И. П. Молодян, С. И. Радауцан, Е. В. Руссу, С. В. Слободчиков // Физика и техника полупроводников. - 1974. - Vol. 8, Nr. 7. - Р. 1356-1358.
  225. О некоторых кристаллохимических особенностях сульфидно-индиевых шпинелей / Ф. Г. Донника, С. И. Радауцан, С. А. Семилетов, И. Г. Мустя // Кристаллические структуры неорганических соединений. - Ch., 1974. - Р. 152-154.
  226. Получение и исследование матричных фотоприемников и источников света на основе гетеропереходов в системе AlAS-GaAs / И. П. Молодян, У. В. Попов, С. И. Радауцан, … // Физические процессы в гетеропереходах: Докл. Всес. конф., Кишинев, 30 окт. - 1 нояб. 1974. - Ch., 1974. - Р. 86.
  227. Получение и исследование монокристаллов магнитного полупроводника CdCr2Se4 / C. И. Радауцан, И. П. Молодян, Л. С. Коваль, Г. С. Кузьменко // Тезисы докл. Х науч.-техн. конф. КПИ. - Ch.: Ştiinţa, 1974. - P. 117-121.
  228. Радауцан, С. И., Арушанов, Е. К., Чуйко, Г. П. Арсенид кадмия // Информ. сообщение № 2. - Ch.: Ştiinţa, 1974.
  229. Радауцан, С. И. Исследование сложных полупроводниковых материалов в Молдавской ССР // Успехи физических наук. - 1974. - Vol. 113, Nr. 2. - Р. 337-340.
  230. Радауцан, С. И. Оптические свойства фоточувствительных слоев на основе селенида фосфора // Тезисы Всес. совещания по бессеребряной фотографии. - Киев, 1974.
  231. Рассеяние носителей заряда в фосфиде и арсениде кадмия / Е. К. Арушанов, А. Н. Натепров, С. И. Радауцан, Г. П. Чуйко // Тез. докл. V Всесоюз. конф. по хим. связи в полупроводниках и полуметаллах. - Минск, 1974.
  232. Свойства некоторых новых полупроводниковых материалов и приборов: Сб. статей / редкол.: С. И. Радауцан (гл. ред.), …. - Ch.: Ştiinţa, 1974. - 83 р.
  233. Спектры фотопроводимости монокристаллов TlSbS2 / В. Ф. Житарь, Н. С. Попович, Д. В. Гицу, С. И. Радауцан // Физика и техника полупроводников. - 1974. - Vol. 8, Nr. 5. - Р. 996-997.
  234. Фононные спектры теллурида цинка, легированного изоэлектронными примесями / Е. А. Виноградов, Б. Н. Маврин, С. И. Радауцан, ... // Тез. докл. V Всесоюз. конф. по хим. связи в полупроводниках и полуметаллах. - Минск, 1974.
  235. Фосфид галлия в исследованиях и разработках / А. И. Иващенко, М. Н. Икизли, Д. Н. Наследов, В. В. Негрескул, С. И. Радауцан, С. В. Слободчиков // Материалы докл. 10-й науч.-техн. конф. КПИ. - Ch., 1974. - Р. 97-100.
  236. Фотоэлектрические свойства барьеров Шоттки Ni-CdP2 / Д. М. Берка, И. И. Небола, С. И. Радауцан, Н. Н. Сырбу, В. К. Киосев, В. Е. Тэзлэван // Физика и техника полупроводников. - 1974. - Vol. 8, Nr. 11. - P. 2065-2073.
  237. Электрические свойства монокристаллов CdCr2Se4 / С. И. Радауцан, Л. С. Коваль, Г. С. Кузьменко, А. И. Меркулов // Свойства некоторых новых полупроводниковых материалов и приборов. - Ch., 1974. - P. 13-17.
  238. Эффект Франца-Келдыша на барьерах Шоттки AgCdP2 / С. И. Радауцан, Н. Н. Сырбу, В. Е. Тэзлэван, И. Б. Боль // Физика и техника полупроводников. - 1974. - Vol. 9, Nr. 5. - P. 874-880.
  239. 1975
  240. Аналитическая химия полупроводников / Ю. С. Ляликов, С. И. Радауцан, Л. С. Копанская, Т. Г. Старуш; под ред. З. С. Медведской; Кишинев. политехн. ин-т им. С. Лазо. - Ch.: Ştiinţa, 1975. - 217 р.
  241. Арсенид кадмия как материал для детекторов теплового потока / С. И. Радауцан, Е. К. Арушанов, А. И. Бенда, Г. П. Чуйко // Докл. АН СССР. Сер. Математика. Физика. - 1975. - Vol. 224, Nr. 1, 2, 3. - P. 566-568.
  242. Выращивание монокристаллов некоторых полупроводниковых соединений со структурой шпинели / С. И. Радауцан, М. И. Вальковская, К. Ф. Шербан, В. Е. Тэзлэван // Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Ч. 2. - Новосибирск, 1975. - Р. 50-55.
  243. Излучательная рекомбинация в легированных кристаллах фосфида индия / В. В. Негрескул, Е. В. Руссу, С. И. Радауцан, А. Г. Чебан // Физика и техника полупроводников. - 1975. - Vol. 9, Nr. 5. - P. 893-900.
  244. Миргородский, В. М., Радауцан, С. И., Цуркан, А. Е. Исследование фундаментального оптического поглощения в кристаллах твердых растворов (AgInTe3)3x-(In2Te3)2(I-x) // Оптика и спектроскопия. - 1975. - Vol. 39, Nr. 3. - P. 519-524.
  245. Новые полупроводниковые соединения и их свойства / редкол.: С. И. Радауцан (отв. ред.), … - Ch.: Ştiinţa, 1975. - 221 р.
  246. О механизме электрической неустойчивости в высокоомном фосфиде галлия и некоторых её применениях / А. И. Иващенко, М. Н. Икизли, С. И. Радауцан, С. В. Слободчиков // Физика и химия сложных полупроводников. - Ch.: Ştiinţa, 1975. - Р. 39-49.
  247. Особенности морфологии роста и свойства нитевидных кристаллов фосфида кадмия и галлия / С. И. Радауцан, Ю. И. Максимов, Л. Ц. Чифудин, … // Бол. физ. журнал. - 1975. - Vol. 2, Nr. 2. - P. 144-149.
  248. Получение и исследование стеклообразных полупроводников на основе P2Se3 / С. И. Радауцан, Р. А. Маслянко, Р. Ю. Ляликова, В. Г. Колоскова // Изв. АН СССР. Неорганические материалы. - 1975. - Vol. 11, Nr. 8. - P. 1508-1509.
  249. Получение, морфология и электрические свойства NK фосфида и арсенида кадмия / С. И. Радауцан, Е. К. Арушанов, Л. Н. Лукьянова,… // Нитевидные кристаллы и тонкие пленки. Ч. 1. - Воронеж, 1975. - Р. 130-134.
  250. Получение эпитаксиальных слоев GaxIn1Sb методом жидкофазной эпитаксии / С. И. Радауцан, А. Е. Цуркан, П. Г. Пасько, … // IV Симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводников кристаллов и пленок, 2-6 июня 1975 г., Новосибирск: Тез. докл. - Новосибирск, 1975. - Р. 72.
  251. Проблемы нестеохимии / под ред. А. Рабенау; пер. с англ. под ред. акад. С. И. Радауцана и В. Н. Маслова. - М.: Металлургия, 1975. - 304 р.
  252. Радауцан, С. И., Сырбу, Н. Н. Влияние поля на характеристики фотодиода Ni-CdP2 // Докл. АН СССР. Сер. Математика. Физика. - 1975. - Vol. 220, Nr. 4, 5, 6. - P. 822-824.
  253. Радауцан, С. И., Цуркан, А. Е., Верлан, В. И. Выращивание монокристаллов ZnTe легированных изоэлектронными примесями второй группы // IV Симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводников кристаллов и пленок, 2-6 июня 1975 г., Новосибирск: Тез. докл. - Новосибирск, 1975. - Р. 8.
  254. Радауцан, С. И., Сырбу, Н. Н., Тэзлэван, В. Е. Исследование спектров возбуждения фотолюминесценции монокристаллов In2S3 и CdIn2S4 // Новые полупроводниковые соединения и их свойства. - Ch., 1975. - Р. 99-102.
  255. Радауцан, С. И., Цуркан, А. Е., Верлан, В. И. Направление роста чистых и легированных кристаллов теллурида цинка // Процессы роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок. Ч. 2. - Новосибирск, 1975. - Р. 19-22.
  256. Радауцан, С. И., Арушанов, Е. К., Чуйко, Г. П. Нернста-Эттинсгаузена детекторы на основе монокристаллов арсенида кадмия // Полупроводники с узкой запрещенной зоной и полуметаллы: Материалы IVВсесоюз. симпозиума. Ч. V. - Львов, 1975. - Р. 18-21.
  257. Радауцан, С. И., Житарь, В. Ф. Райлян, В. А. Оптическое поглощение монокристаллов ZnLn2S4 // Физика и техника полупроводников. - 1975. - Vol. 9, Nr. 12. - P. 2278-2283.
  258. Радауцан, С. И., Арушанов, Е. К., Чуйко, Г. П. Осцилляции Шубникова-де-Гааза в арсениде кадмия // Докл. АН СССР. Сер. Математика. Физика. - 1975. - Vol. 222, Nr. 4, 5, 6. - P. 1077-1078.
  259. Радауцан, С. И., Житарь, В. Ф., Дону, В. С. Спектры фотопроводимости монокристаллов CdGa2S4 // Физика и техника полупроводников. - 1975. - Vol. 9, Nr. 5. - P. 1018-1020.
  260. Радауцан, С. И., Верлан, В. И., Цуркан, А. Е. Термолюминесценция и термостимулированая проводимость в теллуриде цинка // Новые полупроводниковые соединения и их свойства. - Ch., 1975.
  261. Радауцан, С. И., Житарь, В. Ф., Миргородский, В. М. Фотоэлектрические свойства кристаллов твердых растворов системы( AgInTe2)3x.(In2Te3)2(1-x) // Новые полупроводниковые соединения и их свойства. - Ch., 1975. - Р. 69-75.
  262. Фазовые взаимодействия в тройной системе CdTe-In-InTe / С. И. Радауцан, О. П. Дерид, Г. М. Дынту, М. М. Маркус // Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1975. - Nr. 3. - P. 37-43.
  263. Физика и химия сложных полупроводников / редкол.: С. И. Радауцан (гл. ред.), … - Ch.: Ştiinţa, 1975. - 256 р.
  264. Чифудин, Л. Ц., Вальковская, М. И., Радауцан, С. И. Изучение некоторых особенностей пластической деформации монокристаллов фосфида галлия, легированного германием // Докл. Болг. АН. - 1975. - Vol. 28, Nr. 11. - P. 1481-1484.
  265. Чифудин, Л. Ц., Радауцан, С. И. Примесная неоднородность в монокристаллах GaP, легированных германием // Докл. Болг. АН. - 1975. - Vol. 28, Nr. 11. - P. 1477-1479.
  266. 1976
  267. Radautsan, S. I., Arushanov, E. K., Nateprov, A. N. The conduction band of Cadmium Phosphide// Phys. status solidi (a). - 1976. - Vol. 35, Nr. 1. - K53-K56.
  268. Rădăuţan, S. Electronica şi cincinalul // Moldova soc. - 1976. - 21 dec.
  269. Арсенид и фосфид кадмия / С. И. Радауцан, Е. К. Арушанов, А. Н. Натепров, Г. П. Чуйко; Ин-т прикл физики. - Ch.: Ştiinţa, 1976. - 111 p.
  270. Булярский, С. В., Радауцан, С. И., Тэзлэван, В. Е. Анализ спектров фотолюминесценции CdIn2S4 методом моментов // Докл. АН СССР. - 1976. - Vol. 227, Nr. 5. - P. 1082-1085.
  271. Булярский, С. В., Радауцан, С. И., Тэзлэван, В. Е. Построение конфигурационно-координатных диаграмм примесных центров в CdIn2S4 на основе фотолюминесцентных и фотоемкостных данных // Изв. АН СССР. Сер. физическая. - 1976. - Vol. 40, Nr. 9. - P. 1897-1898.
  272. Булярский, С. В., Коваль, Л. С., Радауцан, С. И. Электрические и фотоэлектрическиесвойства поверхностно-барьерных диодов Au-CdIn2Te4 // Тройные полупроводники и их применение: Тез. Всесоюз. конф. - Ch., 1976. - P. 165-167.
  273. Диаграммы состояния системы CdTe-La2Te3 / О. П. Дерид, Т. В. Демина, М. М. Маркус, С. И. Радауцан // Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1976. - Nr. 2. - P. 56-59.
  274. Длинноволновая IK-спектроскопия слоев ZnTe, CdSe, CdTe и гетероструктур на их основе / С. И. Радауцан, Е. А. Виноградов, Н. Н. Мельник, ... // Физика, химия и технические применения полупроводников A2B6: Тез. докл. IV Всесоюз. совещ. - Одесса, 1976. - Р. 169-170.
  275. Изменение химической связи при введении германия в селенид фосфора / С. И. Радауцан, Р. Ю. Ляликова, В. А. Колоскова, ... // Химическая связь в кристаллах и их физические свойства. Т. 2. - Минск, 1976. - Р. 193-198.
  276. Исследование рекомбинационных процессов в фоточувствительных слоях ZnSe и ZnTe / С. И. Радауцан, А. Е. Цуркан, Л. В. Кичерман, … // Физика, химия и технические применения полупроводников A2B6: Тез. докл. IV Всесоюз. совещ. - Одесса, 1976. - Р. 178.
  277. Колебательный спектр кристаллической решетки ZnIn2S4 / Е. Д. Арама, В. Ф. Житарь, Н. Н. Мельник, С. И. Радауцан // Докл. АН СССР. - 1976. - Vol. 231, Nr. 6. - P. 1343-1346.
  278. Литой германиевый микропровод для ГМП элементов / В. И. Заборовский, А. М. Ионсер, Б. П. Котрубенко, С. И. Радауцан, И. С. Левитас // Материалы I Совещания по вопросам исследования гальваномагниторекомбинационного эффекта и его использования. - Вильнюс, 1976. - Р. 21-22. Rotaprint.
  279. Механические и фотолюминесцентные свойства легированных монокристаллов ZnTe / У. С. Боярская, В. И. Верлан, Д. З. Грабко, С. И. Радауцан, А. Е. Цуркан // Физика, химия и технические применения полупроводников A2B6: Тез. докл. IV Всесоюз. совещ. - Одесса, 1976. - Р. 34-35.
  280. Модулированные по длине волны спектры фотоответа барьерных диодов Au-Zn3P2 / С. И. Радауцан, Н. Н. Сырбу, В. И. Володина, В. К. Киосев // Доклады АН СССР. - 1976. - Vol. 227, Nr. 4. - P. 830-832.
  281. Модуляционные спектры фотопроводимости монокристаллов CdCr2Se4 / А. И. Меркулов, В. К. Киосев, С. И. Радауцан, Н. Н. Сырбу // Тройные полупроводники и их применение: Тезисы Всес. конф. - Ch., 1976. - P. 93-95.
  282. Нернста-Эттингсгаузена детекторы на основе Cd-B5 / С. И. Радауцан, Е. К. Арушанов, Г. П. Чуйко, В. Н. Пругло // Материалы III коорд. совещания. - Душанбе, 1976.
  283. Оптические и фотоэлектрические свойства некоторых тройных стеклообразных халькогенидных систем и их связь с особенностями структуры / А. М. Андриеш, В. С. Герасименко, Р. Ю. Ляликова, В. С. Минаев, С. И. Радауцан, … // Труды 6-й Междунар. конф. по аморфным и жидким полупроводникам, 1975. Структура и свойства полупроводников. - Л., 1976. - Р. 246-250.
  284. Полупроводниковые материалы и их применение: Сб. статей / редкол.: С. И. Радауцан (гл. ред.) и др. - Ch.: Ştiinţa, 1976. - 206 p.
  285. Радауцан, С. И., Герасименко, В. С., Ляликова, Р. Ю. Исследование влияния структурных изменений на свойства полупроводниковых стекол системы германий-фосфор-селен // Доклады АН СССР. - 1976. - Vol. 226, Nr. 2. - P. 308-310.
  286. Радауцан, С. И., Пархоменко, В. Ф., Тон, Ю. Д. Исследования гальваномагниторекомбинационного эффекта на образцах литого микропровода // Первое совещ. по вопросам исследования гальваномагниторекомбинационного эффекта и его использования, 25-26 ноября 1976 г. - Вильнюс, 1976. - Р. 14.
  287. Радауцан, С. И., Арушанов, Е. К., Натепров, А. Н. Магнетосопротивление фосфида кадмия // Phys. status solidi. - 1976. - Nr. 3. - K35-K39.
  288. Радауцан, С. И. , Максимова О. Г. Фазовое взаимодействие в системах Te-ZnTe-CdTe и выращивание кристаллов ZnxCd1-xTe из раствора в расплаве // Полупроводниковые материалы и их применение. - Ch., 1976. - Р. 3-12.
  289. Радауцан, С. И., Цуркан, А. Е., В. И. Верлан. Фотолюминесценция кристаллов ZnTe, легированных примесями I группы // Известия АН СССР. Сер. физическая. - 1976. - Nr. 11. - P. 2302-2305.
  290. Радауцан, С. И., Арушанов, Е. К., Натепров, А. Н. Явления переноса в фосфиде кадмия // Материалы III координационного совещания. - Душанбе, 1976.
  291. Рассеяние носителей тока в фосфиде и арсениде кадмия / С. И. Радауцан, Е. К. Арушанов, А. Н. Натепров, Г. Р. Чуйко // Химическая связь в кристаллах и их физические свойства. Т. 2. - Минск, 1976. - Р. 145-151.
  292. Спектры отражениия твердых растворов (AgInTe2)3xx(In2Te3)2(1-x) / С. И. Радауцан, В. М. Миргородский, В. В. Соболев, С. Г. Кройтору // Полупроводниковые материалы и их применение. - Ch., 1976. - P. 12-18.
  293. Тэзлэван, В. Е., Радауцан, С. И., Булярский, С. И. Анализ полос излучения в CdIn2S4 методом моментов // Тезисы XXIII Всес. конф. по люминесценции. - Ch., 1976.
  294. Тэзлэван, В. Е., Радауцан, С. И. Построение конфигурационных диаграмм примесных центров в CdIn2S4 на основе фотолюминесцентных данных // Изв. АН СССР. Сер. физическая. - 1976. - Vol. 40, Nr. 9.
  295. Тройные полупроводники и их применение: Тезисы докл. Всес. конф., Кишинев, 1976 / редкол.: С. И. Радауцан (отв. ред.) и др. - Ch.: Ştiinţa, 1976. - 202 p.
  296. Фононные спектры теллурида цинка, легированного изоэлектронными примесями / В. И. Верлан, Е. А. Виноградов, Б. Н. Маврин, С. И. Радауцан, А. Е. Цуркан // Химическая связь в кристаллах и их физические свойства. Т. 2. - Минск, 1976. - Р. 145-151.
  297. Фоточувствительные излучатели света на основе гетеропереходов теллурид цинка-фосфид индия / А. Е. Цуркан, С. И. Радауцан, С. А. Ребров, ... // Резюме докл. V Междунар. совещ. по фотоэлектрическим и оптическим явлениям в твердом теле. - Варна (Болгария), 1976. - Р. 26.
  298. Широкополосные пребразователи ультразвука на основе гетероструктуры ZnO-ZnTe / С. И. Радауцан, Е. А. Виноградов, Н. Н. Мельник,… // Физика, химия и технические применения полупроводников A2B6: Тез. докл. IV Всесоюз. совещ. - Одесса, 1976. - Р. 170.
  299. Электрические и фотоэлектрические характеристики диодов Ni-ZnIn2S4 / Е. Д. Арама, Н. С. Грушко, В. Ф. Житарь, С. И. Радауцан // Докл. АН СССР. - 1976. - Vol. 227, Nr. 6. - P. 1329-1331.
  300. Эффект просветления в монокристаллах ZnTe / В. П. Грибковский, С. И. Радауцан, Л. Г. Зимин, ... // Физика, химия и технические применения полупроводников A2B6: Тез. докл. IV Всесоюз. совещ. - Одесса, 1976. - Р. 69.
  301. Эффект просветления кристаллов ZnTeLi в зеленой области спектра при лазерном возбуждении / С. И. Радауцан, В. П. Грибковский, А. Е. Цуркан, ... // Квантовая электроника. - 1976. - Vol. 3, Nr. 11. - Р. 2465-2467.
  302. 1977
  303. The thermoelectric power of Cd3(AsxP1-x)2 / S. I. Radautsan, E. R. Arushanov, L. N. Lukyanova, A. N. Nateprov // Phys. Status Solidi. - 1977. - Vol. 43(A), Nr. 2. - P. K159-K164.
  304. Бистабильное переключение и память в гетеропереходах ZnTe-GaN / А. Е. Цуркан, С. И. Радауцан, В. Г. Сидоров, Т. Д. Шемякова // Междунар. совещ. по фотоэлектрическим и оптичеким явлениям в твердых телах, 9-12 мая 1977 г., Варна. - Варна, 1977. - Р. 56.
  305. Влияние базы на параметры диодов, изготовленных из высокоомного ZnGn2S4 / Е. Д. Арама, Н. С. Грушко, В. Ф. Житарь, С. И. Радауцан // Письма в ЖТФ. - 1977. - Vol. 3, Nr. 6. - P. 254-258.
  306. Влияние лазерной подсветки на спектры фотоответа диодов Шоттки Au-Zn3P2 / В. И. Володина, С. И. Радауцан, В. И. Кадыгроб, Н. Н. Сырбу // Физика и техника полупроводников. - 1977. - Vol. 1, Nr. 3. - P. 609-610.
  307. Влияние примесей, метода выращивания и состава поверхности на спектры отражения кристаллов теллурида цинка и теллурида кадмия / О. Г. Максимова, С. И. Радауцан, В. В. Соболев, С. Г. Кройтору // Получение и своства п/п соединений A2B6: Тез. докл. 1-й Всесоюз. конф., 1-4 февр. 1977 / MISiS. - М., 1977.
  308. Выращивание монокристаллов CdCr2(Se,S)4 / В. П. Бужор, К. Г. Никифоров, С. И. Радауцан, ... // Кристаллические и стеклообразные полупроводники. - Ch., 1977. - P. 148-154.
  309. Высокоомные фоточувствительные пленки ZnIn2S4 / В. Н. Кобзаренко, Ф. Г. Доника, В. Ф. Житарь, С. И. Радауцан // Докл. АН СССР. - 1977. - Vol. 235, Nr. 6. - P. 1297-1299.
  310. Житарь, В. Ф., Радауцан, С. И. Эффект памяти в монокристаллах ZnxIn2S3x // Междунар. совещ. по фотоэлектрическим и оптическим явлениям в телах, 9-12 май 1977 г., Варна. - Варна, 1977. - Р. 40.
  311. Житарь, В. Ф., Радауцан, С. И. Высокоомные пленки ZnIn2S4 // Докл. АН СССР. - 1977. - Nr. 6.
  312. Изучение механических свойств стеклообразных полупроводников в системе германий-фосфор-селен / М. С. Кац, Р. Ю. Ляликова, С. И. Радауцан, В. Р. Регель // Физика и химия стекла. - 1977. - Vol. 3, Nr. 4. - P. 369-372.
  313. Кристаллические и стеклообразные полупроводники: сб. ст. / ред. кол.: С. И. Радауцан, …; АН МССР, Ин-т прикл. физики. - Ch.: Ştiinţa, 1977. - 235 p.
  314. Многофононное поглощение в кристаллах Zn3P2 / С. И. Радауцан, Н. Н. Сырбу, И. И. Небола, В. И. Володина // Физика твердого тела. - 1977. - Vol. 19, Nr. 7. - P. 2203-2204.
  315. Модулирование по длине спектры фотоответа диодов Шоттки Au-ZnSe / С. И. Радауцан, Н. Н. Сырбу, В. К. Киосев, ... // Физика и техника полупроводников. - 1977. - Vol. 11, Nr. 4. - P. 620-625.
  316. Об анизотропии механических свойств монокристаллов CdCr2Se4 / Р. П. Житару, С. И. Радауцан, В. Е. Тэзлэван, В. П. Бужор // Кристаллические и стеклообразные полупроводники. - Ch., 1977. - P. 155-162.
  317. Особенности выращивания эпитаксиальных слоев ZnTe на кристаллах цинкита / С. И. Радауцан, А. Е. Цуркан, П. Г. Пасько, Л. В. Кичерман // Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Ч.: 1. - Новосибирск, 1977. - Р. 54-58.
  318. Переход порядок-беспорядок в твердых растворах CdGa2Se4-CdIn2Se4 / Е. Ф. Мочарнюк, Т. И. Бабюк, О. П. Дерид, Л. С. Лазаченко, М. М. Маркус, С. И. Радауцан // Докл. АН СССР. - 1977. - Vol. 237, Nr. 4. - P. 821-823.
  319. Радауцан, С. И., Цуркан, А. Е., Верлан, В. И. Влияние состава газовой фазы на монокристаллы теллурида цинка // Получение и свойства полупровод-никовых соединений А2В6: Тез. докл. 1-й. Всесоюз. конф., 1-4 февр. 1977 г. / MISiS. - M., 1977.
  320. Радауцан, С. И., Цуркан, А. Е., Верлан, В. И. Выращивание монокристаллов Zn-Te, легированных изоэлектронными примесями второй группы // Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Ч.: 1. - Новосибирск, 1977. - P. 50-54.
  321. Радауцан, С. И., Цуркан, А. Е., Шемякова, Т. Д. Морфология поверхности слоев соединений AIIBVI, выращенных из газовой фазы в замкнутом объёме // Рост и легирование полупроводниковых кристаллов и пленок. Ч.: 2. - Новосибирск, 1977. - P. 176-182.
  322. Радауцан, С. И., Цуркан, А. Е., Верлан, В. И. Некоторые физические свойства теллурида цинка, подвергнутого различной термической обработке // Получение и свойства полупроводниковых соединений А2В6: Тез. докл. 1-й. Всесоюз. конф., 1-4 февр. 1977 г. / MISiS. - M., 1977.
  323. Радауцан, С. И., Максимов, Ю. И. Особенности роста нитевидных кристаллов фосфида галлия // Рост кристаллов. - 1977. - Nr. 12. - P. 39-44.
  324. Радауцан, С. И., Сырбу, Н. Н., Стамов, И. Г. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов ZnP2(D82h) // Докл. АН СССР. - 1977. - Vol. 236, Nr. 1. - P. 72-74.
  325. Радауцан, С. И., Тэзлэван, В. Е. Электропроводность и эффект Холла в монокристаллах CdG2Se4 // Изв. АН СССР. Сер. физическая. - 1977. - Nr. 2.
  326. Рентгенографическое исследование соединения CdGa2Se4 в широком интервале температур / Г. Ф. Мочарнюк, Т. И. Бабюк, Л. С. Лазаренко, М. М. Маркус, С. И. Радауцан // Физ. электроника. Респ. межвед. науч.-техн. сб. - 1977. - Nr. 15. - P. 64-68.
  327. Рентгеноспектральное исследование электронной структуры Cd3P2 / С. И. Радауцан, М. А. Бугин, А. Н. Гусятинский, ... // Докл. АН СССР. - 1977. - Vol. 234, Nr. 3. - P. 575-577.
  328. Структура энергетических зон и двухфонное поглощение в кристаллах CdGa2S4 и CdGa2Se4 / С. И. Радауцан, Н. Н. Сырбу, И. И. Небола, … // Физика и техника полупроводников. - 1977. - Vol. 11, Nr. 1. - P. 69-74.
  329. Фоточуствительные излучения света на основе гетеропереходах ZnTe-InP / С. И. Радауцан, С. А. Ребров, А. Е. Цуркан, ... // Междунар. совещ. по фотоэлектрическим и оптичеким явлениям в твердых телах, 9-12 мая 1977 г., Варна. - Варна, 1977. - Р. 26.
  330. Цуркан, А. Е., Радауцан, С. И., Кичерман, Л. В. Голубая электролюминесценция в гетеропереходе ZnTe-ZnO // Междунар. совещ. по фотоэлектрическим и оптичеким явлениям в твердых телах, 9-12 мая 1977 г., Варна. - Варна, 1977. - Р. 87.
  331. Электропроводность и эффект Холла в монокристаллах CdCr2Se4 / С. И. Радауцан, В. Е. Тэзлэван, А. И. Меркулов, Л. С. Коваль // Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1977. - Nr. 2. - P. 43-46.
  332. Эффект памяти и электролюминесценция гетеропереходов pZnTe-nGaN / С. И. Радауцан, А. Е. Цуркан, Т. Д. Шемякова, ... // Письма в ЖТФ. - 1977. - Vol. 3, Nr. 5. - P. 234-239.
  333. 1978
  334. Kobzarenko, V. N., Donica, F. G., Radautsan, S. I. This films of the one-packed polytype of ZnIn2S4(I) // Phys. Status. Solidi. - 1978. - Vol. 49(A), Nr. 1. - P. K5-K7.
  335. Merkulov, A. I., Radautsan, S. I., Tezlevan, V. E. The effect of the degree of doping on magneto-electrical properties of n-CdCr2Se4 monocristals // Phys. Status Solidi. - 1978. - Vol. 87(B), Nr. 2. - P. K141-K143.
  336. Nikiforov, K. G., Radautsan, S. I., Tezlevan, V. E. Negative magnetoresistance in the Ca-doped magnetic semiconductor CdCr2S4 // Phys. Status Solidi. - 1978. - Vol. 49(A), Nr. 2. - P. K197-K200.
  337. Radautsan, S. I., Tezlevan, V. E., Nikiforov, K. G. Cristal growt and the influence of structure defects on physikal properties of CdCr2S4 // 4th Int. Conf. Vapour Growth and Epitaxy, Nagoya, 1978. Prepr. - Nagoya, 1978. - P. 175-176.
  338. Rădăuţan, S. I. Fizica în slujba satului: (Interviu cu S. I. Rădăuţan despre succesele fizicienilor mold., susţinut de E. Gorester) // Chişinău. Gazeta de seară. - 1978. - 3 aug.
  339. Влияние ионов Cr2+ на ферромагнитный резонанс и электропроводность магнитного полупроводника CdCr2S4 / К. Г. Никифоров, А. Г. Гуревич, С. И. Радауцан, ... // Физика твердого тела. - 1978. - Vol. 20, Nr. 6. - P. 1896-1899.
  340. Гальваномагниторекомбинационный эффект на образцах литого германиевого микропровода / И. С. Левитас, Ю. К. Пожела, С. И. Радауцан, … // Письма в ЖТФ. - 1978. - Vol. 4, Nr. 6. - P. 329-332.
  341. Изучение физических свойств структур на основе ZnIn2S4 / Е. Д. Арама, Н. С. Грушко, В. Ф. Житарь, С. И. Радауцан, ... // Физические процессы в полупроводниковых гетероструктурах: Тез. докл. II Всесоюз. конф. Т. 1. - Ашхабад, 1978. - Р. 65.
  342. Исследование структуры энергетических зон твердых растворов в системе AlxGa1-xAs с помощью λ-модулированных спектров фотоответа / В. И. Володина, Н. Н. Сырбу, В. Г. Трофим, С. И. Радауцан, В. А. Чумак // Физические процессы в полупроводниковых гетероструктурах: Тез. докл. II Всесоюз. конф. Т. 1. - Ашхабад, 1978. - Р. 83.
  343. Комбинационное рассеяние света в монокристаллах ZnxIn2S3+x / Е. Д. Арама, Е. А. Виноградов, Г. М. Жижин, В. Ф. Житарь, Н. Н. Мельник, С. И. Радауцан // Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1978. - Nr. 3. - P. 33-39.
  344. Концентрационная зависимость подвижности электронов в монокристаллах фосфида кадмия / Е. К. Арушанов, А. В. Лашкул, С. И. Радауцан, А. Н. Натепров // IV Всесоюз. координац. cовещание по полупроводниковым соединениям A2B5: Тез. докл. - Ужгород, 1978. - Р. 17.
  345. Кристаллическая структура и свойства монокристаллов SnMo6S8 / Н. Е. Алексеевский, Д. П. Самусь, Н. М. Добровольский, С. И. Радауцан, ... // Докл. АН СССР. Сер. физическая. - 1978. - Vol. 242, Nr. 1. - P. 87.
  346. Лазаренко, Л. С., Максимова, О. Г., Радауцан, С. И. Особенности деформирования грани (112) кристаллов системы CdGa2Se4-CdIn2Se4 // Теоретические и экспериментальные исследования сложных полупроводниковых соединений. - Ch., 1978. - P. 64-68.
  347. Левитас, И. С., Радауцан, С. И., Тон, Ю. Д. Гальваномагниторекомбина-ционные элементы из германиевого микропровода // Теоретические и экспериментальные исследования сложных полупроводниковых соединений. - Ch., 1978. - P. 147-159.
  348. λ-модулированная фотоэмиссия полупроводников ZnAs2 и CdP4 / Г. А. Кудинчева, А. М. Камерцель, С. И. Радауцан, ... // Докл. АН СССР. - 1978. - Vol. 241, Nr. 5. - P. 1073-1075.
  349. λ-модулированные спектры фотопроводимости монокристаллов Zn2In2S5 / С. И. Радауцан, И. Г. Мустя, Н. Н. Сырбу, ... // Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук - 1978. - Nr. 2. - P. 88-89.
  350. Магнитные полупроводниковые шпинели типа CdCr2S4 / отв. ред.: С. И. Радауцан. - Ch.: Ştiinţa, 1978. - 149 p.
  351. Меркулов, А. И., Радауцан, С. И., Тэзлэван, В. Е. О получении монокристаллов магнитного полупроводника CdCr2Sе4 // Неорганические материалы. - 1978. - Vol. 14, Nr. 8. - P. 1535-1536.
  352. Механизмы роста нитевидных кристаллов фосфида кадмия / Е. К. Арушанов, А. В. Лашкул, С. И. Радауцан, ... // Нитевидные кристаллы для новой техники: Тез. докл. III Всесоюз. конф. - Воронеж, 1978. - Р. 10.
  353. Насыщение поглощения в монокристаллах ZnTe, легированных элементами I группы / И. Г. Зимин, В. П. Грибковский, С. И. Pадауцан, ... // Журнал прикладной спектроскопии. - 1978. - Vol. 28, Nr. 1. - P. 157-159.
  354. Никифоров, К. Г. Радауцан, С. И., Тэзлэван, В. Е. Влияние донорных примесей на электрические свойства монокристаллов CdCr2S4 // Докл. АН СССР. - 1978. - Vol. 239, Nr. 1. - P. 77-79.
  355. Оптические свойства кристаллов SiAs / С. И. Радауцан, Н. Н. Сырбу, А. Н. Лукин, … // Физика и техника полупроводников. - 1978. - Vol. 12, Nr. 1. - P. 43-47.
  356. Подвижность электронов в фосфиде кадмия / С. И. Радауцан, Е. К. Арушанов, А. В. Лашкул, … // Физика и техника полупроводников. - 1978. - Vol. 12, Nr. 9. - P. 1864-1867.
  357. Радауцан, С. И., Левитас, И. С., Тон, Ю. Д. Гальваномагниторекомбина-ционные элементы из нитевидных кристаллов германия // III Всесоюз. конф.: Тез. докл. - Воронеж, 1978. - P. 88.
  358. Радауцан, С. И., Житару, Р. П. Изучение механических свойств монокристаллов CdCr2Sе4 // Магнитные полупроводниковые шпинели типа CdCr2Sе4. - Ch., 1978. - P. 99-109.
  359. Радауцан, С. И., Сырбу, Н. Н. Использование барьера Шоттки для исследования свойств полупроводников и границы раздела металл-полупроводник // Полупроводниковая техника и микроэлектроника: респ. межвед. сб. - 1978. - Nr. 27. - P.76-83.
  360. Радауцан, С. И., Цуркан, А. Е., Верлан, В. И. Исследование области гомогенности теллурида цинка // V Симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок: Тез. докл. Новосибирск, 6-8 июня, 1978. - Новосибирск, 1978. - Р. 272.
  361. Радауцан, С. И. Полупроводники в народном хозяйстве // Сов. Молдавия. - 1978. - 22 янв.
  362. Радауцан, С. И., Никифоров, К. Г., Тэзлэван, В. Е. Получение и некоторые электрические свойства монокристаллов CdCr2S4 // Неорганические материалы. - 1978. - Vol. 14, Nr. 1. - P. 165-166.
  363. Радауцан, С. И. Тройные полупроводники: результаты исследований и перспективы применения: науч. сообщ. // Вестник АН СССР. - 1978. - Nr. 3. - P. 14-26.
  364. Радауцан, С. И., Бужор, В. П. Физические свойства CdCr2Sе // Магнитные полупроводниковые шпинели типа CdCr2Sе4. - Ch., 1978. - P. 43-82.
  365. Рентгенографическое исследование соединения в широком интервале температур / Г. Ф. Мочарнюк, Т. И. Бабюк, Л. С. Лазаренко, М. М. Маркус, С. И. Радауцан // Физическая электроника: Респ. межвед. науч.-техн. сб. Вып. 15 / Львов. политехн. ин-т. - 1978. - Р. 64-68.
  366. Строение и свойства монокристаллов SzMo6S8 / Н. Е. Алексеевский, В. М. Добровольский, Г. А. Киоссе, Т. И. Малиновский, М. М. Маркус, С. И. Радауцан // Докл. АН СССР. - 1978. - Vol. 242, Nr. 1. - P. 87-89.
  367. Температура фазового перехода парамагнетик-ферромагнетик в системе CuyCr2Se4-zBrx / В. В. Цуркан, В. Г. Веселаго, А. А. Бабицина, В. Е. Тэзлэван, С. И. Радауцан, В. Т. Калинников // Физика твердого тела. - 1978. - Vol. 20, Nr. 9. - P. 2863-2865.
  368. Теоретические и экспериментальные исследования сложных полупроводниковых соединений: (сб. ст.) / редкол.: С. И. Радауцан (отв. ред.), …; АН МССР. Ин-т прикл. физики. - Ch.: Ştiinţa, 1978. - 168 p.
  369. Тэзлэван, В. Е., Никифоров, К. Г., Радауцан, С. И. Выращивание монокристаллов CdCr2S4 и изучение влияния структурных дефектов на их физические свойства // V Симпозиум по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок: Тез. докл. Новосибирск, 6-8 июня, 1978. - Новосибирск, 1978. - Р. 273.
  370. Тэзлэван, В. Е., Радауцан, С. И., Никифоров, К. Г. Об электропроводности монокристаллов CdCr2S4 р-типа // Физика и техника полупроводников. - 1978. - Vol. 12, Nr. 4. - P. 824-826.
  371. Ферромагнитный резонанс в кристаллах CdCr2S4, легированных серебром / К. Г. Никифоров, Л. М. Эмирян, А. Г. Гуревич, С. И. Радауцан, В. Е. Тэзлэван // Физика твердого тела. - 1978. - Vol. 20, Nr. 10. - P. 3010-3014.
  372. Физические свойства сульфохромита кадмия / А. Г. Гуревич, К. Г. Никифоров, С. И. Радауцан, В. Е. Тэзлэван // Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1978. - Nr. 2. - P. 86-87.
  373. Электрические и люминесцентные свойства гетеропереходов p-ZnTe-n-SnO2 / В. И. Верлан, А. Е. Цуркан, С. И. Радауцан, Т. Д. Шемякова // Физические процессы в полупроводниковых гетероструктурах: Тез. докл. II Всесоюз. конф. Т. 1. - Ашхабад, 1978. - Р. 175.
  374. Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходных структур ZnP2(D48)-ZnP2(C2n5) / Н. Н. Сырбу, И. Г. Стамов, В. К. Киосев, С. И. Радауцан, С. В. Хачатурова // Физические процессы в полупроводниковых гетероструктурах: Тез. докл. II Всесоюз. конф. Т. 1. - Ашхабад, 1978. - Р. 55.
  375. Электронный парамагнитный резонанс в монокристаллах CdCr2S4 / И. И. Жеру, И. Г. Лупя, К. Г. Никифоров, С. И. Радауцан, В. Е. Тэзлэван // Физика твердого тела. - 1978. - Vol. 20, Nr. 5. - P. 1534-1535.
  376. 1979
  377. Merkulov, A. I., Radautsan, S. I., Tezlevan, V. E. Effect of annealing on the electrical conductivity of In-doped CdCr2Se4 single crystals // Phys. Status Solidi. - 1979. - Vol. 53 (A), Nr. 2. - P. K129-K131.
  378. The influence of acceptor states on the exchange interaction in CdCr2Se4 single crystals / A. I. Merkulov, Yu. M. Yakovlev, S. I. Radautsan, V. E. Tezlevan // Phys. Status Solidi. - 1979. - Vol. 96 (B), Nr. 1. - P. K57-K59.
  379. Анализ тройных соединений Sn-Mo-S / С. М. Бардина, Е. Г. Чикрызова, С. И. Радауцан, Д. П. Самусь // Полярография в техническом анализе. - Ch., 1979.
  380. Анзин, В. В., Радауцан, С. И., Пругло, В. И. Фотоэлектрические свойства нелегированного p-CdSb // Фотоэлектрические явления в полупроводниках: Тез. докл. - Ужгород, 1979.
  381. Арушанов, Е. К., Пругло, В. И., Радауцан, С. И. Чувствительность и обнаружительная способность приемников теплового излучения на сонове CdSb // Полуметаллы и узкозонные полупроводники. - Ch., 1979. - Р. 148.
  382. Влияние радиационных дефектов на механические свойства магнитных полупроводников CdCr2Se4, CdCr2S4 / В. П. Бужор, К. Г. Никифоров, С. И. Радауцан, В. Е. Тэзлэван // Международная конференция по радиационной физике полупроводников и родственных материалов. - Тбилиси, 1979.
  383. Влияние условий получения на структуру тонких слоев ZnIn2S4 / В. Н. Кобзаренко, Е. Г. Доника, В. Ф. Житарь, С. И. Радауцан // Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1979. - Nr. 1. - P. 89-91.
  384. Детектор ультрафиолетового излучения / В. Ф. Житарь, Н. А. Молдовян, С. И. Радауцан, В. А. Райлян // Электронная обработка материалов. - 1979. - Nr. 3. - P. 86-87.
  385. Дону, В. С., Радауцан, С. И. Некоторые аспекты упорядочения в соединениях типа A2B23C46 // V Всесоюз. конф. по химии, физике и техн. применению халькогенидов: Тез. докл. - Баку, 1979.
  386. Житарь, В. Ф., Молдовян, Н. А., Радауцан, С. И. Отрицательное сопротивление S-типа кристаллов ZnIn2S4 // Физика и техника полупроводников. - 1979. - Vol. 13, Nr. 10. - P. 1886-1890.
  387. Житарь, В. Ф., Молдовян, Н. А., Радауцан, С. И. Переключение в кристаллах ZnInS4 // Физика и техника полупроводников. - 1979. - Vol. 13, Nr. 5. - P. 841-845.
  388. Житарь, В. Ф., Радауцан, С. И., Молдовян, Н. А. Электрические свойства структур на основе двойного сульфида цинка и индия // Фотоэлектрические явления в полупроводниках: Тез. докл. - Ужгород, 1979.
  389. Исследование монокристаллов ZnIn2S4 и Zn3In2S6 методом длинноволновой IK спектроскопии / Е. Д. Арама, Е. А. Виноградова, Г. Н. Жижин, В. Ф. Житарь, В. М. Бурлаков, С. И. Радауцан // Buletinul AŞ RSSM = Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1979. - Nr. 1. - P. 31-36.
  390. Исследование примесных уровней в арсениде галлия по λ-модулированным спектрам фотоответа диодов Au-GaAs / В. И. Володина, Г. К. Володина, С. И. Радауцан, Н. Н. Сырбу // Полупроводниковые структуры и средства управления технол. процессами: Вопросы электроники: межвуз. сб. - Ch., 1979. - Р. 28-34.
  391. Исследование термостимулированного тока в CdGa2S4 / С. В. Булярский, Н. С. Грушко, В. С. Дону, В. Ф. Житарь, С. И. Радауцан. - Деп. В ВИНИТИ. - 1979. -Nr. 6567/79.
  392. Исследование центров люминесценции фотопроводимости и захвата электронов в монокристаллах CdGa2S4 / А. Н. Георгобиани, В. С. Дону, Е. Е. Струмбан, С. И. Радауцан // Тройные полупроводники и их применение: Тез. докл. Всесоюз. конф. - Ch., 1979.
  393. Коваль, Л. С., Радауцан, С. И., Соболев, В. В. Фотоэлектрические свойства твердых растворов CdIn2Se4-CdIn2Te4 // Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1979. - Nr. 2. - P. 42-45.
  394. Комбинационное рассеяние света в монокристаллах ZnIn2S4 под давлением / Е. А. Виноградов, Г. Н. Жижин, Н. Н. Мельник, С. И. Субботин, В. В. Панфилов, Е. Д. Арама, В. Ф. Житарь, С. И. Радауцан // Журнал прикладной спектроскопии. - 1979. - Vol. 31, Nr. 4. - P. 708-711.
  395. Магнитная анизотропия и ферромагнитный резонанс в монокристаллах магнитного полупроводника CdCr2S4 / А. Г. Гуревич, М. М. Маркус, К. Г. Никифоров, С. И. Радауцан, ... // Физика сложных полупроводниковых соединений. - Ch., 1979. - Р. 24-40.
  396. Меркулов, А. И., Радауцан, С. И., Тэзлэван, В. Е. Влияние магнитного упорядочения на фотопроводимость монокристаллов CdCr2Sе4 // Фотоэлектрические явления в полупроводниках: Тез. докл. - Ужгород, 1979.
  397. Меркулов, А. И., Радауцан, С. И., Тэзлэван, В. Е. Магнитоэлектрические свойства монокристаллов CdCr2Sе4, легированных Ag // Физика низких температур. - 1979. - Vol. 5, Nr. 9. - P. 1088-1090.
  398. Меркулов, А. И., Радауцан, С. И., Тэзлэван, В. Е. Получение и исследование магнитоэлектрических свойств монокристаллов CdCr2Sе4 // Физика сложных полупроводниковых соединений. - Ch., 1979. - Р. 198-205.
  399. Насыщение поглощения в монокристаллах ZnIn2S4 / В. П. Грибковский, В. Ф. Житарь, Л. Г. Зимин, С. И. Радауцан, ... // Журнал прикладной спектроскопии. - 1979. - Vol. 30, Nr. 2. - P. 353-354.
  400. Никифоров, К. Г., Радауцан, С. И., Тэзлэван, В. Е. Аномальные электрические свойства магнитного полупроводника CdCr2Sе4 р-типа // V Всесоюз. конф. по химии, физике и техн. применению халькогенидов: Тез. докл. - Баку, 1979.
  401. Полуметаллы и узкозонные полупроводники: сб. ст. / под ред. С. И. Радауцан. - Ch., 1979.
  402. Прямые экситоны в тиогаллате кадмия / А. Г. Арешкин, В. Ф. Житарь, С. И. Радауцан, ... // Физика и техника полупроводников. - 1979. - Vol. 13, Nr. 2. - P. 337-340.
  403. Радауцан, С. И., Дону, В. С., Житарь, В. Ф. Влияние прилипания и глубоких центров рекомбинации на фотоэлектрические свойства CdGa2S4 // V Всесоюз. конф. по химии, физике и техн. применению халькогенидов: Тез. докл. - Баку, 1979.
  404. Радауцан, С. И. Единый строй физиков: (О комплексной межотраслевой программе в области полупроводниковой электроники) // Сов. Молдавия. - 1979. - 17 авг.
  405. Радауцан, С. И., Арама, Е. Д., Житарь, В. Ф. Комбинационное рассеяние света в монокристаллах ZnIn2S4 под давлением // Журнал прикладной спектроскопии. - 1979. - Vol. 31, Nr. 4.
  406. Радауцан, С. И. Тройные полупроводники и перспективы их развития (1979-2000 гг.) // Тройные полупроводники и их применение: Тез. докл. Всесоюз. конф. - Ch., 1979.
  407. Радауцан, С. И., Арушанов, Е. К., Пругло, В. И. Чувствительность и обнаружительная способность приемником теплового излучения на основе CdSb // Полуметаллы и узкозонные полупрводники. - Ch., 1979. - Р. 168-174.
  408. Рассеяние носителей тока в фосфиде и арсениде кадмия / С. И. Радауцан, Е. К. Арушанов, А. Н. Натепров, Г. П. Чуйко // Химическая связь в кристаллах и их физические свойства. Т. 2. - Минск, 1979. - Р. 215-219.
  409. Термическая устойчивость монокристаллов тиголлата кадмия / В. С. Дону, В. Ф. Житарь, В. А. Мазур, С. И. Радауцан // Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1979. - Nr. 2. - P. 89-91.
  410. Тройные полупроводники и их применение: Тез. докл. Всесоюз. конф. 8-10 окт., 1979 г. / редкол.: С. И. Радауцан (отв. ред.), … - Ch.: Ştiinţa, 1979. - 228 p.
  411. Тройные фазы системы In-Sb-Te и некоторые их физические свойства / В. И. Заборовский, В. П. Котрубенко, С. И. Радауцан, Д. П. Самусь // Bul. AŞ RSSM = Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1979. - Nr. 3. - P. 36-39.
  412. Ферромагнитный резонанс и ионы хрома переменной валентности в полупроводниковых халькогенидных шпинелях / А. Г. Гуревич, Л. М. Эмирян, С. И. Радауцан, К. Г. Никифоров // Всесоюз. конф. по физике магнитных явлений: Тез. докл. - Харьков, 1979.
  413. Физика сложных полупроводниковых соединений: сб. ст. / редкол.: С. И. Радауцан (отв. ред.), …; АН МССР. Ин-т прикл. физики. - Ch.: Ştiinţa, 1979. - 228 p.
  414. Цуркан, В. В., Радауцан, С. И., Тэзлэван, В. Е. Зависимость магнитных и электрических свойств от соотношения между компонентами в ситеме CuxCr2Se4-zBr2 // Всесоюз. конф. по физике магнитных явлений: Тез. докл. - Харьков, 1979.
  415. Электрические и магнитные свойства монокристаллов феромагнитных шпинелей системы CuуCr2Se4-zBrх, имеющих дефицит меди / В. В. Цуркан, В. Г. Веселаго, С. И. Радауцан, В. Е. Тэзлэван // Полуметаллы и узкозонные полупроводники. - Ch., 1979. - Р. 174-181.
  416. Эффект Холла в монокристаллах ферромагнитных полупроводниковых шпинелей системы CuуCr2Se4-2Brх / В. В. Цуркан, В. Г. Веселаго, В. Е. Тэзлэван, С. И. Радауцан // Физика твердого тела. - 1979. - Vol. 21, Nr. 9. - P. 2710-2712.

  417. 1980

  418. Peculiarities of photoconductivity in CdGa2S4 single cristals in strong electric fields / S. I. Radautsan, V. S. Donu, V. F. Zhitar, E. E. Strumban // Phys. Status Solidi. - 1980. - Vol. 58(A), Nr. 1. - P. K79-K82.
  419. Radautsan, S. I., Tezlevan, V. E., Nikiforov, K. G. Cristal growth and the influence of structural defects on the physical properties of CdCr2S4 // J. Crist. Growth. - 1980. - Vol. 49, Nr. 1. - P. 67-70.
  420. Radautsan, S. I., Tezlevan, V. E., Merkulov, A. I. Magnetoelectrical characteristics of CdCr2S4 single cristals doped with silver // J. Amer. Inst. Phys. - 1980. - Nr. 1.
  421. Shubnikov - de Haas Effect in Cd3P2 / E. K. Arushanov, A. V. Lashkul, A. N. Nateprov, S. I. Radautsan, V. V. Sologub // Proc. I Int. Symp. Phys. Chem. II-V Compounds. Mogilany, Poland, 1980. - P. 153.
  422. Shubnikov - de - Haas oscillations in cadmium phosphide / E. K. Arushanov, A. V. Lashkul, A. N. Nateprov, S. I. Radautsan, V. V. Sologub // Phys. status solidi. - 1980. - Vol. 102 (B). - Nr. 2. - K121-K 124.
  423. Spontaneus and stimulated Emission in Cd3P2 / E. K. Arushanov, L. L. Kylyuk, A. N. Nateprov, S. I. Radautsan, A. A. Shatanov // Proc. Of the first Int. Symposium on the Physics and Chemistry, of II-V compounds. Mogilany, Poland, 1980. - P. 179-182.
  424. Выявление дислокационной структуры магнитной полупроводниковой шпинели CdCr2Se4 методом химического травления / А. И. Меркулов, Р. Ю. Ляликова, С. И. Радауцан, В. Е. Тэзлэван // Электронная техника. Сер. 6. Материалы. - 1980. - Nr. 7(144). - Р. 28-32.
  425. Гальваномагнитные свойства тройных фаз системы ZnS-In2S3 / В. В. Кобзаренко, Е. В. Кучис, В. Ф. Житарь, С. И. Радауцан // Докл. АН СССР. - 1980. - Vol. 254, Nr. 3. - P. 608-611.
  426. Дискретно перестраиваемый лазер на фосфиде кадмия с оптической накачкой / Е. К. Арушанов, Л. И. Кулюк, А. Н. Натепров, С. И. Радауцан, А. А. Штанов // X Всесоюз. конф. по когерентной и нелинейной оптике: Тез. докл. - Киев, 1980. - Р. 202.
  427. Доника, В. Ф., Житарь, В. Ф., Радауцан, С. И. Полупроводники системы ZnS-Zn2S3 / отв. ред.: Л. С. Коваль. - Ch.: Ştiinţa, 1980. - 148 p.
  428. Житарь, В. Ф., Молодян, Н. А., Радауцан, С. И. Влияние распределения электрического поля на эффект переключения в кристаллах // Физика и техника полупроводников. - 1980. - Vol. 14, Nr. 3. - P. 595-598.
  429. Излучательные свойства легированного ZnIn2S4 / С. И. Радауцан, В. Ф. Житарь, В. А. Райлян, Е. Е. Струмбан // Тез. докл. Всесоюз. конф. «Материалы для оптоэлектроники». - Ужгород, 1980. - Р. 74-75.
  430. Исследование вольтамперных характеристик двойных поверхностно-барьерных диодов на основе CdGa2 / Н. С. Грушко, В. С. Дону, В. Ф. Житарь, С. И. Радауцан // Физика и техника полупроводников. - 1980. - Vol. 14, Nr. 1. - P. 69-79.
  431. Исследование процессов роста монокристаллов и эпитаксиальных слоев фосфида индия / И. П. Молодян, Г. С. Коротченков, С. И. Радауцан, ... // VI Междунар. конф. по росту кристаллов: Тез. докл. - М., 1980. - Р. 400-401.
  432. Исследование структуры энергетических зон твердых растворов в системе AlxGaI-xAs с помощью λ-модулированных спектров фотоответа / С. И. Радауцан, В. И. Володина, Н. Н. Сырбу, ... // Фотоэлектрические свойства гетеропереходов. - Ch., 1980. - Р. 115-121.
  433. Исследование термостимулированных токов в CdGa2S4 / А. А. Барсук, С. В. Булярский, Н. С. Грушко, С. И. Радауцан, ... // Физика и техника полупроводников. - 1980. - Nr. 1. - P. 208-209.
  434. Легирование монокристаллов CdP2 ртутью и исследование фотодиодов на их основе / С. И. Радауцан, Н. Н. Сырбу, В. К. Киосев, … // Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1980. - Nr. 2. - P. 57-61.
  435. Меркулов, А. И., Радауцан, С. И., Тэзлэван, В. Е. Барьеры Шоттки на основе магнитного полупроводника р-CdCr2Sе4 // Физика и техника полупроводников. - 1980. - Vol. 14, Nr. 5. - P. 1009-1010.
  436. Меркулов, А. И., Радауцан, С. И., Тэзлэван, В. Е. Влияние нестехиометрии на электрические и магнитные характеристики монокристаллов CdCr2Sе4 // Физика твердого тела. - 1980. - Vol. 22, Nr. 3. - P. 894-896.
  437. Никифоров, К. Г., Радауцан, С. И. Вакансионный механизм изменения электрических свойств CdCr2S4 // Получение и исследование новых материалов полупроводниковой техники. - Ch., 1980. - Р. 152-156.
  438. Определение характера и направления дислокаций в CdCr2Sе4 по форме и структуре ямок травления / Р. Ю. Ляликов, А. И. Меркулов, С. И. Радауцан, В. Е. Тэзлэван // Физика твердого тела. - 1980. - Vol. 22, Nr. 5. - P. 1369-1373.
  439. Оптические свойства селенида галлия, легированного цинком / М. П. Тырзиу, С. И. Радауцан, В. Г. Тырзиу, С. М. Колосенко // Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1980. - Nr. 3. - P. 82-83.
  440. Особенности роста совершенных кристаллов магнитной полупроводниковой шпинели CdCr2Sе4 / Р. Ю. Ляликова, А. И. Меркулов, С. И. Радауцан, ... // VI Междунар. конф. по росту кристаллов: Тез. докл. - М., 1980. - Р. 365-366.
  441. Получение и исследование новых материалов полупроводниковой техники / редкол.: С. И. Радауцан (отв. ред.), …; АН МССР. Ин-т прикл. физики. - Ch.: Ştiinţa, 1980. - 184 p.
  442. Радауцан, С. И., Радул, В. А. К столетию со дня рождения академика А. Ф. Иоффе // Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1980. - Nr. 3. - P. 5-7.
  443. Радауцан, С. И., Цуркан, А. Е. Получение и исследование люминесцентных свойств фоточувствительных гетеропереходов на основе теллурида цинка // Фотоэлектрические свойства гетеропереходов. - Ch., 1980. - Р. 31-40.
  444. Радауцан, С. И. Тройные полупроводниковые халькогениды в оптоэлектронике // Тез. докл. Всесоюз. конф. «Материалы для оптоэлектроники». - Ужгород, 1980. - Р. 4-5.
  445. Радауцан, С. И. Электрические свойства фосфида кадмия, легированного медью // II Всесоюз. совещ. по глубоким уровням в полупроводниках, 22-24 окт 1980: Тез. докл. Ч. 2. - Ташкент, 1980. - Р. 105-106.
  446. Рост кристаллов, физико-химические и физические свойства магнитных полупроводниковых шпинелей типа CdCr2Sе4 / В. П. Бужор, Р. Ю. Ляликова, С. И. Радауцан, ... // VI Междунар. конф. по росту кристаллов: Тез. докл. - М., 1980. - Р. 373-374.
  447. ТермоЭДС и продольный эффект Нернста-Эттингсгаузена в монокристаллах магнитных полупроводниковых шпинелей системы CuyCr2Se4-zBrx / В. В. Цуркан, В. Г. Веселаго, С. И. Радауцан, В. Е. Тэзлэван // Физика твердого тела. - 1980. - Vol. 22, Nr. 4. - Р. 1170-1173.
  448. Ферромагнитный резонанс и ионы хрома переменной валентности в полупроводниковых халькогенидных шпинелях / А. Г. Гуревич, Л. М. Эмирян, Л. Н. Васильев, В. С. Оскотский. К. Г. Никифоров, С. И. Радауцан, В. Е. Тэзлэван // Изв. АН СССР. Сер. физическая. - 1980. - Vol. 44, Nr. 7. - P. 1147-1150.
  449. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов / редкол.: С. И. Радауцан (отв. ред.), …; АН МССР. Ин-т прикл. физики. - Ch.: Ştiinţa, 1980. - 184 p.
  450. Ширина линии ферромагнитного резонанса в магнитном полупроводнике CdCr2Se4, выращеннос методом химических транспортных реакций / Ю. М. Яковлев, В. В. Петров, С. И. Радауцан, …// VI Междунар. конф. по гиромагнитной электронике и электродинамике, Вильнюс, 8-14 окт., 1980. Vol. 4. - М., 1980. - Р. 86-91.
  451. Электрические характеристики двойных поверхностно-барьерных диодов на основе CdGa2S4 / Н. С. Грушко, В. С. Дону, В. Ф. Житарь, С. И. Радауцан // Получение и исследование новых материалов полупроводниковой техники. - Ch., 1980. - Р. 90-98.
  452. 1981
  453. Tsurkan, V. V., Radautsan, S. I., Tezlevan, V. E. Influence of Anion Substitution on the conductivity in Magnetic CuyCu2Se4-2Bvx semiconductors // Phys. Status Solidi. - 1981. - Vol. 68(A). - P. K93-K96.
  454. Булярский, С. И., Радауцан, С. И. Определение параметров глубоких рекомбинационных центров с помощью модифицированного метода термостимулированной емкости // Физика и техника полупроводников. - 1981. - Vol. 15, Nr. 7. - P. 1443-1446.
  455. Влияние легирующих примесей на механические свойства монокристаллов CdCr2Se, выращенных методом газотранспортных реакций / Р. Ю. Ляликова, А. И. Меркулов, С. И. Радауцан, В. Е. Тэзлэван // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. - 1981. - Vol. 17, Nr. 2. - P. 373-374.
  456. Влияние радиационных дефектов на механические свойства магнитных полупроводников CdCr2Se4 и CdCr2S4 / Р. П. Житару, В. П. Бужор, К. Г. Никифоров, С. И. Радауцан, В. Е. Тэзлэван // Междунар. конф. по радиационной физике полупроводников. - Тбилиси, 1981. - P. 733-736.
  457. Влияние условий роста эпитаксиальных слоев ZnxCdI-xTe на их структуру и электрические свойтсва // С. И. Радауцан, О. Г. Максимова, О. В. Куликова, Н. Н. Филипп // Тез. докл. Всесоюз. конф. по физике и технологии тонких пленок. - Ивано-Франковск, 1981. - Р. 120.
  458. Выращивание совершенных монокристаллов селенохромита кадмия и их физико-химические характеристики / А. И. Меркулов, Р. Ю. Ляликова, С. И. Радауцан, ... // Изв. АН СССР. Неорган. материалы. - 1981. - Vol. 17, Nr. 5. - P. 926-927.
  459. Житарь, В. Ф., Радауцан, С. И., Мачуга, А. И. Стимулированное излучение в тиогаллате кадмия при электронном возбуждении // Оптика и спектроскопия. - 1981. - Nr. 51. - P. 948-950.
  460. Зонная структура арсенида галлия / Е. К. Арушанов, А. Н. Князев, С. И. Радауцан, А. Н. Натепров // Тез. докл. конф. стран SEV по узкозонным полупроводникам. - М., 1981.
  461. Зонные параметры арсенида кадмия / Е. К. Арушанов, А. Н. Князев, А. Н. Натепров, С. И. Радауцан // Физика и техника полупроводников. - 1981. - Vol. 15, Nr. 9. - P. 1839-1841.
  462. Исследование вынужденного излучения в фосфиде кадмия / Е. К. Арушанов, Л. Л. Кулюк, А. Н. Натепров, С. И. Радауцан, А. А. Станов // Физика и техника полупроводников. - 1981. - Vol. 15, Nr. 3. - P. 585-588.
  463. Исследование фундаментальных оптических переходов в CdGa2S4 методами модуляционной спектроскопии / А. Н. Георгобиани, Ю. В. Озеров, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну // Физика твердого тела. - 1981. - Vol. 23, Nr. 7. - P. 2094-2099.
  464. Магнитная анизотропия ферромагнитного полупроводника Cu0,84Se3,44Br0,64 / В. В. Цуркан, А. Г. Гуревич, А. С. Шукуров, Л. М. Эмирян, С. И. Радауцан, В. Е. Тэзлэван // Физика твердого тела. - 1981. - Vol. 23, Nr. 4. - P. 1163-1165.
  465. Меркулов, А. И., Радауцан, С. И., Тэзлэван, В. Е. Влияние катионных и анионных вакансий на электрические и магнитные характеристики монокристаллов CdCr2Se4 // XV Всесоюз. конф. по физике магнитных явлений: Тез. докл. Ч. 1. - Пермь, 1981. - P. 194-195.
  466. Меркулов, А. И., Радауцан, С. И., Тэзлэван, В. Е. Особенности электропроводности монокристаллов CdCr2Se4 при замещении кадмия индием // Физика твердого тела. - 1981. - Vol. 23, Nr. 6. - P. 1795.
  467. Меркулов, А. И., Радауцан, С. И., Тэзлэван, В. Е. Получение точечных омических контактов на монокристаллах CdCr2Se4 // Приборы и техника эксперимента. - 1981. - Nr. 2. - P. 229-230.
  468. Меркулов, А. И., Радауцан, С. И., Тэзлэван, В. Е. Фотопроводимость монокристаллов CdCrSe4, легированных золотом // Изв. Ан МССР. Серия физ.-техн. и матем. наук. - 1981. - Nr. 1. - P. 81-82.
  469. Никифоров, К. Г., Радауцан, С. И., Тэзлэван, В. Е. Сульфохромит кадмия / Отв. ред. В. Е. Житарь. - Ch.: Ştiinţa, 1981. - 126 p.
  470. Определение характера и направления дислокации в CdCr2Se4 по форме и структуре ямок травления / Р. Ю. Ляликова, А. И. Меркулов, С. И. Радауцан, В. Е. Тэзлэван // Физика твердого тела. - 1981. - Vol. 23, Nr. 1. - P. 331-332.
  471. Параметры фотоприемника ультрафиолетового излучения на сонове тиогаллата кадмия / В. С. Дону, В. Ф. Житарь, С. И. Радауцан, Е. Е. Струмбан // Электронная обработка материалов. - 1981. - Nr. 1. - P. 80-84.
  472. Радауцан, С. И., Тэзлэван, В. Е., Никифоров, К. Г. Выращивание монокристаллов CdCr2S4 и изучение влияния структурных дефектов на их физические свойства // Процессы роста полупроводниковых кристаллов и пленок. – М., 1981. – Р. 260-263.
  473. Радауцан, С. И., Цуркан, А. Е., Медвецкий, С. П. Гибридные структуры Si-SiO2-A2B6-(A3B5) // Физика и техника полупроводников. - 1981. - Vol. 15, Nr. 5. - P. 1009-1011.
  474. Радауцан, С. И., Цуркан, А. Е., Медвецкий, С. П. Гибридные структуры с малой плотностью поверхностных состояний на границе раздела // Изв. Ан МССР. Серия физ.-техн. и матем. наук. - 1981. - Nr. 2. - P. 69-70.
  475. Радауцан, С. И., Максимова, О. Г. Достижения физики и химии полупроводников в Молдавской ССР в 1976-1980 годах // Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1981. - Nr.3. - P. 21-28.
  476. Радауцан, С. И., Сырбу, Н. Н. Решеточное поглощение кристаллов с большим числом атомов в элементарной ячейке // Полупроводниковые структуры и электронные приборы контроля и управления: Вопросы электроники: межвуз. сб. - Ch., 1981. - P. 3-8.
  477. Радауцан, С. И., Симонов, Ю. Трудный поиск: (О развитии науки в республике) // Сов. Молдавия. - 1981. - 18 окт.
  478. Сырбу, Н. Н., Стамов, И. Г., Радауцан, С. И. Тонкая структура уровней поглощения в кристаллах ZnP2 // Изв. АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1981. - Nr.3. - P. 10-20.
  479. Циуляну, И. И., Максимова, О. Г., Радауцан, С. И. Низкотемпературная эпитаксия фосфида индия на кремнии // I Всес. конф. по физике магнитных явлений: Тез. докл. Ч. 1. - Пермь, 1981. - Р. 194-195.
  480. Цуркан, А. Е., Ребров, С. А., Радауцан, С. И. Поверхностные состояния границы раздела InP-nTe // Тез. докл. Всес. конф. по физике соединений А3В5. - Новосибирск, 1981.
  481. Электронно-микроскопические исследования гетероструктур ZnxCd1-xTe-InSb / С. И. Радауцан, О. Г. Максимова, Ф. И. Кожокарь, … // Тез. докл. II Респ. науч.-техн. конф. по электронной микроскопии. - Chişinău, 1981. - P. 43.
  482. Эффект фотопямяти в гетероструктурах СdTe-InSb / И. В. Варламов, Л. А. Вьюков, О. В. Куликова, С. И. Радауцан // Физика и техника полупроводников. - 1981. - Vol. 15, Nr. 12. - P. 2423-2426.
  483. Явления переноса в арсениде кадмия, легированном элементами I и IV групп / Е. К. Арушанов, А. Ф. Князев, А. Н. Натепров, С. И. Радауцан // Физика и техника полупроводников. - 1981. - Vol. 15, Nr. 7. - P. 1433-1436.
  484. 1982
  485. Bulyarskii, S. V., Radautsan, S. I., Ambrozhevich, A. S. Thermally stimulated noise in GaP p-n junctions // Phys. Status Solidi. - 1982. - Vol. 72(A). - Nr. 1 - P. K77-K78.
  486. Effect of nonstoichiometry on ferromagnetic resonance in CdCr2S4 cristals / K. G. Nikiforov, A. G. Gurevich, S. I. Radautsan, V. E. Tezlevan // Phys. Status Solidi. - 1982. - Vol. 72(A). - Nr. 1 - P. K37-K39.
  487. Georgobiani, A. N., Radautsan, S. I., Tiginyanu, I. M. Electroabsorption and non-equilibrium carrier recombination in Cd Ga2S4 single crystals // Phys. Status Solidi. - 1982. - Vol. 69(A). - Nr. 2 - P. 513-520.
  488. Merkulov, A. I., Radautsan, S. I., Tezlevan, V. E. Growt and physical properties of CdCr2Se4 defect sinde crystals // J. Cryst. Growth. - 1982. - Vol. 57, Nr. 3. - P. 563-569.
  489. Radauţan, S. Oglinda fermecată şi electronica modernă: (Realizările savanţilor de la In-tul de fizica aplicată a AŞ a RSSM) // Mold. Soc. - 1982. - 26 oct.
  490. Взаимодействие In2S3, CdIn2S4, CaCr2Se4 с хлоридом кадмия и рост монокристаллов из раствора в расплаве / Р. Ю. Ляликова, С. А. Рацеев, C. И. Радауцан, … // IV Всесоюз. совещание «Диаграммы состояния металических систем». - М., 1982. - Р. 131.
  491. Взаимодействие в псевдобинарной системе CdS-Ga2S3 / Ю. О. Дерид, В. Ф. Житарь, О. П. Дерид, С. И. Радауцан // IV Всесоюз. совещание «Диаграммы состояния металических систем». - М., 1982. - Р. 131-139.
  492. Влияние легирования цинком на электрические свойства гетеропереходов Si-CaSe3 / C. И. Радауцан, М. П. Тырзиу, В. Г. Тырзиу, С. М. Колосенко // Изв. АН МССР. Серия физ.-техн. и матем. наук. - 1982. - Nr. 2. - P. 64-66.
  493. Влияние радиационного облучения на механические свойства монокристаллов магнитных полупроводниковых шпинелей / В. П. Бужор, Р. П. Житару, Р. Ю. Ляликова, С. И. Радауцан, ... // Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов. - Ch., 1982. - Р. 90.
  494. Выращивание монокристаллов Cd1-xMxCr2Se4 / А. И. Меркулов, В. Е. Тэзлэван, С. И. Радауцан, Р. Ю. Ляликова // Известия АН СССР. Неорг. материалы. - 1982. - Vol. 18, Nr. 6. - P. 973-975.
  495. Георгобиани, А. Н., Тигиняну, И. М., Радауцан, С. И. О природе локальных центров в некоторых соединениях A2B6 и A2B23C46 // Всесоюз. конф. по физике полупроводников. - Баку, 1982.
  496. Дислокации и свойства легированных монокристаллов CdCr2Se4 / Р. Ю. Ляликова, А. И. Меркулов, С. И. Радауцан, В. Е. Тэзлэван // Физика твердого тела. - 1982. - Vol. 24, Nr. 6. - P. 1831-1833.
  497. Закономерности образования фаз с переменной концентрацией собственных дефектов в системе CdS-Ga2S3 / Т. И. Бабюк, Г. В. Мочарнюк, С. И. Радауцан, Л. С. Коваль // VI конф. По процессам роста и синтаза полупроводниковых структур. Т. 1. - Новосибирск, 1982. - Р. 306-307.
  498. Зонные параметры твердых растворов арсенид кадмия - арсенид цинка / А. Ф. Князев, С. И. Радауцан, М. М. Маркус, А. Н. Натепров // Материалы V Всесоюз. координационного совещания по полупроводниковым соединениям А2В6. - Душанбе, 1982. - Р. 114.
  499. Изменение излучательных и фотоэлектрических свойств CdGa2S4 после термообработки или ионного внедрения / А. Н. Георгобиани, В. С. Дону, С. И. Радауцан, … // Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов. - Ch., 1982. - Р. 57.
  500. Лазерное излучение в твердых растворах Cd3(AsxP1-x)2 / Е. К. Арушанов, Л. Л. Кулик, Л. Н. Лукьянова, А. Н. Натепров, С. И. Радауцан, А. А. Штанов // Квантовая электроника. - 1982. - Vol. 9, Nr. 9. - P. 1926-1928.
  501. Магнетофонный резонанс в р-CdSb / Е. К. Арушанов, А. В. Лашкул, Д. В. Машковец, Р. В. Парфеньев, В. И. Пругло, С. И. Радауцан, В. В. Сологуб // Материалы V Всесоюз. координационного совещания по полупроводниковым соединениям А2В6. - Душанбе, 1982. - Р. 248.
  502. Максимова, О. Г., Радауцан, С. И. Гетеропереходы на основе соединений А2В6 гетеровалентных биполярных и тройных фаз // III Всесоюз. конф. по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах: Тез. докл.: Т. 1. - Одесса, 1982.
  503. Материалы для полупроводниковой электроники / редкол.: С. И. Радауцан, … - Ch.: Ştiinţa, 1982.
  504. Наука Советской Молдавии: сб. ст. / сост.: О. Ю. Тарасов, В. И. Уваров; отв. ред.: С. И. Радауцан; АН МССР. Комис. по истории науки и техники. - Ch.: Ştiinţa, 1982. - 200 p.
  505. О природе центров фоточувствительности в монокристаллах CdGa2S4 / А. Н. Георгобиани, В. С. Дону, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну // IV Конф. по фотоэлектрическим явлениям в полупроводниках. - Одесса, 1982. - Р. 86-87.
  506. Осцилляции Шубникова-де-Гааза BCd3(ASO.7PO.3)2 / Е. К. Арушанов, А. В. Лашкул, Л. Н. Лукьянова, А. Н. Натепров, С. И. Радауцан, В. В. Сологуб // Физика и техника полупроводников. - 1982. - Vol. 16, Nr. 10. - P. 1888-1890.
  507. Осцилляции Шубникова-де-Гааза Bn-CdSl / Е. К. Арушанов, А. В. Лашкул, Д. В. Машковец, В. И. Пругло, С. И. Радауцан // Докл. АН СССР. - 1982. - Vol. 263, Nr. 5. - P. 1112-1114.
  508. Осцилляционные явления в антимониде кадмия / Е. К. Арушанов, А. В. Лашкул, Д. В. Машковец, С. И. Радауцан, ... // Труды Всесоюз. конф. по физике полупроводников.Т. 1. - Баку, 1982. - Р. 96-98.
  509. Осцилляция Шубникова-де-Гааза в р-CdSb / Е. К. Арушанов, А. В. Лашкул, В. И. Пругло, С. И. Радауцан, В. В. Сологуб // Докл. АН СССР. - 1982. - Vol. 263, Nr. 1. - P. 71-73.
  510. Полупроводниковые материалы для твердотельной электроники : сб. ст. / редкол.: С. И. Радауцан (отв. ред.), …; АН МССР. Ин-т прикл. физики. - Ch.: Ştiinţa, 1982. - 246 p.
  511. Проводимость и эффект Холла в монокристаллах магнитной шпинели CuCr2Se4 / В. В. Цуркан, К. М. Голант, И. М. Юрин, С. И. Радауцан, ... // Физика твердого тела. - 1982. - Vol. 24, Nr. 11. - P. 3465-3467.
  512. Процессы релаксации при ферромагнитном резонансе в хромовой халькогенидной шпинели / К. Г. Никифоров, В. Е. Тэзлэван, С. И. Радауцан, … // XXII Всесоюз. совещание по физике низких температур. Ч. 1. - Ch., 1982. - P. 13-14.
  513. Радауцан, С. И., Ляху, Г. Л., Молодян, И. П. Выращивание и некоторые свойства объемных кристаллов фосфида индия / // Полупроводниковые материалы для твердотельной электроники. - Ch., 1982. - Р. 75-82.
  514. Радауцан, С. И. Ленинградская школа: (О работе молдавских ученых АН МССР) // Сов. Молдавия. - 1982. - 19 дек.
  515. Радауцан, С. И., Дерид, О. П., Дынту, Г. М. Построение поверхности ликвидуса тройной системы с использованием методов математического планирования экспериментов // Изв. АН Латв.ССР. Сер. физ. и техн. наук. - 1982. - Nr. 6. - Р. 15-17.
  516. Радауцан, С. И., Максимова, О. Г. Развитие исследований в области физики и химии полупроводников в Молдавской ССР (1971-1980 гг.) // Полупроводниковые материалы для твердотельной электроники. - Ch., 1982. - Р. 3-11.
  517. Радауцан, С. И., Шейнфельд, В. Л. Расчет кривой ликвидуса в квазибинарной системе CdTe-In // Изв. АН MССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1982. - Nr. 2. - Р. 59-62.
  518. Рекомбинационное излучение в твердых растворах Cd3(AsxP1-x)2 / Л. Л. Кулик, Л. Н. Лукьянова, С. И. Радауцан, ... // Материалы V Всесоюз. координационного совещания по полупроводниковым соединениям А2В6. - Душанбе, 1982. - Р. 115.
  519. Релаксация тока в фотоприемниках на основе тиогаллата кадмия / В. Е. Житарь, В. С. Дону, С. И. Радауцан, Е. Е. Струмбан // Электронная обработка материалов. - 1982. - Nr. 5. - Р. 54-58.
  520. Рентгенографическое исследование фазового перехода в соединении CdIn2Te4 / О. П. Дерид, В. Ф. Житарь, Ю. О. Дерид, С. И. Радауцан // XII Всесоюз. совещание по применению рентгеновских лучей. - Черноголовка, 1982. - Р. 100.
  521. Сырбу, Н. Н., Стамов, И. Г., Радауцан, С. И. Свободные экситонные состояния и обратная серия линии поглощения в фосфиде цинка // Изв. АН МССР. Серия физ.-техн. и матем. наук. - 1982. - Nr. 1. - P. 27-34.
  522. Сырбу, Н. Н., Стамов, И. Г., Радауцан, С. И. Тонкая структура линий поглощения в кристаллах ZnP2 моноклинной модификации // Доклады АН СССР. - 1982. - Vol. 262, Nr. 5. - P. 1138-1142.
  523. Термодинамический анализ процесса перехода полупроводниковой магнитной шпинели CdCr2Se4 / Р. Ю. Ляликова, А. И. Меркулов, С. И. Радауцан, В. Е. Тэзлэван // Известия АН СССР. Неорг. материалы. - 1982. - Vol. 18, Nr. 12. - P. 1968-1971.
  524. Физико-химические свойства дефектных монокристаллов селенохромита кадмия / А. И. Меркулов, Р. Ю. Ляликова, С. И. Радауцан, В. Е. Тэзлэван // Полупроводниковые материалы для твердотельной электроники. - Ch., 1982. - Р. 115-130.
  525. Фотовольтаический эффект в структуре Si-SiO2-InAs / Л. А. Вьюков, С. П. Медвецкий, С. И. Радауцан, А. Н. Солаков // III Всесоюз. конф. по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах: Тез. докл.: Т. 1. - Одесса, 1982. - Р. 117-119.
  526. Цуркан, А. Е., Радауцан, С. И. Низкотемпературные особенности кинетических свойств и магнитно-кристаллическая анизотропия монокристаллов ферромагнитной шпинели CuCr2Se4 // XXII Всесоюз. совещание по физике низких температур. Ч. 1. - Ch., 1982. - P. 113-114.
  527. Эффект Шубникова-де-Гааза в антимониде кадмия / Е. К. Арушанов, А. В. Лашкул, В. И. Пругло, С. И. Радауцан, В. В. Сологуб // XXII Всесоюз. совещание по физике низких температур. Ч.1. - Ch., 1982. - Р. 186-187.
  528. Эффект Шубникова-де-Гааза в р-CdSb / А. В. Лашкул, В. И. Пругло, С. И. Радауцан, В. В. Сологуб // Материалы V Всесоюз. координационного совещания по полупроводниковым соединениям А2В6. - Душанбе, 1982. - Р. 121.
  529. 1983
  530. Coexistence of minority valence Cr2+ and Cr4+ ions in the ternary magnetic semiconductor CdCr2S4 / K. G. Nikiforov, S. I. Radautsan, V. E. Tezlevan, ... // Nuovo cim. - 1983. - D2. - Nr. 6: 5 Int. Conf. Ternary and Multinary Compounds, Cagliari, Sept. 14-16. - 1982. - Pap. 1891-1894.
  531. Dicţionar politehnic rus-moldovenesc / N. Abageru, A. Gorciac, V. Zavronitcii, ...; sub red. lui S. I. Radauţan. - Ch.: Red. princ. a ESM, 1983. - 740 p.
  532. Photoelectric investigation of recombination centre parameters in InP(Fe) / L. Z. Mirets, G. P. Peka, S. I. Radautsan, E. V. Russu // Phys. Status Solidi. - 1983. - Vol. 79(A), Nr. 2. - P. 593-597.
  533. Radautsan, S. I. Preparation and characterization of ternary magnetic semiconductors // Nuovo cim. - 1983. - D2. - Nr. 6: 5 Int. Conf. Ternary and Multinary Compounds, Cagliari, Sept. 14-16. - 1982. - Pap. 1782-1789.
  534. Radautsan, S. I., Tsurcan, V. V., Tezlevan, V. E. Transport phenomena and magneticion exchange in ferromagnetic CuyCr2Se4-zBrx spinel single cristals // Nuovo cim. - 1983. - D2. - Nr. 6: 5 Int. Conf. Ternary and Multinary Compounds, Cagliari, Sept. 14-16. - 1982. - Pap. 1823-1827.
  535. Role of impurity to the formation of centers in CdGa2S4 single crystals / A. N. Georgobiani, A. N. Gruzintsev, S. I. Radautsan, I. M. Tiginyanu // Phys. Status Solidi (a). - 1983. - Vol. 80, Nr. 2. - P. K45-K48.
  536. Switching effect based on the N-shaped negative differential resistance in n-CdCr2Se4 single cristals / K. G. Nikiforov, V. P. Buzhor, S. I. Radautsan, V. E. Tezlevan // Phys. status solidi - 1983. - Vol. A80, Nr. 2. - P. K149-K151.
  537. The contribution of iodine impurity to the formation of centers in CdGa2S4 single cristals / A. N. Georgobiani, A. N. Gruzintsev, S. I. Radautsan, I. M. Tiginyanu // Phys. status solidi (a). - 1983. - Vol. A80, Nr. 1. - P. K45-K58.
  538. Zhitar, V. F., Raylyan, V. Ya., Radautsan, S. I. The peculiarities of ZnIn2S4 luminescence // Nuovo cim. - 1983. - D2. - Nr. 6. - 5 Int. Conf. Ternary and Multinary Compounds, Cagliari, Sept. 14-16. - 1982. - Pap. 1919-1922.
  539. Газовая эпитаксия гетероструктур InP-InxGa1-xAs хлоридным методом / Е. В. Руссу, В. Г. Смирнов, С. И. Радауцан, … // IV Всесоюз. конф. «Тройные полупроводники и их применение»: Тез. докл. - Ch., 1983. - Р. 208.
  540. Глубокие центры в нелигированных и легированных железом монокристаллах фосфида индия / А. Н. Георгобиани, А. В. Микуленок, Е. И. Панасюк, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну // Физика и техника полупроводников. - 1983. - Vol. 17, Nr. 4. - P. 593-598.
  541. Житарь, В. Ф., Молодян, Н. А., Радауцан, С. И. Фотопроводимость легированных монокристаллов ZnIn2S4 после переключения // Физика и техника полупроводников. - 1983. - Vol. 17, Nr. 6. - P. 1133-1134.
  542. Зависимость ширины запрещенной зоны Cd 3-x ZxnAs2 / Е. К. Князев, А. Н. Натепров, С. И. Радауцан, Е. К. Арушанов // Физика и техника полупроводников. - 1983. - Vol. 17, Nr. 7. - P. 1202-1204.
  543. Изменение излучательных свойств тиголлата кадмия при вариации состава в пределах области гомогенности / А. Н. Георгобиани, Ю. С. Дерид, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну // Краткие сообщения по физике. - 1983. - Nr. 8. - P. 46-51.
  544. Исследование бинарных полупроводников / А. М. Андриеш, Е. К. Арушанов, И. П. Молодян, В. П. Мушинский, Л. М. Панасюк, С. И. Радауцан, ... - Ch.: Ştiinţa, 1983. - 131 p.
  545. Комбинационное рассеяние света и симметрия колебательных мод в кристаллах GdSb // С. И. Радауцан, Е. К. Арушанов, Н. М. Белый, … // Докл. АН СССР. - 1983. - Vol. 272, Nr. 5. - P. 1125-1128.
  546. Максимова, О. Г., Куликова, О. В., Радауцан, С. И. Влияние границы раздела в аналогах MDP-структур ZnxCd1-xTe - InSb на их электрические свойства // Всесоюз. совещание «Физика и техническое применение полупроводников А2В6»: Тез. докл. - Вильнюс, 1983. - Р. 125-126.
  547. Неоднородное поглощение света и поверхностная фотопроводимость в монокристаллах CdCr2Se4 / В. Г. Мошняга, С. И. Радауцан, В. Б. Анзин, В. Г. Веселаго // IV Всесоюз. конф. «Тройные полупрводники и их применение»: Тез. докл. - Ch., 1983. - Р. 27-28.
  548. Нестационарные, инжекционные токи в неупорядоченных твердых телах / В. И. Архипов, А. И. Руденко, А. М. Андриеш, …; ред.: С. И. Радауцан. - Ch.: Ştiinţa, 1983. - 175 p.
  549. Особенности кинетических явлений в монокристаллах ферромагнитной шпинели CuCr2Se4 / С. И. Радауцан, В. В. Цуркан, Г. А. Рацеев, К. М. Голант // XVI Всесоюз. конф. по физике магнитных явлений: Тез. докл. - Тула, 1983. - Р. 38-39.
  550. Подвижность электронов в n-Cd3-xZnxAuxAs2 / Е. К. Арушанов, А. Ф. Князев, К. Г. Лизунов, А. Н. Натепров, С. И. Радауцан // Физика и техника полупроводников. - 1983. - Vol. 17, Nr. 5. - P. 885-888.
  551. Полуметалы и узкозонные полупроводники под воиянием внешних воздействий / редкол.: С. И. Радауцан (отв. ред.), …; АН МССР. Ин-т прикладной физики. - Ch.: Ştiinţa, 1983. - 181 p.
  552. Получение методом ионной имплантации и исследование слоев n-типа на фосфиде индия для использования в полевых транзисторах / В. Д. Вернер, С. И. Радауцан, А. А. Пшеничный, Е. Е. Струмбан // IV Всесоюз. конф. «Тройные полупроводники и их применение»: Тез. докл. - Ch., 1983. - Р. 175.
  553. Получение слоев CdTe на InSb конденсацией в квазизамкнутом объеме / И. В. Варламов, Л. А. Вьюков, Ф. И. Кожокарь, О. Г. Максимова, С. И. Радауцан, ... // Известия АН СССР. Неорг. материалы. - 1983. - Vol. 19, Nr. 1. - P. 156-157.
  554. Радауцан, С. И., Новоселова, А. В., Радул, В. А. Вклад Н. А. Горюновой в развитие химии и физики сложных полупроводников // IV Всес. конф. «Тройные полупроводники и их применение». - Ch, 1983. - P. 3-4.
  555. Радауцан, С. И., Ребров, С. А., Цуркан, А. Е. Влияние поверхностных состояний на границе на электрические и люминесцентные свойства гетероперехода p-ZnTe - nInP // Физика и техническое применение полупроводников А2В6: Тез. докл. V Всес. совещ. Т. 2. - Вильнюс, 1983. - Р. 123-124.
  556. Радауцан, С. И., Цуркан, В. В., Рацеев, С. А. Рост кристаллов CuCr2Se4 из газовой фазы и их электрические свойства // VI Всесоюз. конф. по химии, физике и техническому применению халькогенидов: Тез. докл. - 1983.
  557. Радауцан, С. И., Циуляну, О. Г., Максимова, О. Г. Эпитаксия слоев фосфида индия на InP(Si) катодным восстановлением катионов In+3 + P+5 из ионных расплавов // Электронная обработка материалов. - 1983. - Nr. 2. - P. 52-54.
  558. Разработка технологии получения на основе тройных халькогенидов молибдена и низкоразмерных сверхпроводников типа А-15 / С. И. Радауцан, Д. П. Самусь, Е. В. Караев. - М., 1983. - 183 р. - Деп. В ВИНИТИ, Nr. 028300533610.
  559. Рекомбинационное излучение в твердых растворах Cd3(AsxP1-x)2 / Е. К. Арушанов, Л. Л. Кулюк, Л. Н. Лукьянова, С. И. Радауцан // Тезисы докладов V Всесоюз. координационного совещания по полупроводниковым соединениям А2В5. - М., 1983. - Р. 115.
  560. Рост и характеристика монокристаллов твердых растворов арсенид кадмия - арсенид цинка / С. И. Радауцан, Е. К. Арушанов, А. Ф. Князев, … // Полиметаллы и узкозонные полупроводники под влиянием внешних воздействий. - Ch., 1983. - P. 143-147.
  561. Рост и характеристика твердых растворов Cd3(AsxP1-x)2 / С. И. Радауцан, Е. К. Арушанов, Л. Н. Лукьянова, … // Изв. АН МССР. Сер. Физ.-техн. и матем. наук. - 1983. - Nr. 2. - P. 50-53.
  562. Собственные дефекты в тиогаллате кадмия при отклонении состава монокристаллов от стехиометрии / С. И. Радауцан, Ю. О. Дерид, И. М. Тигиняну, О. П. Дерид; Кишиневский политехнический институт. - Ch., 1983. - 17 p.
  563. Статические вольт-амперные характеристики CdCr2Se4 / В. Б. Бужор, К. Г. Никифоров, С. И. Радауцан, В. Е. Тэзлэван // Физика твердого тела. - 1983. - Vol. 25, Nr. 9. - P. 2778-2780.
  564. Тройные полупроводники и их применение: Всес. конф., 6-8 июня, 1983: Тез. докл. / Ред. С. И. Радауцан. - Ch., 1983. - 311 p.
  565. Эпитаксиальные пленки твердых растворов системы ZnTe=CdTe на подложках из антимонида индия / С. И. Радауцан, О. В. Куликова, О. Г. Максимова, … // Известия АН СССР. Неорг. материалы. - 1983. - Vol. 19, Nr. 3. - P. 366-369.
  566. Явления перехода в твердых растворах арсенид кадмия и арсенид цинка / С. И. Радауцан, Е. К. Арушанов, А. Ф. Князев, А. Н. Натепров // Полуметаллы и узкозонные полупроводники под влиянием внешних воздействий. - Ch., 1983. - Р. 139-143.
  567. 1984
  568. Hall effect and conductivity of ferromagnetic CuCr2Se4 single cristals / V. V. Tsurkan, S. A. Ratseev, V. E. Tezlevan, S. I. Radautsan // Progr. Cryst. Growth and Charact. - 1985. - 10, Nr. 1-4: Proc. 6 Int. Conf. Ternary and Multinary Compounds., Caracas, Aug. 15-17. - 1984. - P. 385-389.
  569. Negative differential resistance and switching effect in ternary magnetic semiconductors / S. I. Radautsan, V. P. Buzhor, K. G. Nikiforov, L. Y. Pasenko // Progr. Cryst. Growth and Charact. - 1985. - 10, Nr. 1-4: Proc. 6 Int. Conf. Ternary and Multinary Compounds., Caracas, Aug. 15-17. - 1984. - P. 391-395.
  570. New Zn3InGaS6 phase and its main properties / S. I. Radautsan, V. Ya. Raylyan, I. I. Tsiulyanu, ... // Progr. Cryst. Growth and Charact. - 1985. - 10, Nr. 1-4: Proc. 6 Int. Conf. Ternary and Multinary Compounds., Caracas, Aug. 15-17. - 1984. - P. 397-401.
  571. Peculiarities of ferromagnetic resonance in HgCr2Se4 / K. G. Nikiforov, L. Y. Pasenko, S. I. Radautsan, ... // Progr. Cryst. Growth and Charact. - 1985. - 10, Nr. 1-4: Proc. 6 Int. Conf. Ternary and Multinary Compounds., Caracas, Aug. 15-17. - 1984. - P. 379-283.
  572. Radautsan, S. I., Rebrov, S. A., Tsurkan, A. E. Some properties of ZnTe-InP heterojunctions // Phys. Status Solidi. - 1984. - Vol. 84(A), Nr. 2. - P. K169-K171.
  573. Radautsan, S. I., Georgobiani, A. N., Tiginyanu, I. M. II-III2-VI4 compounds: properties and trends for applications / // Progr. Cryst. Growth and Charact. - 1985. - 10, Nr. 1-4: Proc. 6 Int. Conf. Ternary and Multinary Compounds., Caracas, Aug. 15-17. - 1984. - P. 403-412.
  574. Recombination radiation of proton-irradiated InP / S. I. Radautsan, O. D. Knob, L. L. Kulyuk, E. E. Strumban // Czechosl. journal. - 1984. - Vol. 34B, Nr. 3. - P. 747-748.
  575. Vibrational properties of CdGa2S4 / H. Neuman, H. Sobotta, N. N. Syrbu, S. I. Radautsan, V. Riede // Crist. Res. and Technol. - 1984. - Vol. 19, Nr. 5. - P. 709-714.
  576. Демина, Т. В., Радауцан, С. И. Выращивание монокристаллов CdGa2Te4 и их механические свойства // Известия АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1984. - Nr. 2. - P. 62-63.
  577. Излучательная рекомбинация в тиоиндате цинка / А. Н. Георгобиани, В. Ф. Житарь, А. И. Мачуга, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну // Краткие сообщения по физике. - 1984. - Nr. 4. - P. 34-37.
  578. Кинетика люминесценции монокристаллов CdIn2S4 / Л. Л. Кулюк, С. И. Радауцан, Е. Е. Струмбан, В. Е. Тэзлэван // Физика и техника полупроводников. - 1984. - Vol. 18, Nr. 3. - P. 534-536.
  579. Коротченков, Г. С., Молодян, И. П. Барьеры Шоттки, собственные окислы и МОР структуры на фосфиде индия / отв. ред. С. И. Радауцан. - Ch.: Ştiinţa, 1984. - 115 p.
  580. Кулюк, Л. Л., Радауцан, С. И., Штанов, А. А. Особенности спектров люминесценции фосфида кадмия // IV Всесоюз. совещание «Материаловедение полупроводниковых соединений группы А2В5»: Тез. докл. - М., 1984. - Р. 307.
  581. Лазерная генерация в слоях In0,53Ga0,47As/InP (λ = 1.53 MKM) при оптической накачке / Л. Л. Кулюк, С. И. Радауцан, Е. В. Руссу, … // Письма в ЖТФ. - 1984. - Vol. 10, Nr. 18. - P. 1099-1102.
  582. Максимова, О. Г., Куликова, О. В., Радауцан, С. И. Вольт-амперные характеристики гетерпереходов p-ZnxCd1-xTe-n-InSb // Материалы для полупроводниковой электроники. - Ch., 1984. - P. 28-31.
  583. Материалы для полупроводниковой электроники: сб. ст. / редкол.: С. И. Радауцан, … - Ch.: Ştiinţa, 1984. - 200 p.
  584. Молдовян, Н. А., Житарь, В. Ф., Радауцан, С. И. Детекторы ультрафиолетового излучения для биологии и сельского хозяйства // I Респ. конф. по биофизике. - Ch., 1984.
  585. Отрицательное дифференциальное сопротивление и эффект переключения в магнитном полупроводнике CdCr2S4 / C. И. Радауцан, В. П. Бужор, К. Г. Никифоров, В. Е. Тэзлэван // Докл. АН СССР. - 1984. - Vol. 276, Nr. 5. - P. 1110-1113.
  586. Отрицательное магнетосопротивление в p-CdSb / C. И. Радауцан, Е. К. Арушанов, К. Г. Лисунов, В. В. Сологуб // Тезисы VI Всесоюз. коорд. совещ. «Материаловедение полупроводниковых соединений А2В5», Каменец-Подольский. - М., 1984. - Р. 97.
  587. Радауцан, С. И., Радул, В. А. Развитие полупроводникового материаловедения в СССР // Материалы для полупроводниковой электроники. - Ch., 1984. - P. 3-14.
  588. Радауцан, С. И., Рацеев, С. А., Тэзлэван, В. Е. Рост кристаллов магнитных полупроводников и создание приборных структур на их основе // Сегнетомагнетики и магнитные полупроводники: Всесоюз. семинар. - М., 1984.
  589. Развитие науки в Молдавской ССР / редкол.: А. А. Жученко, …, С. И. Радауцан. - Ch.: Ştiinţa, 1984. - 431 p.
  590. Развитие физики / Т. И. Малиновский, В. А. Москаленко, С. Ф. Москаленко, В. А. Коварский, У. Е. Перлин, С. И. Радауцан, А. М. Заморзаев // Развитие науки в Молдавской ССР. - Ch., 1984. - Р. 48-73.
  591. Рекомбинационные излучения в монокристаллах CdIn2S4Cr / И. И. Жеру, Л. Л. Кулюк, С. И. Радауцан, … // Физика и техника полупроводников. - 1984. - Vol. 18, Nr. 9. - P. 1707-1709.
  592. Симметрия колебательных мод и комбинационное рассеяние света в кристаллах CdSb / С. И. Радауцан, Е. К. Арушанов, Н. М. Белый, … // Укр. физ. журнал. - 1984. - Vol. 29, Nr. 7. - P. 985-988.
  593. Синяя люминесценция в тиогаллате кадмия / С. И. Радауцан, В. Ф. Житарь, А. М. Мачуга, М. В. Чукичев // Оптика и спектроскопия. - 1984. - Nr. 10. - P. 1-4.
  594. Солнечные элементы со структурой металл-диэлектрик-полупроводник на основе р-InP / С. И. Радауцан, Е. В. Руссу, М. А. Руссу, … // Докл. АН СССР. - 1984. - Vol. 274, Nr. 5. - P. 1095-1098.
  595. Цуркан, В. В., Радауцан, С. И., Тэзлэван, В. Е. Магнитные полупроводники на основе селенохромита меди / Отв. ред. С. Д. Шутов. - Ch.: Ştiinţa, 1984. - 118 p.
  596. 1985
  597. Hall effect and Conductivity of Ferromagnetic CuCv2Se4 single cristals / V. V. Tsurcan, S. A. Ratseev, V. E. Tezlevan, S. I. Radautsan // Progress in Cristal Growth and Characterization. - 1985. - Vol. 10. - P. 385-389.
  598. On the influence of electron and γ-irradiation on absorption and photoconductivity of ZnIn2S4 single crystals / A. Turcovic, B. Petrivic, B. Etlinger, S. I. Radautsan, ... // Fizika (Zagreb). - 1985. - Vol. 17, Nr. 1. - P. 7-11.
  599. On the influence of nonstoichiometry on luminescent properties of CdGa2S4 single crystals / Yu. O. Derid, A. N. Georgobiani, A. N. Gruzintzev, S. I. Radautsan, I. M. Tiginyanu // Cryst. Res. and Technol. - 1985. - Vol. 20, Nr. 6. - P. 857-861.
  600. Picosecond spectroscopy and photoconductivy of n-InP / H. Bergner, V. Bruckner, F. Kerstan, L. L. Kulyuk, S. I. Radautsan, E. E. Strumban // Phys. status solidi. - 1985. - Vol. A90, Nr. 2. - P. K205-K208.
  601. Radautsan, S. I., Georgobiani, A. N., Tiginyanu, I. M. II-III2-VI4 compounds: properties and trends for applications // Progr. Cryst. Growth and charact. - 1985. - Vol. 10, Nr. 1. - P. 403-412.
  602. Stimulated emission spectra and valence band structure in the Cd3(AsxP1-x)2 system / E. K. Arushanov, L. L. Kulyk, L. M. Lukyanova, A. N. Nateprov, S. I. Radautsan, A. A. Shtanov // Phys. status solidi. - 1985. - Vol. B128, Nr. 2. - P. 583-589.
  603. The contribution of the exciton-phonon interaction and cation disorder to near-band-edge extrinsic absorption in II-IIIaVI4 compounds / A. N. Georgobiani, V. V. Ursaki, S. I. Radautsan, I. M. Tiginyanu // Solid State Commun. - 1985. - Vol. 56, Nr. 2. - P. 155-157.
  604. Time characteristics of the photoluminescence in CdIn2S4 : Cr single cristals / L. L. Kulyuk, S. I. Radautsan, S. A. Ratseev, ... // Progr. Crist. Growth and Charact. - 1985. - Vol. 10, Nr. 1-4. - P. 373-378.
  605. Влияние методов получения монокристаллов CdSb на их физические свойства / С. И. Радауцан, Е. К. Арушанов, М. И. Вальковская, В. И. Пругло // III Всес. конф. по росту кристаллов. - Харьков, 1985.
  606. Влияние отжига на ферромагнитный резонанс в HgCr2Se4 / К. Г. Никифоров, Л. А. Пасенко, Л. М. Эмирян, А. Г. Гуревич, С. И. Радауцан, В. Е. Тэзлэван // Физика твердого тела. - 1985. - Vol. 27, Nr. 1. - P. 22-30.
  607. Георгобиани, А. Н., Радауцан, С. И., Тигиняну, И. М. Широкозонные полупроводники АIIB2C4IV : оптические и фотоэлектрические свойства и перспективы применения: Обзор // Физика и техника полупроводников. - 1985. - Vol. 19, Nr. 2. - P. 193-212.
  608. Исследование качества и пригодности пластин полуизолирующего фосфида индия для приборных применений / С. И. Радауцан, В. Д. Вернер, Г. И. Радауцан, А. Усенко // Известия АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1985. - Nr. 3. - Р. 40-41.
  609. Комбинационное рассеяние света в тройных полупроводниках со структурой шпинели / Н. М. Белый, В. А. Губанов, Г. И. Саливон, О. В. Куликова, Л. Л. Кулюк, С. И. Радауцан, … // Тез. докл. Х Всес. конф. по физике полупроводников, 17-19 сент., 1985. (В 3-х ч.). Ч. 1. - Минск, 1985. - Р. 146-147.
  610. Ланге, В. Н. Физика и физические явления / Под ред. С. И. Радауцана. - Ch.: Ştiinţa, 1985. - 127 p.
  611. Многокомпонентные полупроводники / АН МССР, Ин-т прикладной физики; редкол.: С. И. Радауцан, … - Ch.: Timpul, 1985. - 144 p.
  612. Некоторые структурные и физические характеристики Zn3InGa(Al)S6 / М. М. Маркус, И. И. Циуляну, В. Ф. Житарь, С. И. Радауцан // Тез. докл. XIV Всес. конф. по применению рентгеновских лучей к исследованию материалов. - Ch., 1985. - P. 130-131.
  613. Никифоров, К. Г., Бужор, В. П., Радауцан, С. И. Отрицательное дифференциальное сопротивление и эффект переключения в CdCr2Se4 и CdCr2S4 // Халькогенидные полупроводники. - Ch., 1985. - P. 19-26.
  614. Определение однородности полуизолирующего фосфида индия методом сканирования оптическим зондом / Л. Л. Кулюк, С. И. Радауцан, Е. В. Руссу, Е. Е. Струмбан // Многокомпонентные полупроводники. - Ch., 1985. - P. 79-88.
  615. Проблемы истории, теории и организации науки / АН МССР, Комиссия по истории науки и техники; редкол.: С. И. Радауцан (отв. ред.), … - Ch.: Ştiinţa, 1985. - 180 p.
  616. Радауцан, С. И., Молдован, Н. А. Аналогия физических свойств фотопроводников CdInGaS4, ZnIn2S4 // Формирование оптического изображения и методы его обработки. Vol. 2. - Ch., 1985. - P. 105.
  617. Радауцан, С. И., Вернер, В. Д., Радауцан, Г. И. Влияние анизотропии кристаллографических направлений фосфида индия на сопротивление омических контактов // Известия АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1985. - Nr. 1. - P. 56-57.
  618. Радауцан, С. И., Никифоров, К. Г., Пасенко, Л. А. Влияние валентности хрома на магнитные свойства селенохромита ртути // Физика и химия интеркалированных и других квазимерных систем. - Харьков, 1985. - Р. 79.
  619. Радауцан, С. И., Метлинский, П. Н., Тигиняну, И. М. Влияние отжига и ионной имплантации на излучательные и фотоэлектрические свойства соединений НgGa2Se4 // Формирование оптического изображения и методы его обработки. Vol. 2. - Ch., 1985. - P. 107.
  620. Радауцан, С. И., Руссу, Е. В. Влияние фотонного облучения на характеристики гетерофотопреобразователей InP-CdS // Всес. совещ. «Фосфид индия в полупроводниковой электронике». - 1985. - Ch., 1985. - P. 130.
  621. Радауцан, С. И., Тигиняну, И. М. Ионное внедрение и интеркалация в соединениях А2В23С46 // Физика и химия интеркалированных и других квазимерных систем. - Харьков, 1985. - P. 30.
  622. Радауцан, С. И. Развитие исследований по физике и технологии фосфида индия в МССР // Всес. совещ. «Фосфид индия в полупроводниковой электронике”. - Ch., 1985. - P. 3-4.
  623. Радауцан, С. И., Калинушкин, В. П., Мурин, Д. И. Скопление электрических примесей в монокристаллах InP // Всес. совещ. «Фосфид индия в полупроводниковой электронике”. - Ch., 1985. - P. 67.
  624. Радауцан, С. И., Медвецкий, С.П., Цуркан, А. Е. Усиление фототока фононами в варизонном слое ZnxCd1-xTe // Формирование оптического изображения и методы его обработки. Vol. 2. - Ch., 1985. - P. 69.
  625. Радауцан, С. И., Вернер, В. Д., Радауцан, Г. И. Фотонное вплавление омических контактов к фосфиду индия // Электронная обработка материалов. - 1985. - Nr. 1. - P. 54-57.
  626. Рост кристаллов и некоторые физические свойства HgCr2Se4 / Л. А. Пасенко, К. Г. Никифоров, С. И. Радауцан, В. Е. Тэзлэван // Халькогенидные полупроводники. - Ch., 1985. - P. 26-36.
  627. Скопления электрически активных примесей в монокристаллах фосфида индия / А. Н. Георгобиани, В. П. Калинушкин, А. В. Микуленок, Д. И. Мурин, А. М. Прохоров, С. И. Радауцан, … // Физика и техника полупроводников. - 1985. - Vol. 19, Nr. 5. - P. 810-813.
  628. Cолнечные элементы на основе гетероперехода InP-Cd / С. И. Радауцан, Л. В. Горчак, Е. В. Руссу,… // Многокомпонентные полупроводники. - Ch., 1985. - P. 96-101.
  629. Спектры фотопроводимости монокристаллов фосфида кадмия / С. И. Радауцан, В. И. Морозова, А. Ф. Князев, … // Физика и техника полупроводников. - 1985. - Vol. 19, Nr. 6. - P. 1127-1128.
  630. Фазовые переходы в монокристаллах CdIn2S4 и CdGa2S4 при отжиге в расплаве кадмия / А. Н. Георгобиани, А. Н. Грузинцев, З. П. Илюхина, В. А. Мызина, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну // Изв. АН СССР. Неорг. материалы. - 1985. - Vol. 21, Nr. 9. - P. 1457-1461.
  631. Ферромагнитный резонанс в сильно проводящих кристаллах HgCr2Se4 / К. Г. Никифоров, А. Г. Гуревич, Л. А. Пасенко, С. И. Радауцан, Л. М. Эмирян // Физика твердого тела (Ленинград). - 1985. - Vol. 27, Nr. 8. - P. 2424-2427.
  632. Ферромагнитный резонанс в термообработанных кристаллах магнитного полупроводника HgCr2Se4 / С. И. Радауцан, К. Г. Никифоров, Л. А. Пасенко, Л. М. Эмирян // VII Всес. Конф. по физине магнитных явлений. Т. 2. - Донецк, 1985. - P. 173-174.
  633. Фосфид индия в полупроводниковой электронике: Тезисы докладов Всесоюзного совещания, Кишинев, 1985 / AН МССР, Ин-т прикл. физики; Кишинев. политехн. ин-т; редкол.: С. И. Радауцан (отв. ред.). - Ch.: Inst. politeh., 1985. - 152 p.
  634. Фотолюминесценция сульфидов Zn3In2(GaAl)S6 / С. И. Радауцан, И. И. Циуляну, В. Ф. Житарь, В. А. Райлян // Тез. докл. Всес. Совещания по синтезу, свойствам, исследованию, технологии и применению люминофоров. - Ставрополь, 1985. - Р. 72.
  635. Халькогенидные полупроводники / Редкол.: С. И. Радауцан, … - Ch.: Ştiinţa, 1985. - 158 p.
  636. Экситонные особенности в спектре λ-отражение HgGaSe4 / А. Н. Георгобиани, П. Н. Метлинский, С. И. Радауцан, … // Краткие сообщения по физике FIAN СССР. - 1985. - Nr. 6. - P. 18-20.
  637. Электрофизические характеристики фосфида индия, имплантированного кремнием / Г. С. Коротченков, В. С. Бешлиу, В. А. Блаже, С. И. Радауцан, ... // Многокомпонентные полупроводники. - Ch., 1985. - P. 3-10.
  638. Энергетическая структура монокристаллов ZnIn2S4 и их фотоэлектрические свойства / С. И. Радауцан, Т. В. Абрамова, В. Ф. Житарь, … // Химические связи, электронная структура и физ.-хим. свойства полупроводников и полуметаллов. - Ch., 1985. - P. 161.
  639. 1986
  640. Photoluminescence and laser emission in Ino.57As/InP layers / L. L. Kulyuk, S. I. Radautsan, E. V. Russu, ... // Phys. status solidi. - 1986. - Vol. A96, Nr. 1. - P. 289-293.
  641. Radautsan, S. I., Kulikova, O. V. Photocapacitance effect in ZnxCd1-x-Te - InSb structures // Phys. status solidi. - 1986. - Vol. A93, Nr. 2. - P. K201-K203.
  642. Анализ отрицательного магнитосопротивления антимонида кадмия на основе теории квантовых поправок к проводимости / Е. К. Арушанов, А. В. Лашкул, К. Г. Лисунов, Р. В. Парфеньев, С. И. Радауцан // Физика твердого тела. - 1986. - Vol. 28, Nr. 8. - P. 2386-2390.
  643. Анизотропия и ферромагнитная релаксация в магнитном полупроводнике HgCr2Se4 / К. Г. Никифоров, А. Г. Гуревич, Л. А. Пасенко, С. И. Радауцан, Л. М. Эмирян // Новые магнитные материалы микроэлектроники: Тез докл. Ч. 2. - Рига, 1986. - Р. 287-288.
  644. Влияние нестехиометрии на спектры катодолюминесценции CdGa2S4 / В. Ф. Житарь, А. И. Мачуга, С. И. Радауцан, … // Известия АН СССР. Неорганические материалы. - 1986. - Vol. 22, Nr. 10. - P. 1737-1739.
  645. Влияние отжига и имплантации ионов селена на спектры фотопроводимости и люминесценции HgGs2Se4 / А. Н. Георгобиани, П. Н. Метлинский, С. И. Радауцан, … // Физика и техника полупроводников. - 1986. - Vol. 20, Nr. 6. - P. 1116-1118.
  646. Влияние проводимости на динамические магнитные свойства тройных магнитных полупроводников / К. Г. Никифоров, А. Г. Гуревич, С. И. Радауцан, … // Материаловедение халькогенидных и кислородосодержащих полупроводников: Тез. докл. Всес. конф. Т. 1. - Черновцы, 1986. - Р. 28.
  647. Влияние структурных дефектов на фотолюминесценцию и римановское рассеяние в монокристаллах CdIn2S4 и CdIn2(1-x)Cr2yS4 / О. В. Куликова, Л. Л. Кулюк, С. И. Радауцан, … // Материаловедение халькогенидных и кислородосодержащих полупроводников: Тез. докл. Всес. конф. Т. 1. - Черновцы, 1986. - Р. 35.
  648. Выращивание монокристаллов In2S3 и CdIn2S4 из раствора в расплаве / В. П. Бужор, Р. Ю. Ляликова, С. И. Радауцан, … // Известия АН СССР. Неорганические материалы. - 1986. - Vol. 22, Nr. 3. - P. 497-499.
  649. Выращивание монокристаллов халькогенидных шпинелей и влияние структурных дефектов на их свойства / В. П. Бужор, Р. Ю. Ляликова, С. А. Рацеев, С. И. Радауцан, … // VII Всес. конф. по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок: Тез. докл. Т. 1. - Новосибирск, 1986. - Р. 267-268.
  650. Глубокие уровни в монокристаллах HgGa2Se4 / П. Н. Метлинский, И. М. Тигиняну, С. И. Радауцан, … // Phys. status solidi (a). - 1986. - Vol. 96, Nr. 1. - P. 295-299.
  651. Использование стоячих акустических волн для управления ростом кристаллов сложных халькогенидных полупроводников / В. К. Беляев, В. А. Базакуца, С. И. Радауцан, К. Г. Никифоров // VII Всес. конф. по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок: Тез. докл. Ч. 1. - Новосибирск, 1986. - Р. 65-66.
  652. Исправление в статье „Влияние отжига и имплантации ионов селена на спектры HgGa2Se4” / А. Н. Георгобиани, П. Н. Метлинский, С. И. Радауцан, … // Физ. и техн. полупроводников. - 1986. - Vol. 20, Nr. 11. - P. 2131.
  653. Исследование поверхностной структуры тиоиндата кадмия методом генерации второй отраженной гармоники / О. В. Аксипетров, И. М. Баранова, Л. Л. Кулюк, С. И. Радауцан, … // Материаловедение халькогенидных и кислородосодержащих полупроводников: Тез. докл. всес. конф. Т.1. - Черновцы, 1986. - Р. 33.
  654. Куликова, О. В., Максимова, О. Г., Радауцан, С. И. Влияние термоциклирования на деградацию Cv и Gv характеристик аналогов MDP структур Zn1-xCdxTe-InSb // Физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов: Тез. докл. II Всес. конф. Ч. 1. - Ch., 1986. - P. 170.
  655. Куликова, О. В., Маркус, М. М., Радауцан, С. И. Формирование переходного слоя гетероструктур ZnxCd1-xTe-InSb(InAs) в процессе вакуумной эпитаксии // Известия АН СССР. Неорганические материалы. - 1986. - Vol. 22, Nr. 10. - P. 1618-1620.
  656. Лазарев, В. Б., Радул, В. А., Радауцан, С. И. Памяти Н. А. Горюновой // Известия АН СССР. Неорганические материалы. – 1986. - Vol. 22, Nr. 11. - P. 1935-1936.
  657. Максимова, О. Г., Радауцан, С. И. Значение идей Н. А. Горюновой для развития материаловедения сложных полупроводников // VII Всес. конф. по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок: Тез. докл. Т. 1. - Новосибирск, 1986. - Р. 261-262.
  658. Молдовян, Н. А., Чеботару, В. В., Радауцан, С. И. Оптическое поглощение и фотопроводимость слоистых монокристаллов CdIn2S2Se2 // Материаловедение халькогенидных и кислородосодержащих полупроводников: Тез. докл. Всес. конф. Т. 1. - Черновцы, 1986. - Р. 115.
  659. Никифоров, К. Г., Пасенко, Л. А., Радауцан, С. И. Примеси и дефекты нестехиометрии в селенохромите ртути // Материаловедение халькогенидных и кислородосодержащих полупроводников: Тез. докл. Всес. конф. Т. 1. - Черновцы, 1986. - Р. 126.
  660. Оптические свойства HgGa2Se4 вблизи края собственного поглощения / А. Н. Георгобиани, П. Н. Метлинский, С. И. Радауцан, …// Физика твердого тела. - 1986. - Vol. 28, Nr. 4. - P. 1179-1180.
  661. Особенности кристаллизации халькогенидных полупроводниковых шпинелей / В. П. Бужор, Р. Ю. Ляликова, С. И. Радауцан, … // Материаловедение халькогенидных и кислородосодержащих полупроводников: Тез. докл. Всес. конф. Т. 1. - Черновцы, 1986. - Р. 134.
  662. Полуметаллы и узкозонные полупроводники и приборы на их основе / Ред. С. И. Радауцан. - Ch.: Ştiinţa; 1986. - 162 p.
  663. Получение и количественный анализ полупроводниковых фаз In3In2(Ga, Al)S6 / C. И. Радауцан, В. Ф. Житарь, И. И. Циуляну, … // Тез. докл. III Всес. совещания по химии и технологии халькогенидов и халькогенов. - Караганда, 1986. - Р. 142.
  664. Радауцан, С. И., Никифоров, К. Г., Пасенко, Л. А. Влияние термической обработки на электрические свойства CdCr2S4 и HgCr2Se4 // II Всес. конф. по физические основы надежности и деградации полупроводниковых приборов: Тез. докл. Ч. 1. - Ch., 1986. - P. 106.
  665. Радауцан, С. И., Циуляну, И. И., Молдовян, Н. А. Влияние УФ облучения на спектры фотопроводимости компланарных структур In-Zn3In2(Ga, Al)S6-In // II Всес. конф. по физическим основам надежности и деградации полупроводниковых приборов: Тез. докл.. - Ch., 1986. - P. 94.
  666. Радауцан, С. И., Куликова, О. Г., Максимова, О. Г. Гетеропереходы ZnxCd1-xTe-InSb(InAs) аналоги MDP структур // Всес. конф. по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах: Тез. докл. - Минск, 1986. - Р. 319-320.
  667. Радауцан, С. И. Многокомпонетные халькогенидные полупроводники // Материаловедение халькогенидных и кислородосодержащих полупроводников: Тез. докл. Всес. конф. Т. 1. - Черновцы, 1986. - Р. 50-51.
  668. Радауцан, С. И., Максимова, О. Г., Никифоров, К. Г. Развитие физики и химии полупроводников в Молдавской ССР // Известия АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1986. - Nr. 3. - P. 17-29.
  669. Радауцан, С. И., Пасенко, Л. А., Никифоров, К. Г. Термодинамика и кинетика химических транспортных реакций при росте кристаллов халькогенидных хромовых шпинелей CdCr2S4 и HgCr2Se4 // Всес. совещ. по химии и технологии халькогенидов и халькогенов: Тез. докл. - Караганда, 1986. - Р. 91.
  670. Радауцан, С. И., Пасенко, Л. А., Никифоров, К. Г. Термодинамический анализ и кинетика роста монокристаллов HgCr2Se4 методом химического газового транспорта // VII Всес. конф. по процессам роста и синтеза полупроводниковых кристаллов и пленок: Тез. докл. Т. 1. - Новосибирск, 1986. - Р. 269-270.
  671. Радауцан, С. И. Тройные и многокомпонентные фазы на основе InP // Материаловедение халькогенидные и кислородосодержащих полупроводников: Тез. докл Всес. конф. Т. 1. - Черновцы, 1986. - Р. 11.
  672. Радауцан, С. И., Медвецкий, С. П., Цуркан, А. Е. Усиление фототока фононами в варизонном слое Zn1-xCdxTe // Формирование оптического изображения и методы их обработки: Тез. докл. III Всес. конф. Т. 2. - Ch., 1986. - P. 69.
  673. Радауцан, С. И., Ребров, С. А., Цуркан, А. Е. Электрические и излучательные свойства неидеальных гетеропереходов теллурид цинка - фосфид индия // Всес. конф. по физическим процессам в полупроводниковых гетероструктурах: Тез. докл. - Минск, 1986. - Р. 30-31.
  674. Радауцан, С. И., Руссу, Е. В., Смирнов, В. Г. Эпитаксиальный рост In1-xGaxAs в системе In-Ga-AsCl3-H2 // Известия АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1986. - Nr. 2. - P. 60-62.
  675. Сырбу, Н. Н., Хачатурова, С. В., Радауцан, С. М. Оптическая анизотропия линий экситонных серий в дифосфиде цинка // Доклады АН СССР. - 1986. - Vol. 286, Nr. 2. - P. 345-347.
  676. Термическая устойчивость в области нестехиометрии легированного CdCr2Se4 и CdIn2S4 / В. П. Бужор, Р. Ю. Ляликова, С. И. Радауцан,… // Известия АН СССР. Неорганические материалы. - 1986. - Vol. 22, Nr. 3. - P. 403-406.
  677. Термостойкость слоистых сульфидов на основе Zn3In2S6 / С. И. Радауцан, И. И. Циуляну, Р. Ю. Ляликова, В. Ф. Житарь // Тез. докл. II Всес. конф. по физическим основам надежности и деградации полупроводниковых приборов. - Ch., 1986.- P. 96.
  678. Фотовольтаический эффект и токи, ограниченные пространственным зарядом в кристаллах CdInGaS4 / Н. А. Молдовян, В. А. Райлян, В. Ф. Житарь, С. И. Радауцан, Е. Д. Арама // Phys. status solidi (a). - 1986. - Vol. 96, Nr. 6. - P. 283-288.
  679. Фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных структур Pt-n-HgGa2Se4 / С. И. Радауцан, П. Н. Метлинский, Н. А. Молдовян, …// Известия АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1986. - Nr. 1. - P. 57-59.
  680. Цуркан, В. В., Радауцан, С. И., Рацеев, С. А. Гетероструктуры CdIn2S4 - ферромагнитный полупроводник CdCv2Se4 // Всес. конф. по физическим процессам в полупроводниковых структурах: Тез. докл. - Минск, 1986. - Р. 317-318.
  681. Электронно-энергетическая структура сульфохромита кадмия / Ю. В. Сухецкий, А. Н. Гусятинский, С. И. Радауцан, …// Материаловедение халькогенидных и кислородосодержащих полупроводников: Тез. докл. Всес. конф. Т. 1. - Черновцы, 1986. - Р. 200.
  682. 1987
  683. Influence of the buffer layer thickness on the radiative properties of the InGaAsP/InP geterostructures / N. P. Bejan, O. V. Kulikova, L. L. Kulyuk, S. I. Radautsan, ... // International conf. on semiconductor injection lasers (Summary), Holzhau / GDR. - 1987. - P. 90.
  684. Rădăuţan, S. I. Minuni în ceramica: (Interviu cu S. I. Rădăuţan, fizician moldovean) // Chişinău. Gazetă de seară. - 1987. - 22 iunie.
  685. Анизотропия отрицательного магнитосопротивления p-CdSb / Е. К. Арушанов, А. В. Лашкул, К. Г. Лисунов, Р. В. Парфеньев, С. И. Радауцан // Физика твердого тела. - 1987. - Vol. 29, Nr. 8. - P. 2516-2518.
  686. Булярский, С. В. Глубокие центры безизлучательной рекомбинации в светоизлучающих приборах / Кишиневский политехн. ин-т им. С. Лазо; под ред. С. И. Радауцана. - Ch.: Ştiinţa, 1987. - 103 p.
  687. Взаимодействие CdCr2Se4 с растворителями / Л. Л. Кулюк, З. Ю. Ляликова, С. И. Радауцан, … // Известия АН СССР. Неорганические материалы. - 1987. - Vol. 23, Nr. 7. - P. 1219-1221.
  688. Влияние температуры образца на рассеяние света примесными скоплениями в фосфиде индия / А. Н. Георгобиани, В. П. Калинушкин, Д. И. Мурин, Т. М. Мурина, А. М. Прохоров, С. И. Радауцан, … // Физика и техника полупроводников. - 1987. - Vol. 21, Nr. 12. - P. 2125-2129.
  689. Влияние толщины буферного слоя на излучательные свойства гетероструктуры InGaAs-InP / Н. П. Бежан, О. В. Куликова, С. И. Радауцан, …// Тез. докл. III школы по актуальным вопросам физики полуметаллов и узкозонных полупроводников. - Ch., 1987. - P. 97.
  690. Влияние электронных ловушек на край поглощения многокомпонентных слоистых халькогенидов / С. И. Радауцан, Н. А. Молдовян, Е. Д. Арама, В. З. Чеботару // Известия АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1987. - Nr. 2. - P. 59-61.
  691. Демина, Т. В., Радауцан, С. И. Электрические свойства монокристаллов CdGa2Te4 // Известия АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1987. - Nr. 2. - P. 53-55.
  692. Динамический вклад в магнитную анизотропию / К. Г. Никифоров, А. Г. Гуревич, Л. А. Пасенко, С. И. Радауцан, Л. М. Эмирян // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 1987. - Vol. 46. - P. 62-65.
  693. Люминесценция GaAs и InP, обусловленная антиструктурными дефектами / А. Н. Георгобиани, И. М. Тигиняну, С. И. Радауцан, … // Тез. Всес. конф. «Люминесценция молекул и кристаллов». - Таллин, 1987. - Р. 198.
  694. Некоторые аспекты применения фосфида индия в микроэлектронике / С. И. Радауцан, В. Д. Вернер, Е. В. Руссу, Г. И. Радауцан // Полупроводниковые материалы и приборы. - Ch., 1987. - P. 3-29.
  695. Однородное и неоднородное уширение линии ферромагнитного резонанса, обусловленное проводимостью / К. Г. Никифоров, А. Г. Гуревич, Л. А. Пасенко, С. И. Радауцан, Л. М. Эмирян // Физика твердого тела. - 1987. - Vol. 29, Nr. 4. - P. 1279-1282.
  696. Оптимизация процессов роста структуры InGaAs/InP из жидкой и газовой фазы / Н. П. Бежан, В. А. Чумак, Е. В. Кулюк, С. И. Радауцан, …// Тез. докл. III школы по актуальным вопросам физики полуметаллов и узкозонных полупроводников. - Ch., 1987. - P. 91.
  697. Подвижность электронов в твердых растворах арсенид кадмия - фосфид кадмия / Е. К. Арушанов, К. Г. Лисунов, Л. Н. Лукьянова, А. Н. Натепров, С. И. Радауцан // Известия АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. – 1987. - Nr. 3. - P. 55-57.
  698. Полиморфные превращения в Zn3In2(Ga, Al)S6 / С. И. Радауцан, И. И. Циуляну, Р. Ю. Ляликова, … // Известия АН СССР. Неорганические материалы. - 1987. - Vol. 23, Nr. 5. - P. 852-854.
  699. Полупроводниковые материалы и приборы / АН МССР, Ин-т прикладной физики; редкол.: С. И. Радауцан (отв. ред.), … - Ch.: Ştiinţa, 1987. - 152 р.
  700. Процессы миграции энергии в монокристаллах CdCr2Se4, легированных хромом, при оптическом возбуждении / О. В. Куликова, Л. Л. Кулюк, С. И. Радауцан, …// Тез. Всес. конф. «Люминесценция молекул и кристаллов». - Таллин, 1987. - Р. 144.
  701. Радауцан, С. И., Пышная, Н. В., Тигиняну, И. М. Ионная имплантация фосфора в фосфиде индия // Тез. докл. Всес. конф. «Ионнолучевая модификация материалов». - Черноголовка, 1987. - Р. 140.
  702. Радауцан, С. И., Радул, В. А., Радауцан, Л. С. Кудесница алмазоподобных полупроводников: (О Н. А. Горюновой, основателе работ по химии алмазоподобных полупроводников). - Ch.: Ştiinţa, 1987. - 102 р.
  703. Радауцан, С. И. Проблемы нестеохимии, легирования и структурных изменений в многокомпонентных полупроводниках // Тез. докл. V Всес. конф. «Тройные полупроводники и их примнение». Т. 1. - Ch., 1987. - P. 7-8.
  704. Радауцан, С. И., Циуляну, И. И., Житарь, В. Ф. Стационарная фотопроводимость соединений на основе Zn3In2S6 // Тез. докл. V Всес. конф. «Тройные полупроводники и их примнение». - Ch., 1987. - P. 196.
  705. Радауцан, С. И., Куликова, О. В., Максимова, О. Г. Тонкопленочные MDP структуры на основе ZnxCd1-xTe-InSb // Тез. докл. III школы по актуальным вопросам физики полуметаллов и узкозонных полупроводников. - Ch., 1987. - P. 356.
  706. Радауцан, С. И., Ребров, С. А., Цуркан, А. Е. Электролюминесцентные свойства гетеропереходов ZnTe-InP // Журнал прикладной спектроскопии. - 1987. - Vol. 46, Nr. 3. - P. 419-423.
  707. Рентгеноспектральное исследование строения энергетических полос CdCr2S4 / C. И. Радауцан, Ю. В. Сухецкий, А. Н. Гусатинский, …// Доклады АН СССР. - 1987. - Vol. 294, Nr. 5. - P. 1102-1105.
  708. Тройные полупроводники и их применение. 5 Всес. конф., Ивано-Франковск, 2-5 окт., 1987: Тезисы докладов. Т. 1 / Ред. С. И. Радауцан. - Ch., 1987. - 238 р.
  709. Тройные полупроводники и их применение. 5 Всес. конф., Ивано-Франковск, 2-5 окт., 1987: Тезисы докладов. Т. 2 / Ред. С. И. Радауцан. - Ch., 1987. - 237 р.
  710. Фотовольтаический эффект и токи, огрниченные пространственнм зарядом в кристаллах CdInGaS4 / Н. А. Молдовян, В. А. Райлян, В. Житарь, С. И. Радауцан, Е. Д. Арама // Phys. status solidi. - 1987. - Vol. 15, Nr. 1. - P. 37-43.
  711. Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев p-InP / С. И. Радауцан, Е. В. Руссу, И. М. Тигиняну, … // Полупроводниковые материалы и приборы. - Ch., 1987. - P. 34-37.
  712. Экситоны и структура валентной зоны Cd-Ga2Se4 при К=0 / С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, П. Н. Метлинский, Ю. О. Дерид // Известия АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1987. - Nr. 3. - P. 59-61.
  713. Электрические характеристики гетероструктур InGaAs-InP и p-n-переходов на их основе / С. И. Радауцан, Н. Н. Арменча, Н. П. Бежан, … // Тез. докл. V Всес. конф. „Тройные полупроводники и их применение». Т. 1. - Ch., 1987. - P. 172.
  714. Электронные свойства полуметаллов и полупроводников: Сборник научных трудов / АН МССР, Ин-т прикл. физики; редкол.: С. И. Радауцан (отв. ред.), … - Ch.: Ştiinţa, 1987. - 146 p.
  715. 1988
  716. Direct optical transitions in CdGaInS4 / N. A. Moldovyan, S. I. Radautsan, V. F. Zhitar, ... // Phys. status solidi. - 1988. - Vol. A106, Nr. 2. - P. K181-K184.
  717. Influens of Defect Generation Processes in CdIn2S4 Single Cristal on the Photoluminescence and RS / O. V. Kulyukova, L. L. Kulyuk, S. A. Ratseev, S. I. Radautsan, ... // Phys. status solidi (a). - 1988. - Vol. 107, Nr. 1. - P. 373-377.
  718. Moldovyan, N. A., Radautsan, S. I., Cebotaru, V. Z. Photocondactivity, cathodoluminescence and optical arsorption of CdIn2S2Se2 single crystals // Phys. status solidi (a). - 1988. - Vol. 110, Nr. 1. - P. 277-282.
  719. On the influence of buffer laser on the emissive properties of epitaxial layer in InGaAsP (λ = 1,17 mm) / N. P. Bejan, O. V. Kulikova, L. L. Kulyuk, S. I. Radautsan, … // Phys. status solidi (a). - 1988. - Vol. 109, Nr. 2. - P. K153-K155.
  720. On the possibility of formation of associated impurity centers in semi-insulating indium phosphide doped by oxygen / O. V. Kulikova, L. L. Kulyuk, N. M. Nartya, S. I. Radautsan, … // Phys. status solidi (a). - 1988. - Vol. 107, Nr. 1. - P. K57-K60.
  721. Photoconductivity and luminescence spectra of ZnIn2S4 cristals irradiated by γ-quanta / E. D. Arama, S. I. Radautsan, I. M. Tiginyanu, V. F. Zitar // Phys. status solidi (a). - 1988. - Vol. 109, Nr. 1. - P. K55-K57.
  722. Tiginyanu, I. M., Radautsan, S. I., Pysnaya, N. B. Electrical properties of InP; Fe single Cristals implanted by phosphorus ions // Phys. Status Solidi (a). - 1988. - Vol. 108, Nr. 1. - P. K59-K61.
  723. ZnxCd1-xTe single cristals study by anger electron spectroscopy and reflection spectra / S. I. Radautsan, O. G. Maximova, V. I. Avgustimov, ... // Int. Conf. Intersive tutorial course on semiconductor materials. - New Delhi, 1988.
  724. Биюшкина, А. В., Доника, Ф. Г., Радауцан, С. И. Новые политипные модификации соединения Zn3In2S6 // Всес. школа по физике и химии слоистых крист. структур (2-я, 19-26 сент.): Тез. докл. - Харьков: ХПИ, 1988. - Р. 131.
  725. Вернер, В. Д., Радауцан, С. И. Исследование характеристик приборных структур на основе фосфида индия // Фосфид индия в полупроводниковой электронике: Сб. науч. тр. / под ред. С. И. Радауцана. - Ch.: Ştiinţa, 1988. - P. 156-164.
  726. Вернер, В. Д., Радауцан, С. И. Особенности полевых приборов на основе фосфида индия // Фосфид индия в полупроводниковой электронике: Сб. науч. тр. / под ред. С. И. Радауцана. - Ch.: Ştiinţa, 1988. - P. 136-156.
  727. Влияние газа-переносчика на чистоту поверхности монокристаллов CdIn2S4 / В. П. Бужор, Р. Ю. Ляликова, С. И. Радауцан, …// Известия АН СССР. Неорганические материалы. - 1988. - Vol. 24, Nr. 11. - P. 1915-1916.
  728. Влияние дефектов разупорядочения в слоях AIIB2IIIC4VI на краевое поглощение / Н. А. Молдовян, В. Ф. Житарь, С. И. Радауцан, Д. С. Ременко // Всес. симп. «Электронные процессы на поверхности и в тонких слоях полупроводников» (9-я, июнь, Новосибирск): Тез. докл. Ч. 2. - Новосибирск, 1988. - Р. 133-134.
  729. Влияние ионной имплантации индия на спектры фотолюминесценции ШтЗ / Н. Б. Пышная, И. М. Тигиняну, С. И. Радауцан, В. В. Урсаки // Журнал прикладной спектроскопии. - 1988. - Vol. 49, Nr.2. - P. 312-314.
  730. Влияние облучения на изменения микроструктуры поверхностных слоев ZnxCd1-xTe-Cd1-xHgxTe / О. Г. Максимова, В. Л. Августимов, С. И. Радауцан, Е. Н. Леваднюк // Всес. конф. по физике полупроводников (II-я, 3-5 окт., Кишинев): Тез. докл. Т. 3. - Ch.: Ştiinţa, 1988. - P. 19-20.
  731. Влияние обработки ультразвуком на излучательные свойства n-InP / И. М. Тигиняну, С. И. Радауцан, Н. Б. Пышная, В. В. Урсаки// Новое в получении и применении фосфидов и фосфоросодержащих сплавов. Т. 2 - Алма-Ата: Наука, 1988. - Р. 42-45.
  732. Влияние подсистемы ионов хрома на излучательные процессы и дефектообразование в монокристаллах CdCr2xIn2(1-x)S4 / О. В. Куликова, Л. Л. Кулюк, С. А. Рацеев, С. И. Радауцан, … // Всес. конф. по физике полупроводников (II-я, 3-5 окт., Кишинев): Тез. докл. Т. 3. - Ch.: Ştiinţa, 1988. - P. 21-22.
  733. Влияние поля в OPZ на генерации отраженной второй гармоники в монокристаллах CdIn2S4 / О. А. Аксипетров, Л. Л. Кулюк, С. И. Радауцан, … // Тез. докл IX Всес. конф. «Электронные процессы на поверхности и в тонких слоях полупроводников». Ч. 1. - Новосибирск, 1988. - Р. 19-20.
  734. Влияние упорядочения на физические свойства монокристаллов халькогенидов полупроводниковых шпинелей / Б. П. Бужор, Л. Л. Кулюк, Р. Ю. Ляликова, С. И. Радауцан, С. А. Рацеев // Всес. конф. «Химия, физика и техническое применение халькогенидов» (7-я, сент., Ужгород): Тез. докл. Ч. 1. - Ужгород, 1988. - Р. 47.
  735. Гуревич, А. Г., Никифоров, К. Г., Радауцан, С. И. Проблема переменной валентности хрома в тройных магнитных полупроводниках // Всес. конф. по физике полупроводников (II-я, 3-5 окт., Кишинев): Тез. докл. Т. 1. - Ch.: Ştiinţa, 1988. - P. 177-178.
  736. Дерид, Ю. О., Козаченко, Е. И., Радауцан, С. И. Влияние условий выращивания на качество монокристаллов ZnGa2S4 // Всес. конф. по росту кристаллов (7-я, 14-19 ноября): Расширенные тез. докл. Т. 1. - М., 1988. - Р. 191.
  737. Ионы хрома повышенной валентности в ферромагнитных шпинелях / К. Г. Никифоров, А. Г. Гуревич, Л. А. Пасенко, С. И. Радауцан, Л. М. Эмирян // XVIII Всес. конф. по физике магнитных явлений (3-6 окт., 1988, Калинин): Тез. докл. - Калинин, 1988. - Р. 249-250.
  738. Комбинационное рассеяние света в монокристаллах CdIn2S4 и фононные моды в некоторых полупроводниках А2В2IIIC4IV / В. А. Губанов, О. В. Куликова, Л. Л. Кулюк, С. И. Радауцан, …// Физика твердого тела. - 1988. - Vol. 1, Nr. 2. - P. 457-461.
  739. Нелинейно-оптическое электроотражение естественных граней монокристаллов CdIn2S3 / О. А. Аксипетров, Л. Л. Кулюк, С. И. Радауцан, … // Тез. XIII Междунар. конф. по когерентной и нелинейной оптике. Ч. 1. - Минск, 1988. - Р. 15-16.
  740. Никифоров, К. А., Цуркан, В. В., Радауцан, С. И. Тройные магнитные полупроводники - хромовые халькогенидные шпинели // Всес. конф. «Химия, физика и техническое применение халькогенидов» (7-я, сентябрь, Ужгород): Тез. докл. Ч. 1. - Ужгород, 1988. - Р. 1.
  741. Новое в получении и применении фосфидов и фосфидосодержащих сплавов. Т. 2 / Отв. ред. С. И. Радауцан, И. И. Тычина. - Алма-Ата: Наука, 1988. - 164 р.
  742. О возможности образования ассоциированных примесных центров в полуизолирующем фосфиде индия, легированном кислородом / О. В. Куликова, Л. Л. Кулюк, Н. И. Нарта, С. И. Радауцан, … // Новое в получении и применении фосфидов и фосфоросодержащих сплавов. Т. 2. - Алма-Ата: Наука, 1988. - Р. 55-58.
  743. Оптимизация толщины буферного слоя в гетероструктурах на основе фосфида индия по спектрам рекомбинационного излучения/ Н. П. Бежан, О. В. Куликова, Л. Л. Кулюк, С. И. Радауцан, … // Новое в получении и применении фосфидов и фосфоросодержащих сплавов. - Алма-Ата: Наука, 1988. - Р. 38-41.
  744. Особенности роста монокристаллов тройных фаз в системе ZnS-In2S6 / А. В. Биюшкина, Ф. Г. Доника, С. И. Радауцан, И. Г. Мустя // Всес. конф. по росту кристаллов (7-я, 14-19 ноября): Расширенные тез. докл. Т. 1. - М., 1988. - Р. 152-153.
  745. Особенности эффекта Холла в субмикронных слоях InGaAs/InP / Н. П. Бежан, Г. Л. Ляху, А. П. Снигур, С. И Радауцан, В. А. Чумак // Всес. конф. по физике полупроводников (2-я, 3-5 окт., Кишинев): Тез. докл. Т. 3. - Ch.: Ştiinţa, 1988. - P. 138-139.
  746. Полевые транзисторы с барьером Шоттки АU/Pa/TI-InP / С. И. Радауцан, Е. В. Руссу, В. Н. Кобзаренко, … // Микроэлектроника. - 1988. - Vol. 17, Nr. 6. - P. 500-503.
  747. Получение и свойства соединений АIIB2IIC4VI / И. М. Тигиняну, Ю. О. Дерид, С. И. Радауцан, … // Всес. конф. «Химия, физика и техническое применение халькогенидов» (7-я, сентябрь, Ужгород): Тез. докл. Ч. 1. - Ужгород, 1988. - Р. 48.
  748. Процессы излучательной рекомбинации в фосфиде кадмия / Л. Л. Кулюк, Т. Д. Шемякова, С. И. Радауцан, А. А. Штанов // Новое в получении и применении фосфидов и фосфоросодержащих сплавов. Т. 2. - Алма-Ата: Наука, 1988. - Р. 106-109.
  749. Радауцан, С. И., Пышная, Н. В., Тигиняну, И. М. Влияние имплантации ионов фосфора на электрические параметры кристаллов InP:Fe и InP:nInP // Новое в получении и применении фосфидов и фосфоросодержащих сплавов. Т. 2. - Алма-Ата: Наука, 1988. - Р. 52-54.
  750. Радауцан, С. И., Тигиняну, И. М. Влияние разупорядочения на физические свойства полупроводниковых кристаллов типа А2В32С4VI // XI Всес. конф. по физике полупроводников: Тез. докл. Ч. 1. - Ch.: Ştiinţa, 1988. - P. 69-70.
  751. Радауцан, С. И., Циуляну, И. И. Дрейфовая подвижность электронов и токопрохождение в монокристаллах Zn3InGaS6 в сильных электрических полях // Всес. конф. по физике полупроводников (2-я, 3-5 окт., Кишинев): Тез. докл. Т. 3. - Ch.: Ştiinţa, 1988. - P. 122-123.
  752. Радауцан, С. И. Полупроводниковые фосфиды в современной электронике // Новое в получении и применении фосфидов и фосфоросодержащих сплавов. Т. 2. - Алма-Ата: Наука, 1988. - Р. 5-9.
  753. Радауцан, С. И., Руссу, Е. В. Фосфид индия в полупроводниковой электронике // Новое в получении и применении фосфидов и фосфоросодержащих сплавов. Т. 2. - Алма-Ата: Наука, 1988. - Р. 28-31.
  754. Сложные полупроводники / В. Е. Тэзлэван, В. В. Цуркан, К. Г. Никифоров, С. И. Радауцан. - Ch.: Ştiinţa, 1988. - 162 р.
  755. Ферромагнитный резонанс в магнитных полупроводниках - хромовых халькогенидных шпинелях / А. Г. Гуревич, К. Г. Никифоров, Л. А. Пасенко, С. И. Радауцан, Л. М. Эмирян // Взаимодействие электромагнитных волн с полупроводниками и полупроводниково-диэлектрическими структурами: Труды 2 Всес. школы-семинара (4-10 сент. 1988 г.). Ч. 1. - Саратов, 1988. - Р. 179-186.
  756. Фосфид индия в полупроводниковой электронике: (Сб. науч. тр.) / АН МССР, Ин-т прикл. физики; редкол.: С. И. Радауцан (отв. ред.), … - Ch.: Ştiinţa, 1988. - 294 p.
  757. Фотолюминесценция n-InP после отжига под защитными пленками / С. И. Радауцан, У. Г. Мунтян, Н. В. Пышная, … // Известия АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1988. - Nr.1. - P. 65-66.
  758. 1989
  759. About the possibility of double centre formation in InPFeO / L. L. Kulyuk, N. F. Perelman, A. V. Siminel, E. E. Strumban, S. I. Radautsan // Phys. Status Solidi (a). - 1989. - Vol. 113, Nr. 2. - P. K227-K230.
  760. Ferromagnetic resonce and Cr4+ ions in magnetic semiconductor HgCr2Se4 / K. G. Nikiforov, A. G. Gurevic, S. I. Radautsan,... // Europian Magnetic Materials and Applications Conf. EMMA, 89, Rimini, Iloty, Sept. 6-9, 1989: Abstracts. - 1989. - P. 75.
  761. Growth and properties of Ba2Cu3O7 - single crystals / V. V. Tsurkan, R. Yu. Lyalikova, D. P. Samus, S. I. Radautsan // Europian Conf. High. - Tc thin films and single cristals: Abstracts. - 1989.
  762. Investigation of traps in InP:Zn single crystals implanted by phosphorus ions / S. I. Radautsan, I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki, N. B. Pysnaya // Phys. Status Solidi (a). - 1989. - Vol. 115, Nr. 2. - P. K191-K193.
  763. On possible modification of ZnmIn2S3+m / A. V. Biyuskina, F. G. Donica, I. G. Mustya, S. I. Radautsan // Europian Conf. High. - Tc thin films and single cristals: Abstracts. - 1989.
  764. Quasi-centinuasly distributed traps and photoluminescence in ZnGa2Se4 single crystals / S. I. Radautsan, I. M. Tiginyanu, V. N. Fulga, Yu. O. Derid // Phys. Status Solidi (a). - 1989. - Vol. 114, Nr. 1. - P. 259-263.
  765. Quasi-continuoualy distributed traps and photoluminescence in ZnGa2Se4 single cristals / S. I. Radautsan, I. M. Tiginyanu, V. N. Fulga, Yu. O. Derid // Phys. Status Solidi (a). - 1989. - Vol. 114, Nr. 1. - P. 259-263.
  766. Radautsan, S. I., Chumak, V. A. Indium Arsenide Solid Solutions: Devices on InGaAs(P) // Def. Sci. J. - 1989. - Vol. 39, Nr. 4. - October. - P. 387-396.
  767. Radautsan, S. I., Kulikova, O. V., Maximova, O. G. InSb-ZnxCd1-xTe photosensitive thin film NIS structures // Solar Energie Mater. - 1989. - Vol. 12, Nr. 1.
  768. Radautsan S. I., Derid, Yu. O., Tiginyanu, I. M. Radiativ recombination in ZnGa2S4 single cristals // Phys. Status Solidi (a). - 1989. - Vol. 113, Nr. 2. - P. 265-266.
  769. Radautsan S. I., Chikin, A. Y. Struggle for Pure Water: Ecologial Investigations and the Attitude of Government // XVIII th International Congress of science, Hamburg-Munchen, 1-9 aug., 1989.
  770. Tsurcan, V. V., Radautsan, S. I., Cibotaru, D. A. Galvanomagnetic properties anisotropy of CuCr2Se4 single cristals // Europian Magnetic Materials and Applications Conf. EMMA, 89, Rimini, Iloty, Sept. 6-9, 1989: Abstracts. - 1989. - P. 74.
  771. Vapour transport of CdCr2Se4 chemical equilibrum and crystal growth / V. K. Belyaev, S. I. Radautsan, K. G. Nikiforov, V. A. Bazakutsa // Cryst. Res. Technol. - 1989. - Vol. 24, Nr. 4. - P. 371-377.
  772. Биюшкина, А. В., Доника, Ф. Г., Радауцан, С. И. Кристаллическая структура шестипакетного политипа ZnIn2S4 (γŊ2) // Доклады АН СССР. - 1989. - Vol. 306, Nr. 3. - P. 617-619.
  773. Взаимодействие компонентов в системе BaO-CuO (Cu2O) / Р. Ю. Ляликова, С. И. Радауцан, Д. П. Самусь, … // Докл. АН СССР. - 1989. - Vol. 307, Nr. 5. - P. 1154-1157.
  774. Влияние обработки ультразвуком на свойства фосфида индия / И. М. Тигиняну, С. И. Радауцан, Н. Б. Пышная, В. В. Урсаки // Всесоюз. конф. по акустоэлектроники и физич. акустике твердого тела (14-а, 13-15 июня, 1989, Кишинев): Тез. докл. - Ch., 1989.
  775. Влияние электродного облучения на гомогенность высокотемпературной оксидной металлокерамики / И. М. Тигиняну, Ю. О. Дерид, С. И. Радауцан, … // Всесоюз. конф. по кристаллохимии интерметал. соединений (5-я, октябрь, Львов): Тез. докл. - Львов, 1989. - P. 253.
  776. Высокочувствительный фотодетектор на основе InP-SIO2-InAs / С. И. Радауцан, А. Е. Цуркан, С. А. Ребров, С. П. Медвецкий // Журнал техн. физики. - 1989. - Vol. 59, Nr. 11. - P. 195-199.
  777. Георгобиани, А. Н., Радауцан, С. И., Тигиняну, И. М. Оптические свойства халькогенидных соединений II-III2-VI4 в области края фундаментального поглощения // Известия АН СССР. Неорганические материалы. - 1989. - Vol. 25, Nr. 11. - P. 1884-1889.
  778. Житарь, В. Ф., Арама, Е. Д., Радауцан, С. И. Кристаллические особенности образования новых слоистых сульфидов // Всесоюз. сессия по пробл. прикладной кристаллографии (Воронеж, 18-21 апреля): Тез. докл. - Воронеж, 1989. - Р. 8.
  779. Зарядовые состояния ионов хрома в халькогенидных шпинельных полупроводниках / И. Г. Боцан, В. И. Жеру, С. И. Радауцан, … // Физика твердого тела. - 1989. - Vol. 31, Nr. 11. - P. 285-287.
  780. Изучение позиционного разупорядочения в шпинельных полупроводниках CdIn2S4 и CdIn2(1-x)Cr2xS4 / О. В. Куликова, Л. Л. Кулюк, С. И. Радауцан, … // Всес. конф. по спектроскопии КРС (4-я, Красноярск): Тез. докл. Т. 2. - 1989. - Р. 170-171.
  781. Исследование поверхности системы SinOm-InP, модифицированной примесными 3d-металлами, методом электронной Оже-спектроскопии / С. И. Радауцан, О. Г. Максимова, В. Л. Августимов, … // Электронная обработка материалов. – 1989. - Nr. 6. - P. 53-54.
  782. Краевая фотолюминесценция кристаллов n-InP, облученных электронами с энергией 3, 5-4 МеV / С. И. Радауцан, В. П. Коршунов, Н. А. Соболев, И. М. Тигиняну // Физика и техника полупроводников. - 1989. - Vol. 23, Nr. 9. - P. 1581-1583.
  783. Кристаллическая структура однопакетного политипа Zn3InS6(1)6 / А. В. Биюшкина, Ф. Г. Доника, И. Г. Мустя, С. И. Радауцан // Известия АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1989. - Nr. 3. - P. 68-70.
  784. Ловушечные состояния в слоях InP и GaAs, обогащенных металлоидом путем ионного внедрения / Ф. А. Скакун, И. М. Тигиняну, С. И. Радауцан, … // Ионно-лучевая модификация материалов: Тез. докл. Всес. конф. (16-17 мая, 1989, Каунас). - 1989. - Р. 193.
  785. Люминесцентная спектроскопия полупроводниковой шпинели CdIn2S4, легированной хромом / О. В. Куликова, Л. Л. Кулюк, С. И. Радауцан, …- Ch.: Inst. de fizică aplicată, 1989. - 44 p.
  786. Планарные фоторезисторы с широкой спектральной характеристикой на гетероструктурах / С. И. Радауцан, Н. П. Бежан, А. П. Снигур, В. А. Чумак // Коорд. совещ. соц. стран по физическим проблемам оптоэлектроники, (16-20 окт., 1989, Баку): Труды. - Баку, 1989. - Р. 172.
  787. Получение монокристаллов V-Ba-Cu-O из расплавов / В. В. Цуркан, С. И. Радауцан, Р. Ю. Ляликова, … // Известия АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1989. - Nr. 1. - P. 66-67.
  788. Процессы образования сверхпроводящей фазы YBa2Cu3O7 - из различных солей бария / Р. Ю. Ляликова, Д. П. Самусь, В. В. Цуркан, П. А. Петренко, С. И. Радауцан, … // Всес. конф. по ВТПС (2-я, 25-29 сент., 1989, Киев): Тез. докл. Т. 2. - 1989. - Р. 327.328.
  789. Радауцан, С. И., Тигиняну, И. М., Дерид, Ю. О. Влияние тетрагонального сжатия решетки // Доклады АН СССР. - 1989. - Vol. 305, Nr. 2. - P. 347-350.
  790. Радауцан, С. И., Молдовян, Н. А., Маркус, М. М. Монокристаллы слоистой модификации ZnAl2S4 // Доклады АН СССР. - 1989. - Vol. 304, Nr. 1. - P. 151-153.
  791. Радауцан, С. И., Куликова, О. В., Максимова, О. Г. Тонкопленочные MDP-структуры на основе InSb-ZnxCd1-xTe // Известия АН МССР. Сер. физ.-техн. и матем. наук. - 1989. - Nr. 1. - P. 67-69.
  792. Радауцан, С. И., Циуляну, И. И., Тигиняну, И. М. Фотоэлектрические свойства монокристаллов Zn3InGaS6 // Фотоэлектрические явления в полупроводниках. Всес. науч. конф. (24-26 окт., 1989, Ташкент): Тез. докл. - 1989. - Р. 8.
  793. Рост и рентгенографическое исследование монокристаллов BaCu2O2 / Д. П. Самусь, Г. А. Киоссе, С. И. Радауцан, … // Всес. совещ. по пролемам диагностики материалов ВТСП (1-е, 24-26 апреля, 1989, Черноголовка): Тез. докл. - 1989. - Р. 181.
  794. Спектральная зависимость сечения фотоионизации глубоких центров в фосфиде индия: (Теоретические модели и эксперимент) / Л. Л. Кулюк, С. И. Радауцан, А. В. Симинел, … - Ch.: Inst. de fizică aplicată, 1989. - 21 p.
  795. Стационарная и разрешенная во времени фотолюминесценция монокристаллов фосфида кадмия / Е. К. Арушанов, Л. Л. Кулюк, А. Н. Натепров, С. И. Радауцан, … // Физика и техника полупроводников. - 1989. - Vol. 23, Nr. 1. - P. 58-63.
  796. Фотоэлектрические свойства структуры металл-полупроводник типа AIIB2IIIC4VI / С. И. Радауцан, Ю. О. Дерид, Н. А. Молдовян, И. М. Тигиняну // Междунар. совещ. по фотоэлектрическим и оптическим явлениям в твердом теле (9-е, 8-15 мая, 1989, Варна): Резюме докл. - 1989. - Р. 126.
  797. Широкополосное излучение ионов Cr3+ и возможность получения лазерной генерации в полупроводниковой шпинели / О. В. Куликова, Л. Л. Кулюк, С. И. Радауцан, … // Перестраиваемые лазеры. Междунар. конф. (5-я, 20-22 сент., 1989, Иркутск): Тез. докл. - 1989. - Р. 23.
  798. 1990
  799. Nonstoichiometry and magnetic caracteristics of CdCr2S4 / K. G. Nikiforov, M. Baran, A. G. Gurevich, L. Ya. Pasenko, S. I. Radautsan, A. Wisniewski // Proceedings of the 8-th international conference on ternary and multinary compounds, Kisinev, USSR, 11-14 Sept., 1990. Vol. 1. - Ch., 1990. - P. 476-479.
  800. Nonstoichiometry and magnetic caracteristics of CdCr2S4 and HgCr2Se4 / K. G. Nikiforov, M. Baran, S. I. Radautsan, A. Wisniewski // Eighth international conference on ternary and multinary compounds, Kisinev, USSR, Sept. 11-14, 1990: Abstracts. - Ch., 1990. - P. 105.
  801. Proceedings of the 8 th international conference on ternary and multinary compounds, Kisinev, USSR, Sept. 11-14, 1990 / Edited by S. I. Radautsan and C. Schwab. - Ch., 1990. Vol. 1: Diamond like semiconductors; defect and layered compounds; magnetic and semimagnetic semiconductors. - 1990. - 588 p. Vol. 2: High temperature superconductors; amorphous (noncristalline) semiconductors; multinary solid solutions. - 1990. - 571 p.
  802. Process of secondary optical emission in the partially inverted spinels CdIn2S4(Cr) / I. V. Kravetsky, L. L. Kulyuk, S. I. Radautsan, ... // Proceedings of the 8 th international conference on ternary and multinary compounds, Kisinev, USSR, Sept., 11-14, 1990. Vol. 1. - Ch., 1990. - P. 309-312.
  803. Processes of secondary optical emission in the partially inverted spinels CdIn2S4(Cr) / L. L. Kulyuk, S. I. Radautsan, E. E. Strumban, ... // Eighth international conference on ternary and multinary compounds, Kisinev, USSR, Sept., 11-14, 1990: Abstracts. - Ch., 1990. - P. 94.
  804. Radautsan, S. I. Multinary semiconductors: fundamental achievments and practical applications // Eighth international conference on ternary and multinary compounds, Kisinev, USSR, Sept. 11-14, 1990: Abstracts. - Ch., 1990. - P. 5.
  805. Radautsan, S. I. Multinary semiconductors: fundamental achievments and practical applications // Proceedings of the 8-th international conference on ternary and multinary compounds, Kisinev, USSR, 11-14 Sept., 1990. Vol. 1. - Ch., 1990. - P. 10-20.
  806. The influence of annealing in As vapours upon electrical properties of GaAs single crystals / N. B. Pysnaya, S. I. Radautsan, I. M. Tiginyanu, ... // Cryst. Res. Technol. - 1990. - Vol. 25, Nr. 4. - P. K78-K81.
  807. The peculiarities of the temperature broadening of Raman light scattering lines in Zn(Cd)Ga2Se4 single crystals / S. I. Radautsan, I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki, ... // Phys. Status. Solidi. - 1990. - Vol. 162(B), Nr. 1. - P. K63-K66.
  808. Влияние нарушения стехиометрии состава дифосфида цинка на спектры свободного экситона / С. И. Радауцан, Н. Н. Сырбу, С. Б. Хачатурова, … // Докл. АН СССР. - 1990. - Vol. 311, Nr. 4. - P. 866-869.
  809. Влияние облучения электронами на люминесценцию эпитаксиального n-InP / Н. А. Соболев, Е. А. Кудрявцева, И. М. Тигиняну, С. И. Радауцан, В. А. Урсу // Proc. of Int. Conf. on Electronic Mater. - New Jersy, USA, 1990.
  810. Дерид, О. П., Радауцан, С. И., Оксенюк, А. И. Свойства пленок селеногаллата кадмия, полученных взрывным испарением // Всес. конф. по физике и технике тонких полупроводниковых пленок: Тез. докл. Т. 2. - Ивано-Франковск, 1990. - Р. 221.
  811. Дерид, Ю. О., Радауцан, С. И., Тигиняну, И. М. Физико-химические свойства халькогенидов типа АIIBIIIC4IV // Многокомпонентные халькогениды АIIBIIIC4IV : Сб. науч. тр. / Отв. ред. С. И. Радауцан. - Ch.: Ştiinţa, 1990. - P. 3-36.
  812. Зарядовые состояния примесных атомов олова и их влияние на электропроводность In2S3 / В. Е. Тэзлэван, П. В. Нистрюк, С. И. Радауцан, С. А. Рацеев // Физика твердого тела. - 1990. - Vol. 32, Nr. 10. - P. 3157-3159.
  813. Изменение ближнего порядка в поверхностных слоях HgxCd4xTe при имплантации ионов Не2+ / В. Л. Августимов, Д. И. Биднык, С. П. Костенко, С. И. Радауцан,… // Докл. АН СССР. - 1990. - Vol. 313, Nr. 2. - P. 330-333.
  814. Краевые полосы люминесценценции InP, связанные с разупорядочением решетки / Ф. П. Коршунов, Б Н. А. Соболев, И. М. Тигиняну, С. И. Радауцан, … // Всес. конф. по физике полупроводников, окт. 1990, Киев: Тез. докл. - Киев, 1990. - Р. 151-152.
  815. Куликова, О. В., Максимова, О. А., Радауцан, С. И. Особенности выращивания пленок твердых растворов ZnxCd1-xTe на подложках А3В5 // Всес. семинар «Физико-химические свойства многокомпонентных полупроводниковых систем», июнь 1990. - Одесса, 1990.
  816. Люминесценция и спектры KRG монокристаллов ZnGa2S4 / О. П. Дерид, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки // Int. Conf. on optical charact. Of semicond. - Sofia, 1990.
  817. Многокомпонентные халькогениды AIIB2IIIC4VI: (Сб. науч. тр.) / редкол.: С. И. Радауцан (отв. ред.), …; АН МССР. Ин-т прикл. физики. - Ch.: Ştiinţa, 1990. - 163 p.
  818. Намагниченность и ионы хрома неосновной валентности в магнитных полупроводниках CdCr2S4 и HgCr2Se4 / К. Г. Никифоров, М. Баран, В. К. Беляев, Л. И. Пасенко, С. И. Радауцан, А. Вишневский // Solid Energy materials. - 1990. - Vol. 20, Nr.1. - P. 37-41.
  819. Процессы долговременного упорядочения в кристаллах с частично обращенной шпинельной структурой / В. А. Будяну, И. А. Дамаскин, В. П. Зенченко, С. Л. Пышкин, С. И. Радауцан, … // Докл. АН СССР. - 1990 . - Vol. 311, Nr. 4. - P. 874-877.
  820. Радауцан, С. И., Циуляну, И. И. Дрейф и захват электронов в Mn3InGaSb в сильных электрических полях // Многокомпонентные халькогениды AIIB2IIIC4VI: (Сб. науч. тр.). - Ch., 1990. - P. 84-89.
  821. Радауцан, С. И., Куликова, О. В., Максимова, О. Г. Особенности выращивания пленок твердых растворов ZnxCd1-xTe на подложках А3В5 // Тезисы докладов Всесоюз. семинара «Физико-химические свойства многокомпонентных полупроводниковых систем. Эксперимент и моделирование, Июнь, 1990, Одесса. - Новосибирск, 1990. - P. 45-46.
  822. Радауцан, С. И., Куликова, О. В., Максимова, О. Г. Фоточувствительные MDP тонкопленочные структуры InSb-ZnxCd1-x // Phys. Status. Solidi. - 1990. - Vol. 158(B), Nr. 1. - P. K63-K67.
  823. Радиационные дефекты в эпитаксиальных слоях фосфида индия, облученного протонами / О. В. Куликова, Л. Л. Кулюк, А. В. Симинел, С. И. Радауцан, … // Кинетические эффекты в молекулярных и твердотельных системах во внешних полях: Сб. науч. трудов. - Ch., 1990. - P. 65-74.
  824. Спектры KRS соединения CdIn2S4 с различным упорядочением катионной подрешетки / И. А. Дамаскин, В. П. Зенченко, С. Л. Пышкин, С. И. Радауцан, … // Доклады АН СССР. - 1990. - Vol. 315, Nr. 6. - P. 1365-1367.
  825. Фотопроводимость пленок Zn3In2S6 / Н. И. Андриевская, Ф. Г. Доника, В. Ф. Житарь, С. И. Радауцан, … // Всес. конф. по физике и технике тонких полупроводниковых пленок: Тез. докл. Т. 2. - Ивано-Франковск, 1990. - Р. 261.
  826. Эпитаксиальный рост пленок твердых растворов ZnxCd1-xTe на подложках InSb / О. В. Куликова, О. Г. Максимова, С. И. Радауцан, Л. В. Епур // Всес. конф. по физике и технике тонких полупроводниковых пленок: Тез. докл. Т. 1. - Ивано-Франковск, 1990. - Р. 21.
  827. 1991
  828. Ferromagnetic relaxation caused by conductivity in ferromagnetic semiconductor HgCr2Se4 / K. G. Nikiforov, A. G. Gurevich, L. Ya. Pasenko, S. I. Radautsan // European conf. Magnetic Mater. And Appl. Conf. EMMA’91: Abstracts. - Drezden, 1991.
  829. On the nature of the radiation defects responsable for Fermi-level pinning effect in InP / N. B. Pysnaya, I. M. Tiginyanu, S. I. Radautsan, ... // Cryst. Res. Technol. - 1991. - Vol. 26, Nr. 6. - P. 129-135.
  830. Radautsan, S. I., Tsiulyanu, I. I., Tiginyanu, I. M. Photoelectrical properties of Zn3InGaS6 single crystals // Solar Energy Mater. - 1991. - Vol. 22, Nr. 10.
  831. Rădăuţan, S. I. Academiile Poloniei şi Moldovei: acord. Direct: (Dialog cu S. I. Rădăuţan, vicepreşedinte Acad. naţ. de şt. din Moldova) / consemnare de L. Busuioc // Făclia. - 1991. - 2 aug. - P. 5.
  832. Rădăuţan, S. I., Tiginianu, I. M. Maniabilitatea proprietăţilor electrice a compuşilor III-V // Mater. Conf. Anuale Semiconductori-91. Sinaia, România. - 1991. - P. 68-78.
  833. Rădăuţan, S. „Samsung” la Chişinău? Posibil ... (Dialog cu S. Rădăuţan, vicepreşedinte Acad. naţ. de şt. din Moldova despre aocrdul încheiat cu C. Fiz. Semiconductorilor de la Ghobuk, Coreea de Sud) / consemnare de L. Busuioc // Făclia. - 1991. - 13 sept. - P. 14.
  834. Ближайший порядок γ-облученных кристаллов / Т. В. Абрамова, Е. Д. Арама, С. И. Радауцан, … // Изв. АН РМ. Сер. физ. и техн. наук. - 1991. - Nr. 3(6). - P. 3-4.
  835. Влияние отжига и радиационных воздействий на краевую люминесценцию кристаллов CdTe / И. М. Тигиняну, О. Г. Максимова, С. И. Радауцан, … // III Всесоюз. конф. «Материаловедение халькогенидных полупроводников»: Тез. докл. Т. 1. - Черновцы , 1991. - Р. 104.
  836. Житарь, Р. П., Радауцан, С. И., Цуркан, В. В. Влияние закалки и облучения на микротвердости и микроструктуру высокотемпературных сверхпроводящих керамик в Ba2Cu3O7-x // Изв. АН РМ. Сер. физика и техника. - 1991. - Nr. 3. - P. 97-101.
  837. Молдовян, Н. А., Радауцан, С. И., Тигиняну, И. М. Спектры комбинационного рассеяния света монокристаллов ZnAl2(I-x)Ga2xS4 // Физика и техника полупроводников. - 1991. - Vol. 25, Nr. 11. - P. 2038-2039.
  838. N+-p фотоэлементы на основе InP:Zn / И. М. Тигиняну, Н. Б. Пышная, В. В. Урсаки, С. И. Радауцан // Фотоэлектрические явления в полупроводниках: Рез. докл. науч. конф. (2-я, окт. 1991, Ашхабад). - 1991. - Р. 340.
  839. Околокраевые оптические явления в ZnIn2S4(II) / Н. И. Андриевская, Г. Ф. Доника, В. Ф. Житарь, С. И. Радауцан, … // Изв. АН РМ. Сер. физ. и техн. наук. - 1991. - Nr. 2(5). - P. 73-78.
  840. Особенности магнитных свойств магнитной полупроводниковой шпинели CuCr2Se4 / В. В. Цуркан, Д. А. Чиботару, Р. Шимчак, С. И. Радауцан // Всесоюз. конф. по физике магнитных явлений. 19-я, сентябрь 1991, Ташкент: Тез. докл. Ч. 2. - 1991. - Р. 148.
  841. Особенности радиационных воздействий на свойства соединений АIIB2IXC4VI / Л. В. Георгобиани, Ю. О. Дерид, С.И. Радауцан, И. М. Тигиняну // III Всесоюз. конф. «Материаловедение халькогенидных полупроводников»: Тез. докл. Т. 1. - Черновцы , 1991. - Р. 6.
  842. Особенности спектров комбинационного рассеяния света соединений АIIB2IVC4VI / Е. П. Покатилов, И. М. Тигиняну, С.И. Радауцан, … // III Всесоюз. конф. «Материаловедение халькогенидных полупроводников»: Тез. докл. Т. 1. - Черновцы , 1991. - Р. 18.
  843. Радауцан, С. И., Урсаки, В. В., Циуляну, И. И. Фотолюминесценция пленок селеногаллата цинка // Изв. АН РМ. Сер. физика и техника. - 1991. - Nr. 3. - P. 81-83.
  844. Связанная с проводимостью ферромагнитная релаксация в магнитном полупроводнике HgCr2Se4 / К. Г. Никифоров, А. Г. Гуревич, Л. А. Пасенко, С. И. Радауцан // XIX Всесоюз. конф. по физике магнитных явлений: Тез. докл. Ч. 2. - Ташкент, 1991. - Р. 143.
  845. Фотопроводимость пленок Zn3In2S6 / Н. И. Андриевская, Г. Ф. Доника, В. Н. Кобзаренко, С. И. Радауцан // Изв. АН РМ. Сер. физ. и техн. наук. - 1991. - Nr. 3(6). - P. 101-105.
  846. 1992
  847. Influenţa iradierii cu electroni şi tratamentul termic asupra parametrilor electrici a InP / N. B. Pişnaia, S. I. Rădăuţan, I. M. Tigineanu, ... // IV Colocviu naţional de fizica şi tehnologia materialelor cristaline şi amorfe, Iaşi, 12-13 iunie, 1992. - Iaşi, 1992. - P. 71.
  848. λ-irradiation influence on n-InP photoluminescence spectra / S. I. Radautsan, A. I. Terletckii, I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki // National physics conference. Romania, Iasi, september 21-24, 1992. Paper abstract. - P. 58.
  849. New peculiarities of the conductivity compensation in electron-irradiated InP / N. B. Pysnaya, S. I. Radautsan, I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki // Proceeding of the Internat. conf. on microelectronics and computer science ICMCS-92, Kishinev, Oct. 21-23, 1992. Vol. 1. - Ch., 1992. - P. 6-9.
  850. Nonstoichiometry and magnetic characteristics of CdCr2S4 and HGCr2Se4 / K. G. Nikiforov, M. Baran, A. G. Gurevic, L. Y. Pasenko, S. I. Radautsan, A. Vishnevskij // Ternary and multinary compounds. Proceeding 8 th ICTMC. Vol. 1. - Ch., 1992. - P. 476-479.
  851. Peculiarities of ferromagnetic resonance in ferromagnetic semiconductors / K. G. Nikiforov, A. G. Gurevic, L. Y. Pasenko, S. I. Radautsan // National physics conference. Romania, Iasi, september 21-24, 1992. Paper abstract. - Iasi, 1992. - P. 59.
  852. Processes of secondary optical emission in the partially inveryed spinels CdIn2S4(Cr) / I. V. Kravehski, L. L. Kulyuk, S. I. Radautsan, ... // Ternary and multinary compounds. Proceeding 8 th ICTMC. Vol. 1. - Ch., 1992. - P. 309-312.
  853. Radautsan, S. I. Multinary semiconductor: fundamental achievements and practical // Ternary and multinary compounds. Proceeding 8 th ICTMC. Vol. 1. - Ch., 1992. - P. 8-20.
  854. Radautsan, S. I., Tiginyanu, I. M., Ursaki, V. V. Near-band-edge photoluminescence caused by intrinsic defect in indium phosphide // Proc. 15 th Annual Semicond. Conf. Oct. 6-11, 1992, Sinaia, Romania. - Sinaia, 1992. - P. 87-90.
  855. Short-wavelength radiation detection on the basis of layered sulphides / V. F. Zhitar, N. A. Moldovyan, V. N. Kobzarenko, S. I. Radautsan // Proc. 15 th Annual Semicond. Conf. Oct. 6-11, 1992, Sinaia, Romania. - Sinaia, 1992. - P. 87-90.
  856. The influence of impurities on InP solar cells effectiveness / S. I. Radautsan, I. Carnev, V. V. Dorogan, ... // Proceeding of the Internat. conf. on microelectronics and computer science ICMCS-92, Kishinev, Oct. 21-23, 1992. Vol. 1. - Ch., 1992. - P. 114-117.
  857. The influence of isochronous annealing upon the near-band-edge photoluminescence spectra of the electronirradiated n-InP / S. I. Radautsan, I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki, ... // Solid State Communication. - 1992. - Vol. 85, Nr. 6. - P. 525-527.
  858. The mechanisms of radiative defect formation in InP / N. B. Pysnaya, S. I. Radautsan, I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki // National physics conference. Romania, Iasi, september 21-24, 1992. Paper abstract. - Iasi, 1992. - P. 54.
  859. Vizualization of point and line defects in the wide-band-gap semiconductor compounds by computer graphis and scanning microscopy / M. V. Nazarov, T. A. Nazarova, S. I. Radautsan, I. M. Tiginyanu // Proceeding of the Internat. conf. on microelectronics and computer science ICMCS-92, Kishinev, Oct. 21-23, 1992. Vol. 1. - Ch., 1992. - P. 56-63.
  860. Влияние λ-облучения на спектры фотолюминесценции кристаллов n-InP / С. И. Радауцан, А. И. Терлецкий, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки // Изв. АН РМ. Физика и техника. - 1992. - Nr. 3. - P. 30-31.
  861. Получение, структура и люминесценция ZnIn2S4 / В. Ф. Житарь, Е. Д. Арама, С. И. Радауцан, Н. И. Андриевская // VIII Всесоюз. конф. по росту кристаллов: Расширенные тезисы. Т. 1. - Харьков, 1992. - Р. 275-276.
  862. Радауцан, С. И., Урсаки, В. В., Терлецкий, А. И. Образование глубоких уровней в InP при электронном облучении // Изв. АН РМ. Физика и техника. - 1992. - Nr. 1(7). - P. 85-87.
  863. Рост монокристаллов и электрофизические свойства фаз системы Mg-Ga-In-S / С. И. Радауцан, В. В. Чеботару, Н. А. Молдовян, Д. С. Ременко // Изв. АН РМ. Физика и техника. - 1992. - Nr. 3. - P. 6-9.
  864. Рост монокристаллов тиошпинелей / В. Е. Тэзлэван, Р. Ю. Ляликова, С. И. Радауцан, … // VIII Всесоюз. конф. по росту кристаллов: Расширенные тезисы. Т. 1. - Харьков, 1992. - Р. 281-282.
  865. Термическая устойчивость кристаллов ZnAl2-xGaxS4 на воздухе / Р. Ю. Ляликова, Н. А. Молдовян, В. Ф. Житарь, С. И. Радауцан // Изв. АН РМ. Физика и техника. - 1992. - Nr. 2 (8). - P. 48-50.
  866. Тэзлэван, В. Е., Радауцан, С. И., Рацеев, С. А. Коэффициент самодиффузии серы в монокристаллах In2S3, CdIn2S4, AgIn5S8 // Физика твердого тела. - 1992. - Vol. 34, Nr. 6. - P. 1959-1960.
  867. 1993
  868. Luminescence and Raman Seoffeivy of spinel dyte semiconductor ZnAl2S4 / O. V. Kulikova, N. A. Moldovyan, S. M. Popov, S. I. Radautsan, A. V. Siminel // The 9 th international conference on Ternary and multinary compounds: Abstracts, Aug. 8-12, 1993. - Yokohama, Japan, 1993.
  869. Moldovyan, N. A., Pysnaya, N. V., Radautsan, S. I. New multinary layered chalcogenides with octanedral and tetrahedral cation coordination // The 9 th international conference on Ternary and multinary compounds: Abstracts, Aug. 8-12, 1993. - Yokohama, Japan, 1993. - P. 353.
  870. New peculiarities of nearband-edge photoluminescence spectra in fastelectron irradiated InP epilayers / A. A. Anedda, A. Mura, P. Raga, S. I. Radautsan, ... // Phys. Status Solidi. - 1993. - Vol. 139 (A), Nr. 1. - P. 523-529.
  871. Optical Properties and raman scattering of spinel type semiconductor ZnAl2S4 / O. V. Kulikova, N. A. Moldovyan, S. M. Popov, S. I. Radautsan, A. V. Siminel // The 9 th international conference on Ternary and multinary compounds: Abstracts, Aug. 8-12, 1993. - Yokohama, Japan, 1993. - P. 312.
  872. Radautsan, S. I., Tiginyanu, I. M. Defect engineering in II-III3VI4 and related compounds // The 9 th international conference on Ternary and multinary compounds: Abstracts, Aug. 8-12, 1993. - Yokohama, Japan, 1993. - P. 1.
  873. Radautsan, S. I. Defect engineering in multinary semiconductors // Moldova: deschideri ştiinţifice şi culturale spre vest: Congr. XVIII al Academiei Româno-Americane de Ştiinţe şi Arte (13-16 iulie 1993): rezumate. Vol. 2. - Ch., 1993. - P. 138.
  874. Rădăuţanu, S. „Bogăţia noastră – intelectul naţiunii” // Făclia. - 1993. - 26 febr. - P. 2.
  875. Semiconductor optical irradiation and magnetic field detector for functional electronics / S. Radautsan, E. Russu, Ya. Charyev, ... // Moldova: deschideri ştiinţifice şi culturale spre vest: Congr. XVIII al Academiei Româno-Americane de Ştiinţe şi Arte (13-16 iulie 1993): rezumate. Vol. 2. - Ch., 1993. - P. 139.
  876. Tezlevan, V. E., Radautsan, S. I., Ratseev, S. A. Sintesis and grouth of single crystals In2S3, CdIn2S4, CdGa2S4 compound // National physics conference. Romania, Constantsa, october, 1993. Paper abstract. - Constantsa, 1993.
  877. The influence of cupper profoxide on the syntesis processes of high Te Ba2Cu3O7-b supraconductors / D. P. Samus, R. U. Lialikova, G. A. Kiosse, P. A. Petrenko, S. I. Radautsan, V. V. Tsurkan // National physics conference. Romania, Constantsa, october, 1993. Paper abstract. - Constantsa, 1993. - Р. 13-15.
  878. The influence of isochronous annealing upon the near-band-edge photo luminescence spectra of the electronirradiated n-InP / S. I. Radautsan, I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki, F. P. Korshunov // Solid State Communication. - 1993. - Vol. 85, Nr. 6. - P. 525-527.
  879. Tsurkan, V. V., Radautsan, S. I. Peculiarities of galvanomagnetic effects in Ternary magnetic CuCr2X4 single crystals near magnetic phase transition // The 9 th international conference on Ternary and multinary compounds: Abstracts, Aug. 8-12, 1993. - Yokohama, Japan, 1993. - P. 208.
  880. Tsurkan, V. V., Radautsan, S. I. Transport phonomena in CuCv2Se magnetic semiconductor // Proc. 16 th Annual Semicond. Conf., Oct. 1993, Sinaia, Romania. - Sinaia, 1993. - P. 341-344.
  881. Zn+/As+ and Zn+/Ar+ co-implantations in GaAs single crystals / S. I. Radautsan, I. M. Tiginyanu, A. I. Terletkij, ... // Proc. 16 th Annual Semicond. Conf., Oct. 1993, Sinaia, Romania. - Sinaia, 1993. - P. 465-468.
  882. Влияние Mn на спектры катодолюминесценции ZnIn2S4 / А. И. Мачуга, В. Ф. Житарь, Е. Д. Арама, С. И. Радауцан, П. К. Раду // Изв. АН РМ. Физика и техника. - 1993. - Nr. 2. - P. 20-22.
  883. Законномерности радиационного дефектообразования в чистых эпитаксиальных слоях фосфида индия / Н. Б. Пышная, С. И. Радауцан, И. М. Тигиняну, … // VI Междунар. конф. по физике и технике тонких пленок. Ч. 1. - Ивано-Франковск, 1993. - Р. 101.
  884. Особенности деффектов в соединениях А2В3С5 / Е. Д. Арама, В. Ф. Житарь, А. И. Мачуга, С. И. Радауцан // VI Междунар. конф. по физике и технике тонких пленок. Ч. 1. - Ивано-Франковск, 1993. - Р. 111.
  885. Радауцан, С. И., Дороган, В., Карыев, Я. Влияние дефектов подложки на формирование тонких пленок фотопреоброзовательных структур // VI Междунар. конф. по физике и технике тонких пленок. Ч. 1. - Ивано-Франковск, 1993. - Р. 370.
  886. Радауцан, С. И. Академик С. И. Радауцан: «Это будущая трагедия нашей республики»: (Интервью с вице-президентом АН РМ о состоянии фундам. науки и положении науч. кадров) // Молодежь Молдовы. - 1993. - 26 февр. - Р. 4.
  887. Электропроводность монокристаллов In2S3 легированных оловом / В. Е. Тэзлэван, С. И. Радауцан, С. А. Рацеев, П. В. Нистрюк // Изв. АН РМ. Физика и техника. - 1993. - Nr. 1. - P. 11-15.
  888. 1994
  889. Rădăuţan, S. Ne vor scoate oare oamenii de ştiinţă din impas?: Despre concepţia selectării şi pregătirii cadrelor şt.: La întrebările cititorilor „V.P.” răspunde dl S. Rădăuţan, vicepreşedinte al AŞ a RM, academician / consemnare de V. Ciocoi // Vocea poporului. - 1994. - 29 mart. - P. 4; Голос народа. - 1994. - 29 марта.
  890. Rădăuţan, S. Prometeu al neamului // Viaţa satului. - 1994. - 2 apr. - (Ed. spec.: Caiete de cultură; XXIII: Nicolae Testemiţeanu).
  891. Влияние инфракрасной подсветки на спектры фотопроводимости кристаллов GaAs, облученных α-частицами / С. И. Радауцан, А. Н. Терлецкий, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки // Изв. Ан РМ. Физика и техника. - 1994. - Nr. 1. - P. 3-5.
  892. 1995
  893. Rădăuţan, S. PRCM nu va fi nici proromân, nici pro-rus: interviu cu S. Rădăuţan, liderul comitetului organizatoric de constituire a Partidului Renaşterii şi Concilierii // Moldova suverană. - 1995. - 29 august.

  894. 1996

  895. Rădăuţanu, S. „Am fost şi rămîn un optimist”: [Dialog cu academicianul S. Rădăuţanu, directorul Centrului de materiale semiconductoare] / consemnare: Tatiana Rotaru; fotogr. De Vladimir Colos // Moldova suverană. - 1996. - 18 iunie.
  896. Shishiyanu, S., Radautsan, S., Kaisin, E. The model of stimulated and ion implantion in semiconductors // Proceeding of the IV th International Conferences on Realibility of Semiconductor Devices and Systems RSDS’96. - Ch., 1996. - P. 174-181.
  897. Радауцану, С. Академик Сергей Радауцан: «Работать на будущее – в этом смысл жизни …»: [беседа] / записала Наталья Герина // Молдавские ведомости. - 1996. - 15 июня. - Р. 1, 7.
  898. 1997
  899. International Conference on Microelectronics and Computer Science (2; 18997; Chişinău). The II International Conference on Microelectronics and Computer Science, October 30-31, 1997: [materialele conf.]: În 2 vol. / org. com.: S. Rădăuţan, ... - Ch.: Technica Publishing House, 1997. - Texte: lb. engl., rom. - Bibliogr. la sf. comunicărilor. -(277 p.; 246 p.)
  900. Radautsan, S. The Survival Problems of the Academies of Sciences of the Balkan Countries: To Be or Not to Be? // The New Role of the Academies of Sciences in the Balkan Countries. - Dordrecht, 1997. - P. 113-129.
  901. Raman Characterization of Materials for Optoelectronics / I. I. Burlakov, V. V. Ursaki, I. M. Tiginyanu, S. I. Radautsan // The II International Conference on Microelectronics and Computer Science, October 30-31, 1997. Vol. 1. - Ch., 1997. - P. 12-15.
  902. Rădăuţanu, S. Privighetoare în cîntec şi grai: [Opinii despre Tamara Ciobanu] / consemnare: Mihai Bendas // Curierul de seară. - 1997. - 11 noiembrie.
  903. Rădăuţanu, S. „La Sarmizegetuza, un bătrân ne-a arătat o bucată de fier topit pe timpul dacilor”: Interviu cu academicianul S. Rădăuţanu / consemnare Gh. Budeanu // Flux. - 1997. - 3 oct. - P. 6-7.